花尻 達郎

J-GLOBALへ         更新日: 17/10/21 20:59
 
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研究者氏名
花尻 達郎
 
ハナジリ タツロウ
URL
http://quantum.eng.toyo.ac.jp/
所属
東洋大学
部署
理工学部
職名
教授
学位
博士(工学)(東京大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2012年4月
 - 
現在
東洋大学 大学院学際・融合科学研究科 研究科長
 
2011年4月
 - 
現在
東洋大学 理工学部 教授
 
2007年4月
 - 
現在
東洋大学 バイオ・ナノエレクトロニクス研究センター 副センター長(施設、装置担当)
 
2007年4月
 - 
2011年3月
東洋大学 工学部 教授
 
1998年4月
 - 
2007年3月
東洋大学 工学部 助教授
 

学歴

 
1991年4月
 - 
1994年3月
東京大学 大学院工学系研究科(博士課程) 電子工学専攻
 
1989年4月
 - 
1991年3月
東京大学 大学院工学系研究科(修士課程) 電子工学専攻
 
1985年4月
 - 
1989年3月
早稲田大学 理工学部 電気工学科 エレクトロニクス専修コース
 

論文

 
“Barium hydroxide hole blocking layer for front- and back-organic/crystalline Si heterojunction solar cells
Hossain J:, K. Kasahara ,D. Harada, A. T. M. Saifu Islam, R.Ishikawa, K. Ueno, T. Hanajiri, Y. Nakajima ,Y. Fujii, M.Tokuda and H.Shirai
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   122(5) 055010   2017年8月   [査読有り]
Investigating the chemical mist deposition technique for poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrene sulfonate) on textured crystalline-silicon for organic/crystalline-silicon heterojunction solar cells
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   55(3)    2016年3月   [査読有り]
Synthesis of nanoparticles composed of silver and silver chloride for a plasmonic photocatalyst using an extract from a weed Solidago altissima (goldenrod)
Advances in Natural Sciences: Nanoscience & Nanotechnology   7(1) .015002-015013   2016年3月   [査読有り]
Nanomaterial-assisted PCR based on thermal generation from magnetic nanoparticles under high-frequency AC magnetic fields
635 234-240   2015年8月   [査読有り]
N-2-Plasma-Assisted One-Step Alignment and Patterning of Graphene Oxide on a SiO2/Si Substrate Via the Langmuir-Blodgett Technique
Chauhan, N, Palaninathan, V, Raveendran, S, Poulose, AC, Nakajima, Y, Hasumura, T , Uchida, T, Hanajiri T, Maekawa, T, Kumar, DS,
ADVANCED MATERIALS INTERFACES   2(5)    2015年3月   [査読有り]
Modeling of Drain Electric Flux Passing Through the BOX Layer in SOI MOSFETs-Part II: Model Derivation and Validity Confirmation
Yamada, T.; Hanajiri, T.; Toyabe, T.
IEEE Transactions on Electron Devices   61(9) 3030-3035   2014年9月   [査読有り]
Modeling of Drain Electric Flux Passing Through the BOX Layer in SOI MOSFETs - Part I: Preparation for Modeling Based on Conformal Mapping
Yamada, T.; Hanajiri, T.; Toyabe, T.
IEEE Transactions on Electron Devices   61(9) 3023-3029   2014年9月   [査読有り]
Improvement of electrical characteristics of local BOX MOSFETs by heavily doped structures and elucidation of the related mechanism
Yamada, T, Nakajima, Y, Hanajiri, T, Toyabe, T, Sugano, T
JOURNAL OF COMPUTATIONAL ELECTRONICS   13(2) 400-407   2014年6月   [査読有り]
Synthesis of an Ultradense Forest of Vertically Aligned Triple-Walled Carbon Nanotubes of Uniform Diameter and Length Using Hollow Catalytic Nanoparticles
Baliyan, A, Nakajima, Y, Fukuda, T, Uchida, T, Hanajiri, T, Maekawa, T
JOURNAL OF THE AMERICAN CHEMICAL SOCIETY   136(3) 1047-1053   2014年1月   [査読有り]
Yamada, T ; Abe, S ; Nakajima, Y; Hanajiri, T ; Toyabe, T ; Sugano, T
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   60(12) 3996-4001   2013年12月   [査読有り]
Yamada, T; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Sugano, T
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   60(12) 4281-4283   2013年12月   [査読有り]
Raveendran, Sreejith;Chauhan, Neha); Nakajima, Y ; Higashi, T; Kurosu, S ; Tanizawa, Y ; Tero, R ; Yoshida, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T
PARTICLE & PARTICLE SYSTEMS CHARACTERIZATION   30(7) 573-578   2013年6月   [査読有り]
Baliyan, Ankur; Fukuda, T; Hayasaki, Y; Uchida, T; Nakajima, Y ; Hanajiri, T; Maekawa, T
JOURNAL OF NANOPARTICLE RESEARCH   15(6) 記事番号: UNSP 1693   2013年6月   [査読有り]
Yamada, T; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Sugano, T
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   60(1) 260-267   2013年1月   [査読有り]
Baliyan, Ankur; Hayasaki, Y.; Fukuda, T; Uchida, T ; Nakajima, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T
JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C   117(1) 683-686   2013年1月   [査読有り]
Nair, Baiju G.; Fukuda, T; Mizuki, T; Hanajiri, T ; Maekawa, T
BIOCHEMICAL AND BIOPHYSICAL RESEARCH COMMUNICATIONS   421 763-767   2012年5月   [査読有り]
Watanabe, F; Shirai, H ; Fujii, Y; Hanajiri, T
THIN SOLID FILMS   520(10) 3729-3735   2012年3月   [査読有り]
Baliyan, Ankur; Fukuda; Uchida, T; Nakajima, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T
CHEMICAL PHYSICS LETTERS   519-520 78-82   2012年1月   [査読有り]
Baliyan, Ankur; Uchida, T; Fukuda, T ; Nakajima, Y ; Hanajiri, T; Maekawa, T
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTR   22(12) 5277-5280   2012年1月   [査読有り]
Higashi, T; Nagaoka, Y; Minegishi, H; Echigo, A ; Usami, R ; Maekawa, T ; Hanajiri, T
CHEMICAL PHYSICS LETTERS   506(4-6) 239-242   2011年4月   [査読有り]
Nakajima, Y; Watanabe, Y; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   32(3) 237-239   2011年3月   [査読有り]
Takahashi, N; Aki, A ; Ukai, T; Nakajima, Y; Maekawa, T; Hanajiri, T
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL   151(2) 410-415   2011年1月   [査読有り]
Higashi, T; Nakajima, Y; Kojima, M; Ishii, K; Inoue, A ; Maekawa, T; Hanajiri, T
CHEMICAL PHYSICS LETTERS   501(4-6) 461-464   2011年1月   [査読有り]
Kojima, M; Chiba, T; Niishima, J ; Higashi, T ; Fukuda, T ; Nakajima, Y ; Kurosu, S ; Hanajiri, T ; Ishii, K ; Maekawa, T
NANOSCALE RESEARCH LETTERS   6 記事番号: 128   2011年1月   [査読有り]
Nakajima, Y; Toda, T; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   108(12) 記事番号: 124505   2010年12月   [査読有り]
Sensors Based On Carbon Nanotubes and Their Applications: A Review
Varghese, Saino Hanna; Nair, Remya ; Nair, Baiju G.; Hanajiri, T.; Maekawa, T; Yoshida, Y ; Kumar, D. Sakthi
CURRENT NANOSCIENCE   6(4) 331-346   2010年8月   [査読有り]
Kumar, DS; Nair, BG; Varghese, Saino H.;Nair, Remya; Hanajiri, T ; Maekawa, T ; Yoshida, Y
JOURNAL OF BIOMATERIALS APPLICATIONS   24(6) 527-544   2010年2月   [査読有り]
Aki, A; Ito, O; Morimoto, H; Nagaoka, Y; Nakajima, Y; Mizuki, T ; Hanajiri, T; Usami, R ; Maekawa, T
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   104(9) 記事番号: 094509   2008年11月   [査読有り]
Nakajima, Y; Sasaki, K ; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS   29(8) 944-945   2008年8月   [査読有り]
Urushihara, N; Iida, S; Sanada, N ; Suzuki, M ; Paul, DF ; Bryan, S ; Nakajima, Y; Hanajiri, T ; Kakushima, K ; Ahmet, P
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A   26(4) 668-672   2008年7月   [査読有り]
Kajiwara, K; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES   55(7) 1702-1707   2008年7月   [査読有り]
Aki, A; Nihei, Y; Asai, H ; Ukai, T; Morimoto, H ; Nakajima, Y ; Hanajiri, T ; Maekawa, T
SENSORS AND ACTUATORS B-CHEMICAL   131(1) 285-289   2008年4月   [査読有り]
Nishiyama, S; Tajima, M; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Yoshida, Y
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   47(1) 432-437   2008年1月   [査読有り]
Fukuda, T; Maekawa, T; Hasumura, T; Rantonen, Nyrki; Ishii, K; Nakajima, Y; Hanajiri, T; Yoshida, Y; Whitby, Raymond L. D.; Mikhalovsky, S
NEW JOURNAL OF PHYSICS   9(231)    2007年10月   [査読有り]
A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs,ERRATUM to (vol 6, pg 462, 2004)
Nakajima, Y; Tomita, H; Aoto, K; Sasaki, K; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T
THIN SOLID FILMS   488(1-2) 337-339   2005年9月   [査読有り]
Scaling rules for SOI MOSFETs operating in the fully inverted mode
Hanajiri, T; Niizato, M; Aoto, K; Toyabe, T; Nakajima, Y; Morikawa, T; Sugano, T
SOLID-STATE ELECTRONICS   48(10-11) 1943-1946   2004年10月   [査読有り]
A new measurement technique for the characterization of carrier lifetime in thin SOI MOSFETs
Nakajima, Y; Tomita, H; Aoto, K; Sasaki, K; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T
THIN SOLID FILMS   462 6-10   2004年9月   [査読有り]
An approach for quantum mechanical modeling and simulation for MOS devices, covering the whole operation region
Hanajiri, T; Aoto, K; Hoshino, T; Niizato, M; Nakajima, Y; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T; Akagi, Y
COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE   30(3-4) 235-241   2004年8月   [査読有り]
Confirmation of electric properties of traps at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by three-dimensional device simulation
Nakajima, Y; Sasaki, K; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES   24(1-2) 92-95   2004年8月   [査読有り]
Characterization of trap states at silicon-on-insulator (SOI)/buried oxide (BOX) interface by back gate transconductance characteristics in SOI MOSFETs
Nakajima, Y; Tomita, H; Aoto, K; Ito, N; Hanajiri, T; Toyabe, T; Morikawa, T; Sugano, T
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   42(48) 2004-2008   2003年4月   [査読有り]
Suppression of short channel effects by full inversion in deep sub-micron gate SOI MOSFETs
Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T
SOLID-STATE ELECTRONICS   45(12) 2077-2081   2001年12月   [査読有り]
Self-formation of ultra small structures on vicinal Si substrates for nano-device array
Hanajiri, T; Sugano, T
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   210(1-3) 85-89   2000年3月   [査読有り]
Advantages of the asymmetric tunnel barrier for high-density integration of single electron devices
Matsumoto, Y ; Hanajiri, T ; Toyabe, T ; Sugano, T
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   36(6B) 4143-4146   1997年1月   [査読有り]
Single electron device with asymmetric tunnel barriers
Matsumoto, Y; Hanajiri, T; Toyabe, T; Sugano, T
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS   35(2B) 1126-1131   1996年2月   [査読有り]
Electrical and optical properties of phosphorous nitride films formed on InP substrates with photon-assisted chemical vapour deposition
Matsumoto, Y.; Hanajiri, T.; Sugano, T.; Tuyen, L.T.T.; Katoda, T.
Thin Solid Films   269(1-2) 41-46   1994年11月   [査読有り]

Misc

 
Experimental demonstration of advantages of MOSFETs on Silicon On Quartz wafers
K. Sasaki, Y. Miyazawa, K. Kajiwara, T. Yamazaki, Y. Nakajima, T. Hanajiri, T. Toyabe, and T. Sugano
Thin Film Materials and Devices Meeting (TFMD) 2004   91   2004年11月   [査読有り]
花尻 達郎, 新里 昌弘, 鳥谷部 達, 菅野 卓雄, 齋藤 晶, 赤木 与志郎
電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術   100(294) 45-50   2000年9月
量子効果が顕著に発現するデバイス、特に反転層程度の極めて薄い上部Si層を有するSOI MOSFETにおいて、深さ方向に関する量子効果の自己無撞着解と横方向に関するドリフトおよび拡散とを厳密に考慮したデバイスモデリングを考案し、それを用いたデバイスシミュレーションを行ったので報告する。擬フェルミレベルを用いて電流を記述する本方法によればサブスレショルド領域から強反転飽和領域に至る全ての動作領域において、経験的パラメターを用いずに、量子効果を有するMOSデバイスの電気的特性の評価が可能となる。...
Process of Formation of Nitrided Oxides for Asymmetric Tunnel Barriers in Electron Tunneling Devices
T.Hanajiri ,T. Takahashi and T.SUGANO
Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics and Device Application of Quantum Dot Structures   144   2000年9月   [査読有り]
Fabrication of ultra small structures on Si utilizing self-organization
T.Hanajiri and T.SUGANO
The 8th International Conference on Defects-Recognition,Imaging and Physics in Semiconductors   72   1999年8月   [査読有り]
花尻 達郎
精密工学会春季大会. シンポジウム資料   1999 39-42   1999年3月
単電子素子の設計および試作
花尻達郎、菅野卓雄
東洋大学工業技術研究所報告   20 31-35   1998年12月
Performances of Single Electron Devices with Asymmetric Tunnel Barriers
T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano
Proc.of 3rd.Int.Workshop on Quantum Functional Devices   65-66   1997年12月   [査読有り][依頼有り]
Experimental observation of Coulomb Staircase in Asymmetric Tunnel Barrier Sysytem
Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano
Tech. Digest of Int.Electron Devices Meeting   429-432   1996年12月
ナノエレクトロニクスの展望
花尻達郎、松本善哉、菅野卓雄
東洋大学工学部研究報告   31 37-53   1996年12月
Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High Density Integration of Single Electron Devices
Y.Matsumoto,T.Hanajiri,T.Toyabe and T.Sugano
Proc.of Int.Symp.on Formation, Physics snd Device Application of Quantum Dot Structures   144   1996年11月   [査読有り]

担当経験のある科目

 

Works

 
高度通信用高周波デバイスの開発
花尻 達郎   その他   2000年 - 2008年
超低消費電力電子デバイスの為のシミュレーター開発
花尻 達郎   その他   1998年 - 2000年

競争的資金等の研究課題

 
電気泳動コールター法(ECM)を医療用検査機器として実用化する為の新素材の活用
文部科学省: 科研費、基盤研究(C)
研究期間: 2017年4月 - 2020年3月    代表者: 花尻 達郎
ソフトリソグラフィーを駆使したシリコンナノ構造の自在配線
文部科学省: 科研費、基盤研究(C)
研究期間: 2012年4月 - 2015年3月    代表者: 花尻 達郎
セルソーターをトータルシステムとして本気でチップ化するには何が必要か?
文部科学省: 科研費、基盤研究(C)
研究期間: 2009年4月 - 2012年3月    代表者: 花尻 達郎
SOQ基板を何にどう使うか?
文部科学省: 科研費、基盤研究(C)
研究期間: 2006年4月 - 2009年3月    代表者: 花尻 達郎
非対称トンネル障壁を用いた単電子素子回路の設計および試作
文部科学省: 科研費、奨励研究(A)
研究期間: 1998年4月 - 2001年3月    代表者: 花尻 達郎

特許

 
特許5392932 : アモルファスカーボン薄膜作製方法
花尻 達郎
特許5213227 : アモルファスカーボン薄膜作製方法
花尻 達郎
特許5257900 : ゼータ電位測定装置及びゼータ電位測定方法
花尻 達郎
特開平8-97156 : 化合物半導体基板への絶縁膜の低温形成
特開平8-264752 : 複合トンネル障壁構造をもつ電子デバイス単電子素子