牧本俊樹 (Toshiki Makimoto) - マイポータル

基本情報

所属: 早稲田大学理工学術院先進理工学部教授

学位: 博士（工学）(東京大学)

研究者番号: 50374070
J-GLOBAL ID: 201301021239292206
researchmap会員ID: 7000004950

外部リンク: http://www.eb.waseda.ac.jp/makimoto/

研究キーワード

Ⅲ-V族化合物半導体、窒化物半導体、結晶成長、半導体デバイス

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電気電子材料工学 /

経歴

2013年4月

現在：早稲田大学・先進理工学部・教授
2011年7月 - 2013年3月

： NTT物性科学基礎研究所・所長
2010年10月 - 2011年6月

： NTT物性科学基礎研究所・機能物質科学部・部長
2007年7月 - 2010年9月

： NTT物性科学基礎研究所・企画担当
2003年4月 - 2007年6月

： NTT物性科学基礎研究所・グループリーダ
1999年1月 - 2003年3月

： NTT物性科学基礎研究所・主幹研究員
1997年3月 - 1999年1月

： NTT基礎研究所・研究推進担当課長
1991年6月 - 1997年2月

： NTT基礎研究所・主任研究員
1990年4月 - 1991年5月

： NTT LSI研究所量子デバイス研究部
1985年5月 - 1990年3月

： NTT基礎研究所・物性科学研究部
1985年4月

：日本電信電話株式会社（NTT）武蔵野電気通信研究所入社

学歴

- 1985年

東京大学, 工学系研究科, 電気電子工学科
- 1983年

東京大学, 工学部, 電気電子工学科

受賞

2015年4月

平成27年度文部科学大臣表彰受賞(科学技術賞研究部門)
2014年9月

応用物理学会フェロー表彰

論文

226

Recombination mechanism of heavily Be-doped GaAsN by time-resolved photoluminescence

Takashi Tsukasaki, Hisashi Sumikura, Takuma Fujimoto, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Journal of Vacuum Science & Technology A 41(5) 2023年7月12日
Electrical properties of heavily Si-doped GaAsN after annealing

Takashi Tsukasaki, Naoki Mochida, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Physica B: Condensed Matter 625 2022年1月15日
Correction: Photoluminescence Mechanism in Heavily Si-Doped GaAsN (Crystal Research and Technology, (2021), 56, 3, (2000143), 10.1002/crat.202000143)

Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Crystal Research and Technology 56(11) 2021年11月
Photoluminescence Mechanism in Heavily Si‐Doped GaAsN

Takashi Tsukasaki, Ren Hiyoshi, Miki Fujita, Toshiki Makimoto

Crystal Research and Technology 56(3) 2000143-2000143 2021年3月査読有り
Si doping mechanism in Si doped GaAsN

T. Tsukasaki, R. Hiyoshi, M. Fujita, T. Makimoto

J. Cryst. Growth 514 45-48 2019年5月査読有り
Hole conduction characteristics of cubic Ti1−xAlxN

Masahiro Yoshikawa, Daiki Toyama, Toshiaki Fujita, Noriaki Nagatomo, Toshiki Makimoto

Thin Solid Films 660 711-714 2018年査読有り
Effects of surface barrier layer in AlGaAs/GaAs solar cells

Hiroyuki Urabe, Makoto Kuramoto, Tomohiro Nakano, Atsushi Kawaharazuka, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 425 330-332 2015年9月査読有り
Optical properties of AlxGa1-xAs/GaAs superlattice solar cells

Makoto Kuramoto, Hiroyuki Urabe, Tomohiro Nakano, Atsushi Kawaharazuka, Jiro Nishinaga, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 425 333-336 2015年9月査読有り
Study of single crystal CuInSe2 thin films and CuGaSe2/CuInSe2 single quantum well grown by molecular beam epitaxy

Sathiabama Thiru, Masaki Asakawa, Kazuki Honda, Atsushi Kawaharazuka, Atsushi Tackeuchi, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 425 203-206 2015年9月査読有り
A new AlON buffer layer for RF-MBE growth of AlN on a sapphire substrate

T. Makimoto, K. Kumakura, M. Maeda, H. Yamamoto, Y. Horikoshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 425 138-140 2015年9月査読有り
Investigation of CuGaSe2/CuInSe2 double heterojunction interfaces grown by molecular beam epitaxy

Sathiabama Thiru, Masaki Asakawa, Kazuki Honda, Atsushi Kawaharazuka, Atsushi Tackeuchi, Toshiki Makimoto, Yoshiji Horikoshi

AIP ADVANCES 5(2) 2015年2月査読有り
Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN

Masanobu Hiroki, Kazuhide Kumakura, Yasuyuki Kobayashi, Tetsuya Akasaka, Toshiki Makimoto, Hideki Yamamoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 105(19) 193509 2014年11月査読有り
GaN on h-BN technology for release and transfer of nitride devices

Masanobu Hiroki, Kazuhide Kumakura, Yasuyuki Kobayashi, Tetsuya Akasaka, Hideki Yamamoto, Toshiki Makimoto

2014 4TH IEEE INTERNATIONAL WORKSHOP ON LOW TEMPERATURE BONDING FOR 3D INTEGRATION (LTB-3D) 31-31 2014年査読有り
Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices

Yasuyuki Kobayashi, Kazuhide Kumakura, Tetsuya Akasaka, Hideki Yamamoto, Toshiki Makimoto

2014 IEEE SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 2014年査読有り
Graphene Layer Formation on Polycrystalline Nickel Grown by Chemical Vapor Deposition

Kenichi Kanzaki, Hiroki Hibino, Toshiki Makimoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(3) 35103 2013年3月査読有り
A Vertical InGaN/GaN Light-Emitting Diode Fabricated on a Flexible Substrate by a Mechanical Transfer Method Using BN

Toshiki Makimoto, Kazuhide Kumakura, Yasuyuki Kobayashi, Tetsuya Akasaka, Hideki Yamamoto

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5(7) 72102 2012年7月査読有り
Layered boron nitride as a release layer for mechanical transfer of GaN-based devices

Yasuyuki Kobayashi, Kazuhide Kumakura, Tetsuya Akasaka, Toshiki Makimoto

NATURE 484(7393) 223-227 2012年4月査読有り
Low-temperature characteristics of the current gain of GaN/InGaN double-heterojunction bipolar transistors

Atsushi Nishikawa, Kazuhide Kumakura, Makoto Kasu, Toshiki Makimoto

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(10) 3000-3002 2009年5月査読有り
High-temperature characteristics up to 590 degrees C of a pnp AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistor

Kazuhide Kumakura, Toshiki Makimoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 94(10) 103502 2009年3月査読有り
Improvement of device characteristics in MIS AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors by designing insulator/AlGaN structures

Narihiko Maeda, Masanobu Hiroki, Toshiki Makimoto, Takatomo Enoki, Takashi Kobayashi

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6 S1049-S1052 2009年査読有り

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MISC

Suppression of self-heating effect in AlGaN/GaN high electron mobility transistors by substrate-transfer technology using h-BN (vol 105, 193509, 2014)

Masanobu Hiroki, Kazuhide Kumakura, Yasuyuki Kobayashi, Tetsuya Akasaka, Toshiki Makimoto, Hideki Yamamoto

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(4) 2015年1月
SiC基板上に作製した窒化物半導体デバイスの現状と将来 (特集:次世代半導体デバイスとしてのSiC単結晶を用いたオプトメカトロニクス技術)

牧本俊樹

光技術コンタクト 44(12) 699-708 2006年12月
GaN Heteroepitaxy on Si(111) substrates Using AlN/AlGaN Superlattice Buffer Layers

AKASAKA Tetsuya, KOBAYASHI Yasuyuki, MAKIMOTO Toshiki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 198-199 2006年9月13日
Hexagonal Boron Nitride Heteroepitaxial Layers on Graphitized 6H-SiC Substrate Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

KOBAYASHI Yasuyuki, HIBINO Hiroki, NAKAMURA Tomohiro, AKASAKA Tetsuya, MAKIMOTO Toshiki, MATSUMOTO Nobuo

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2006 202-203 2006年9月13日
C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)

嘉数誠, 植田研二, テレアアレクサンダ, 山内喜晴, 牧本俊樹

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2006(2) 52-52 2006年9月7日
C-10-10 高品質多結晶ダイヤモンドFETの作製と特性評価(C-10.電子デバイス,一般講演)

植田研二, 嘉数誠, 山内喜晴, 牧本俊樹, Schwitters M., Twitchen D. J., Scarsbrook G. A., Coe S. E.

電子情報通信学会総合大会講演論文集 2006(2) 64-64 2006年3月8日
Flow-rate modulation epitaxy of wurtzite AlBN

AKASAKA Tetsuya, MAKIMOTO Toshiki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2005 136-137 2005年9月13日
Comparison of AlGaN/GaN insulated gate heterostructure field-effect transistors with ultra-thin Al_2O_3/Si_3N_4 bilayer and with Si_3N_4 single layer

WANG Chengxin, MAEDA Narihiko, HIROKI Masanobu, TAWARA Takehiko, SAITOH Tadashi, MAKIMOTO Toshiki, KOBAYASHI Takashi, ENOKI Takotomo

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 656-657 2004年9月15日
Low-dislocation AlGaN thin films grown using Al_<1-x>Si_xN nano-disks (x=0.07-0.17)

AKASAKA Tetsuya, TANIYASU Yoshitaka, KASU Makoto, MAKIMOTO Toshiki

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2004 810-811 2004年9月15日
高品質AlN上に成長したGaN-free UV-LED

西田敏夫, 伴知幸, 牧本俊樹

日本結晶成長学会誌 30(3) 109-109 2003年7月5日
[Invited]Npn型窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

牧本俊樹, 熊倉一英, 小林直樹

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 103(163) 5-8 2003年7月1日
Npn型AlGaN/InGaN/GaNヘテロ接合バイポーラトランジスタにおける高い降伏電界

牧本俊樹, 熊倉一英, 小林直樹

電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 102(559) 5-10 2003年1月10日

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

高品質GaAsN系超格子の成長と励起子に関する研究

2019年4月 - 2022年3月
RF-MBE法によるグラフェン上へのエピタキシャルBN成長

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2014年4月 - 2017年3月

牧本俊樹, 堀越佳治, 藤田実樹, 日比野浩樹, 前田文彦, 関根佳明
六方晶BN窒化物半導体に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2006年 - 2009年

小林康之, 牧本俊樹, 赤坂哲也, 西川敦, 中野秀俊, 後藤秀樹, 俵毅彦, 眞田治樹

産業財産権

2020- 70196 窒化物半導体層の成長方法

牧本俊樹
2019-231240 ヘテロ構造およびその製造方法

牧本俊樹
2016- 82079 窒化物半導体結晶成長方法

牧本俊樹, 前田理也, 堀越佳治
2015-168594 窒化物半導体の成長方法

牧本俊樹, 堀越佳治, 前田理也, 小林祐輝