池田 正二

J-GLOBALへ         更新日: 14/10/20 23:49
 
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研究者氏名
池田 正二
 
イケダ シヨウジ
eメール
s-ikedacies.tohoku.ac.jp
URL
http://kaken.nii.ac.jp/d/r/90281865.ja.html
所属
東北大学
部署
国際集積エレクトロニクス研究開発センター
職名
教授

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

経歴

 
2011年
 - 
2012年
東北大学 電気通信研究所 准教授
 

Misc

 
大野 英男, 遠藤 哲郎, 羽生 貴弘, 安藤 康夫, 笠井 直記, 池田 正二
電子情報通信学会誌   96(10) 771-775   2013年10月
遠藤 哲郎, 大澤 隆, 小池 洋紀, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 徳留 圭一, 池田 正二, 羽生 貴弘, 大野 英男
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路   113(1) 27-32   2013年4月
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセルによる1Mbの高速な混載用メモリを設計・試作した。スタンドバイ電流をなくし、動作電流を極力下げ、かつ高速なアクセス時間とサイクル時間を達成するために32bからなる細粒度パワーゲーティングを適用した。このセルは4個のNFETでその大きささが決まるために、従来のSRAMよりもセルサイズが小さくなるポテンシャルを持ち、実際スケーリングに基づきSTTMTJのスイッチング電流が小...
松永 翔雲, 三浦 貞彦, 本庄 弘明, 木下 啓蔵, 池田 正二, 遠藤 哲郎, 大野 英男, 羽生 貴弘
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路   113(1) 33-38   2013年4月
高性能な情報検索機能を実現する並列構造の専用ハードウェア,Ternary Content-Addressable Memory(TCAM)では,記憶情報の大容量化と検索処理の低スタンバイ電力化が強く要求される.本稿では,4個のMOSトランジスタと2個のMagnetic Tunnel Junction(MTJ)素子を用いることで,記憶機能が不揮発化され,かつ所望の演算機能も実現できる新しい不揮発TCAMセル構造(4T-2MTJ構造)を提案する.90nm CMOSプロセスと100nm MTJプ...
鈴木 大輔, 夏井 雅典, 池田 正二, 長谷川 晴弘, 三浦 勝哉, 早川 純, 遠藤 哲郎, 大野 英男, 羽生 貴弘
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路   110(9) 47-52   2010年4月
本稿では,磁気トンネル接合素子(MTJ:Magnetic Tunnel Junction)素子特性を活用することで, FPGA (Field-Programmable Gate Array)におけるLUT (lookup table)演算機能と不揮発性記憶機能を一体化させた回路を提案する.提案回路は電流モード論理に基づき構成され, MTJ素子の記憶に応じた電流値の変化を直接論理値として扱うことが可能である.したがって,演算結果のみを増幅して出力すればよく,結果としてコンパクトな回路を実現可...
竹村 理一郎, 河原 尊之, 三浦 勝哉, 山本 浩之, 早川 純, 松崎 望, 小埜 和夫, 山ノ内 路彦, 伊藤 顕知, 高橋 宏昌, 池田 正二, 長谷川 晴弘, 松岡 秀行, 大野 英男
電子情報通信学会技術研究報告. ICD, 集積回路   110(9) 53-57   2010年4月
1.8V動作, 32nsアクセス,セル書き込み時間40nsの32Mb SPRAMを試作した。本チップは, 150nm CMOSプロセスとサイズが100×200nm^2のトンネル時期抵抗素子(TMR)を用いている。大容量SPRAM向けの搭載した回路技術として,(1)小面積で大書き込み電流を実現する2トランジスタ1抵抗(2T1R)型メモリセルレイアウト,(2)書き込み時の配線抵抗の影響を低減する双方向ローカルライトドライバ,(3)TMRを用いた'1'/'0'平均化リファレンス方式を開発した。本...