伊藤顕知 (Kenchi Ito) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(東京大学)

J-GLOBAL ID: 201401067656737471
researchmap会員ID: 7000009979

外部リンク: http://db.tohoku.ac.jp/whois/detail/dcb961e4fdb8143173f0fa4b4df39f21.html

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

経歴

東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター研究開発部門, 教授

MISC

Spin torque switching and scaling in synthetic antiferromagnet free layers with in-plane magnetization

T. Devolder, K. Ito

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 111(12) 123914 2012年6月
Spin torque switching and scaling in synthetic antiferromagnet free layers with in-plane magnetization

T. Devolder, K. Ito

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 111(12) 123914 2012年6月
Dependence of Magnetic Anisotropy in Co20Fe60B20 Free Layers on Capping Layers in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with In-Plane Easy Axis

Hiroyuki Yamamoto, Jun Hayakawa, Katsuya Miura, Kenchi Ito, Hideyuki Matsuoka, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5(5) 053002 2012年5月
Dependence of Magnetic Anisotropy in Co20Fe60B20 Free Layers on Capping Layers in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions with In-Plane Easy Axis

Hiroyuki Yamamoto, Jun Hayakawa, Katsuya Miura, Kenchi Ito, Hideyuki Matsuoka, Shoji Ikeda, Hideo Ohno

APPLIED PHYSICS EXPRESS 5(5) 053002 2012年5月
Spin-transfer torque RAM technology: Review and prospect

T. Kawahara, K. Ito, R. Takemura, H. Ohno

MICROELECTRONICS RELIABILITY 52(4) 613-627 2012年4月
Spin-transfer torque RAM technology: Review and prospect

T. Kawahara, R, Takemura, K. Ito, H. Ohno

Microelectronics Reliability 4 613 2012年
Spin-torque switching window, thermal stability, and material parameters of MgO tunnel junctions

T. Devolder, L. Bianchini, K. Miura, K. Ito, Joo-Von Kim, P. Crozat, V. Morin, A. Helmer, C. Chappert, S. Ikeda …

APPLIED PHYSICS LETTERS 98(16) 162502 2011年4月
Spin-torque switching window, thermal stability, and material parameters of MgO tunnel junctions

T. Devolder, L. Bianchini, K. Miura, K. Ito, Joo-Von Kim, P. Crozat, V. Morin, A. Helmer, C. Chappert, S. Ikeda …

APPLIED PHYSICS LETTERS 98(16) 162502 2011年4月
A 32-Mb SPRAM with 2T1R memory cell, localized bi-directional write driver and '1'/'0' dual-array equalized reference scheme

R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, K. Ito, H. Takahashi …

IEEE, Journal of Solid-State Circuits 46 869 2010年
A 32-Mb SPRAM with 2T1R memory cell, localized bi-directional write driver and '1'/'0' dual-array equalized reference scheme

R. Takemura, T. Kawahara, K. Miura, H. Yamamoto, J. Hayakawa, N. Matsuzaki, K. Ono, M. Yamanouchi, K. Ito, H. Takahashi …

IEEE, Journal of Solid-State Circuits 46 869 2010年
Direct measurement method of the current-induced field-like torque in magnetic tunnel junctions

T. Devolder, Joo-Von Kim, C. Chappert, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Ohno

J. Appl. Phys 105 113924 2009年
Direct measurement method of the current-induced field-like torque in magnetic tunnel junctions

T. Devolder, Joo-Von Kim, C. Chappert, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, H. Ohno

J. Appl. Phys 105 113924 2009年
Electrical time-domain observation of magnetization switching induced by spin transfer in magnetic nanostructures (invited)

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, J. A. Katine, M. J. Carey, P. Crozat, J. V. Kim, C. Chappert …

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103(7) 07A723 2008年4月
Electrical time-domain observation of magnetization switching induced by spin transfer in magnetic nanostructures (invited)

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, J. A. Katine, M. J. Carey, P. Crozat, J. V. Kim, C. Chappert …

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 103(7) 07A723 2008年4月
Single-shot time-resolved measurements of nanosecond-scale spin-transfer induced switching: Stochastic versus deterministic aspects

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, P. Crozat, N. Zerounian, Joo-Von Kim, C. Chappert, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS 100(5) 057206 2008年2月
Single-shot time-resolved measurements of nanosecond-scale spin-transfer induced switching: Stochastic versus deterministic aspects

T. Devolder, J. Hayakawa, K. Ito, H. Takahashi, S. Ikeda, P. Crozat, N. Zerounian, Joo-Von Kim, C. Chappert, H. Ohno

PHYSICAL REVIEW LETTERS 100(5) 057206 2008年2月
2 Mb SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with bit-by-bit bi-directional current write and parallelizing-direction current read

Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Yasushi Goto, Kenchi Ito, Toshiyasu Meguro …

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 43(1) 109-120 2008年1月
2 Mb SPRAM (SPin-transfer torque RAM) with bit-by-bit bi-directional current write and parallelizing-direction current read

Takayuki Kawahara, Riichiro Takemura, Katsuya Miura, Jun Hayakawa, Shoji Ikeda, Young Min Lee, Ryutaro Sasaki, Yasushi Goto, Kenchi Ito, Toshiyasu Meguro …

IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS 43(1) 109-120 2008年1月
Subnanosecond spin-transfer switching: Comparing the benefits of free-layer or pinned-layer biasing

T. Devolder, C. Chappert, K. Ito

PHYSICAL REVIEW B 75(22) 224430 2007年6月
Subnanosecond spin-transfer switching: Comparing the benefits of free-layer or pinned-layer biasing

T. Devolder, C. Chappert, K. Ito

PHYSICAL REVIEW B 75(22) 224430 2007年6月

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講演・口頭発表等

Spin Transfer TorqueSwitching in Magnetic Tunnel Junctions with CoFeB-based Synthetic Ferri-magnetic Free Layers

6th RIEC International Workshop on Spintronics 2010年
Spin Transfer TorqueSwitching in Magnetic Tunnel Junctions with CoFeB-based Synthetic Ferri-magnetic Free Layers

6th RIEC International Workshop on Spintronics 2010年
スピントルク磁化反転を用いた不揮発ＲＡＭ（ＳＰＲＡＭ）

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会シンポジウム 2009年
スピントルク磁化反転を用いた不揮発ＲＡＭ（ＳＰＲＡＭ）

電気学会、シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会 2009年
Spin Transfer Torque RAM (SPRAM) with CoFeB-based synthetic ferri-magnetic recording layers

2nd NSC-JST Nano Device Workshop 2009年
スピン注入ＭＲＡＭ（ＳＰＲＡＭ）の現状と実用化への課題

応用物理学会、スピントロニクス研究会 2009年
スピントルク磁化反転を用いた不揮発ＲＡＭ（ＳＰＲＡＭ）

2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会シンポジウム 2009年
スピントルク磁化反転を用いた不揮発ＲＡＭ（ＳＰＲＡＭ）

電気学会、シリコンナノデバイス集積化技術調査専門委員会 2009年
Spin Transfer Torque RAM (SPRAM) with CoFeB-based synthetic ferri-magnetic recording layers

2nd NSC-JST Nano Device Workshop 2009年
スピン注入ＭＲＡＭ（ＳＰＲＡＭ）の現状と実用化への課題

応用物理学会、スピントロニクス研究会 2009年
Time-resolved Measurement of Nanosecond-Scale Spin-Transfer Torque Magnetization Switching

ISQM-TOKYO 2008 2008年
Thermal Stability of SPRAM (Spin transfer torque RAM) with CoFeB-based synthetic ferrimagnetic free layers

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials 2008年
Spin Torque Transfer MRAM (SPRAM) Technology - Current Status and Future Challenge-

Workshop on Next Generation Integrated Nanoscience Simulation Software 2008年
Time-resolved Measurement of Nanosecond-Scale Spin-Transfer Torque Magnetization Switching

ISQM-TOKYO 2008 2008年
Thermal Stability of SPRAM (Spin transfer torque RAM) with CoFeB-based synthetic ferrimagnetic free layers

53rd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials 2008年
Spin Torque Transfer MRAM (SPRAM) Technology - Current Status and Future Challenge-

Workshop on Next Generation Integrated Nanoscience Simulation Software 2008年
Spin Transfer Toque (STT) Switching Combined with Precessional Motion from a Hard Axis Magnetic Field

MMM2007 2007年
Spin Transfer Toque (STT) Switching Combined with Precessional Motion from a Hard Axis Magnetic Field

MMM2007 2007年
Micromagnetic Simulation on the Dynamics of Spin Transfer Torque (STT) Switching

1st RIEC International Workshop on Spintronics 2006年
Micromagnetic Simulation on Strategy to Accelerate sub-ns Spin Transfer Torque (STT) Switching

ICM2006 2006年

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

MRAMの研究開発

2014年