河口研一 (Kenichi Kawaguchi) - マイポータル

基本情報

所属: 富士通株式会社量子研究所　量子ハードウェアプロジェクトブロジェクトマネージャー

学位: 博士（工学）(東京大学)

J-GLOBAL ID: 201601002211387560
researchmap会員ID: B000267843

共同研究・競争的資金等の研究課題

ナノワイヤ半導体を用いた環境電波発電デバイスの研究開発

科学技術振興機構（JST）戦略的創造研究推進事業（CREST） 2016年10月 - 2020年3月

河口研一

論文

Electronic properties of the steps in bilayer Td-WTe2

Mari Ohfuchi, Akihiko Sekine, Manabu Ohtomo, Kenichi Kawaguchi

APPLIED PHYSICS EXPRESS 15(6) 2022年6月
III-V nanowire backward diodes with high sensitivity above 1 MV W-1 for low-power microwave energy harvesting

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 60(SB) 2021年5月
Improved microwave sensitivity to 706 kV/W by using p-GaAsSb/n-InAs nanowire backward diodes for low-power energy harvesting at zero bias

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

AIP ADVANCES 10(8) 2020年8月
Achieving a high breakdown voltage for GaAsSb-based backward diodes using the carrier depletion effect originating from nanowires

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 59 2020年4月
Type-II p-GaAsSb/n-InAs multi-nanowire backward diodes for rectification of low-power RF signals under a zero-bias condition

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Naoya Okamoto, Michihiko Suhara

APPLIED PHYSICS EXPRESS 12(10) 2019年10月
Log-spiral Antenna Integrated with GaAsSb-base Backward Diodes for Microwave Energy Harvesting

Masaru Sato, Kenichi Kawaguchi, Tsuyoshi Takahashi, Naoya Okamoto, Tasuku Kurosawa, Xinyu Liu, Shinpei Yamashita, Michihiko Suhara

IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 2019-June 1156-1159 2019年6月
Characterization and Modeling of a GaAsSb/InGaAs Backward Diode on the Basis of S-Parameter Measurement Up to 67 GHz

Shinpei YAMASHITA, Michihiko SUHARA, Kenichi KAWAGUCHI, Tsuyoshi TAKAHASHI, Masaru SATO, Naoya OKAMOTO, Kiyoto ASAKAWA

IEICE Transactions on Electronics E102.C(6) 462-465 2019年6月1日
Experimental Observation of Rectification around 280 GHz Wave in the GaAsSb/InGaAs Backward Diode Rectenna Monolithically Integrated with a Bow-Tie Antenna

Michihiko Suhara, Masataka Nakanishi, Shintaro Kitakado, Kiyoto Asakawa, Masaru Sato, Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Naoya Okamoto

2019 Compound Semiconductor Week, CSW 2019 - Proceedings 2019年5月
Type-II p-GaAsSb/n-InAs Nanowires under Conditions for Tunnel Junction Formation

K. Kawaguchi, T. Takahashi, N. Okamoto, M. Sato, M. Suhara

Proceedings of the IEEE Conference on Nanotechnology 2018-July 2019年1月24日
Improvement in Uniformity of Type-II p-GaAsSb/n-InAs Nanowires on GaAs Substrates by the Insertion of GaAs Segments in Position-controlled VLS Method

Kenichi Kawaguchi, Tsuyoshi Takahashi, Naoya Okamoto, Masaru Sato, Michihiko Suhara

MRS Advances 4(5-6) 331-336 2019年
Highly Sensitive p-GaAsSb/n-InAs Nanowire Backward Diodes for Low-Power Microwaves

Tsuyoshi Takahashi, Kenichi Kawaguchi, Masaru Sato, Michihiko Suhara, Naoya Okamoto

49TH EUROPEAN SOLID-STATE DEVICE RESEARCH CONFERENCE (ESSDERC 2019) 2019-September 214-217 2019年
Position-Controlled VLS Growth of Nanowires on Mask-Patterned GaAs Substrates for Axial GaAsSb/InAs Heterostructures

Kenichi Kawaguchi, Tsuyoshi Takahashi, Naoya Okamoto, Masaru Sato

Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science 215(8) 2018年4月21日査読有り
Demonstration of GaAsSb/InAs nanowire backward diodes grown using position-controlled vapor-liquid-solid method

Kenichi Kawaguchi, Tsuyoshi Takahashi, Naoya Okamoto, Masaru Sato

Applied Physics Express 11(2) 2018年2月1日査読有り
Inp-related nanowires for light-emitting applications

Kenichi Kawaguchi

Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications 365-396 2017年1月1日
Room-temperature electroluminescence from radial p-i-n InP/InAsP/InP nanowire heterostructures in the 1.5-μm-wavelength region

Kenichi Kawaguchi, Kenichi Kawaguchi, Hisao Sudo, Manabu Matsuda, Mitsuru Ekawa, Tsuyoshi Yamamoto, Yasuhiko Arakawa, Yasuhiko Arakawa

Japanese Journal of Applied Physics 54(4) 2015年4月
Self-catalyzed InP nanowires on patterned Si substrates

Kenichi Kawaguchi, Hisao Sudo, Manabu Matsuda, Kazuya Takemoto, Tsuyoshi Yamamoto, Yasuhiko Arakawa

Materials Research Society Symposium Proceedings 1751 25-30 2015年
Radial InP/InAsP/InP heterostructure nanowires on patterned Si substrates using self-catalyzed growth for vertical-type optical devices

Kenichi Kawaguchi, Hisao Sudo, Manabu Matsuda, Kazuya Takemoto, Tsuyoshi Yamamoto, Yasuhiko Arakawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 106(1) 2015年1月
VLS growth of position-controlled InP nanowires and formation of radial heterostructures on mask-patterned InP substrates

Kenichi Kawaguchi, Hisao Sudo, Manabu Matsuda, Mitsuru Ekawa, Tsuyoshi Yamamoto, Yasuhiko Arakawa

Behavioral and Brain Sciences 1659(2) 2014年11月7日
Metal organic chemical vapor deposition growth of high density InAs/Sb:GaAs quantum dots on Ge/Si substrate and its electroluminescence at room temperature

Mohan Rajesh, Katsuaki Tanabe, Satoshi Kako, Kenichi Kawaguchi, Masao Nishioka, Yasuhiko Arakawa

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 53(4) 2014年4月
Position-controlled InP nanowires with 10-100 μ m pitches using Au-deposited SiO<inf>2</inf>/InP patterned substrates

Kenichi Kawaguchi, Hisao Sudo, Manabu Matsuda, Mitsuru Ekawa, Tsuyoshi Yamamoto, Yasuhiko Arakawa

Applied Physics Letters 104(6) 2014年2月

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MISC

近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成

河口研一, 中田義昭, 江川満, 山本剛之, 荒川泰彦

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 112(327) 109-112 2012年11月22日
SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器

関口茂昭, 朱雷, 倉橋輝雄, 河口研一, 森戸健

電子情報通信学会技術研究報告. R, 信頼性 112(180) 115-120 2012年8月16日
広帯域半導体光増幅器に向けたInP上InAs量子ドットのMOVPE成長

河口研一, 江川満, 秋山知之, 植竹理人, 安岡奈美, 江部広治, 菅原充, 荒川泰彦

日本結晶成長学会誌 33(2) 83-88 2006年6月30日

書籍等出版物

ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開 (新材料・新素材シリーズ)

福井孝志編 (担当:分担執筆)

シーエムシー出版 2013年5月 (ISBN: 4781307604)

産業財産権

特開2019-016710 電子デバイス、及び電子デバイスの製造方法

河口研一, 高橋剛, 岡本直哉
特開2019-004131 化合物半導体装置及びその製造方法、並びに受信機

高橋剛, 河口研一
特開2018-200915 化合物半導体装置、赤外線検知器及び撮像装置

今純一, 河口研一
特許第6330486号半導体ナノワイヤ光装置及びその製造方法

河口研一
特開2018-056377 電子デバイス及びその製造方法

河口研一, 高橋剛, 岡本直哉
特開2018-056381 半導体装置及びその製造方法

岡本直哉, 河口研一, 高橋剛
特開2018-037521 半導体装置及びその製造方法

高橋剛, 河口研一
特開2018-018920 光検出器、撮像装置及び光検出器の製造方法

河口研一, 今純一, 山下裕泰, 西野弘師
特開2017-195305 発光素子及びその製造方法

高▼津求, 竹本一矢, 宮澤俊之, 河口研一, 荒川泰彦
特許第6217137号光半導体装置及びその製造方法

河口研一, 植竹理人
特許第6206233号光半導体素子及び光半導体素子の製造方法

河口研一
特許第6205747号光半導体素子及びその製造方法

河口研一, 山本剛之
特許第6195305号光半導体素子及び光半導体素子を製造する方法

宮澤俊之, 河口研一, 荒川泰彦
特許第6187394号半導体ナノワイヤの製造方法及び半導体ナノワイヤ素子の製造方法

河口研一
特許第6146199号半導体ナノワイヤの製造方法及び光半導体装置の製造方法

河口研一
特許第6123536号光半導体素子、及びその製造装置

河口研一
特許第6123452号 Ge系ナノワイヤ光素子及びその製造方法

河口研一
特許第6083254号光半導体素子及びその製造方法

須藤久男, 河口研一
特許第6060652号太陽電池及びその製造方法

河口研一
特許第6036833号太陽電池及びその製造方法

河口研一, 中田義昭

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