赤澤正道 (Masamichi Akazawa) - マイポータル

基本情報

所属: 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター量子マルチメディアシステム研究分野准教授

学位: 博士（工学）(北海道大学)

研究者番号: 30212400
J-GLOBAL ID: 201201021966719061
researchmap会員ID: B000225760

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研究分野

経歴

1995年4月 - 現在

北海道大学, 准教授
1988年11月 - 1995年3月

北海道大学, 助手

学歴

1988年4月 - 1988年10月

北海道大学, 工学研究科, 電気工学専攻
1984年4月 - 1988年3月

北海道大学, 工学部, 電気工学科

委員歴

2019年8月 - 現在

The 14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14), ICNS-14現地実行委員
1995年5月 - 現在

電子情報通信学会, ソサイエティ論文誌編集委員会査読委員
2020年9月 - 2021年11月

固体素子材料コンファレンス, 実行総務
2014年11月 - 2015年10月

2015年固体素子・材料コンファレンス, 実行委員
2002年5月 - 2003年5月

電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究専門委員会幹事
2002年4月 - 2003年3月

応用物理学会, シリコンテクノロジー研究分科会常任出版幹事
2000年11月 - 2002年5月

電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究専門委員会幹事補佐
1995年5月 - 2000年10月

電子情報通信学会, シリコン材料・デバイス研究専門委員会専門員

受賞

2024年3月

The Best Poster Presentation Award, "Effects of SiO₂-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al₂O₃/p-type GaN Interfaces", 16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3–7, 2024)

Yining Jiao, Takahide Nukariya, Umi Takatsu, Taketomo Sato, Masamichi Akazawa
2023年3月

The Best Poster Presentation Awards, "Impact of ultra-high-pressure annealing on interface state density distribution near conduction band at Al₂O₃/Mg-ion-implanted GaN interface", 15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasam2023/IC-PLANTS2023, Gifu University, Gifu, Japan, March 5–9, 2023)

Y. Hatakeyama, M. Akazawa, T. Narita, M. Bockowski, T. Kachi
2016年9月

応用物理学会優秀論文賞, "Characterization of electronic states at insulator/(Al)GaN interfaces for improved insulated gate and surface passivation structures of GaN-based transistors", 応用物理学会

Zenji Yatabe, Yujin Hori, Wan-Cheng Ma, Joel T. Asubar, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato, Tamotsu Hashizume
2013年5月

2013 Paper Awards (He Bong Kim Award), "Characterization and Control of Insulated Gate Interfaces", CSManTech

Tamotsu Hashizume, Masamichi Akazawa
1998年10月

Best Paper Award, "A Functional Neuro-MOS Circuit for Implementing Cellular-Automaton Picture-Processing Devices", the 5th International Conference on Soft Computing and Information/ Intelligent Systems (IIZUKA '98)

M. Ikebe, M. Akazawa, Y. Amemiya
1990年8月

SSDM Young Researcher Award, "In_0.53Ga_0.47As MISFETs Having an Ultrathin MBE Si Interface Control Layer and Photo-CVD SiO₂ Insulator", International Conference on Solid State Devices and Materials

M. Akazawa

論文

117

Effects of low-temperature annealing on net doping profile of Mg-ion-implanted GaN studied by MOS capacitance–voltage measurement

Yuliu Luo, Yuki Hatakeyama, Masamichi Akazawa

Japanese Journal of Applied Physics 62(12) 126501-1-126501-6 2023年10月査読有り最終著者責任著者
Investigation of dominance in near-surface region on electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures using TLM, XPS, and PEC etching techniques

Ryota Ochi, Takuya Togashi, Yoshito Osawa, Fumimasa Horikiri, Hajime Fujikura, Kazunari Fujikawa, Takashi Furuya, Ryota Isono, Masamichi Akazawa, Taketomo Sato

Applied Physics Express 16(9) 091002-1-091002-2 2023年9月査読有り
Investigation of gap states near conduction band edge in vicinity of interface between Mg-ion-implanted GaN and Al2O3 deposited after ultra-high-pressure annealing

Y. Hatakeyama, T. Narita, M. Bockowski, T. Kachi, M. Akazawa

Jpn. J. Appl. Phys. 62(SN) SN1002-1-SN1002-7 2023年7月査読有り最終著者責任著者
Interface state density distribution near conduction band edge at Al₂O₃/Mg-ion-implanted GaN interface formed after activation annealing using AlN cap layer

Yuki Hatakeyama, Masamichi Akazawa

AIP Advances 12(12) 125224-1-125224-7 2022年12月1日査読有り最終著者責任著者
Detection of defect levels in vicinity of Al2O3/ p-type GaN interface using sub-bandgaplight- assisted capacitance–voltage method

Masamichi Akazawa, Yuya Tamamura, Takahide Nukariya, Kouta Kubo, Taketomo Sato, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

Journal of Applied Physics 132(19) 195302-1-195302-10 2022年11月16日査読有り筆頭著者責任著者
Encapsulant-Dependent Effects of Long-Term Low-Temperature Annealing on Interstitial Defects in Mg-Ion-Implanted GaN

Masamichi Akazawa, Shunta Murai, Tetsu Kachi

Journal of Electronic Materials 51(4) 1731-1739 2022年3月査読有り筆頭著者責任著者
Formation of thermally grown SiO2/GaN interface

Masamichi Akazawa, Yuya Kitawaki

AIP Advances 11(8) 085020-1-085020-5 2021年8月1日査読有り筆頭著者責任著者
X-ray photoelectron spectroscopy study on effects of ultra-high-pressure annealing on surface of Mg-ion-implanted GaN

Masamichi Akazawa, Encheng Wu, Hideki Sakurai, Michal Bockowski, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi

Japanese Journal of Applied Physics 60(3) 036503-1-036503-8 2021年3月1日査読有り筆頭著者責任著者
Low-temperature annealing behavior of defects in Mg-ion-implanted GaN studied using MOS diodes and monoenergetic positron beam

Masamichi Akazawa, Ryo Kamoshida, Shunta Murai, Tetsu Kachi, Akira Uedono

Japanese Journal of Applied Physics 60(1) 016502-1-016502-8 2021年1月1日査読有り筆頭著者責任著者
Analysis of simultaneous occurrence of shallow surface Fermi level pinning and deep depletion in MOS diode with Mg-ion-implanted GaN before activation annealing

Masamichi Akazawa, Ryo Kamoshida

Japanese Journal of Applied Physics 59(9) 096502-096502 2020年9月1日査読有り筆頭著者責任著者
Effects of surface treatment on Fermi level pinning at metal/GaN interfaces formed on homoepitaxial GaN layers

Kazuki Isobe, Masamichi Akazawa

Japanese Journal of Applied Physics 59(4) 046506-046506 2020年4月1日査読有り最終著者責任著者
Effects of Dosage Increase on Electrical Properties of Metal‐Oxide‐Semiconductor Diodes with Mg‐Ion‐Implanted GaN Before Activation Annealing

Masamichi Akazawa, Ryo Kamoshida, Shunta Murai, Tetsuo Narita, Masato Omori, Jun Suda, Tetsu Kachi

physica status solidi (b) 257(2) 1900367-1900367 2020年2月査読有り筆頭著者責任著者
Control of plasma-CVD SiO2/InAlN interface by N2O plasma oxidation

M. Akazawa, S. Kitajima, Y. Kitawaki

Jpn. J. Appl. Phys. 58(10) 106504-1-106504-7 2019年10月査読有り筆頭著者責任著者
Control of plasma-CVD SiO2/InAlN interface by ultrathin atomic-layer-deposited Al2O3 interlayer

Masamichi Akazawa, Shouhei Kitajima

Jpn. J. Appl. Phys. 58(SI) SIIB06-1-SIIB06-8 2019年8月査読有り筆頭著者責任著者
Impact of Low-Temperature Annealing on Defect Levels Generated by Mg-Ion-Implanted GaN

Masamichi Akazawa, Kei Uetake

Jpn. J. Appl. Phys. 58(SC) SCCB10-1-SCCB10-6 2019年6月査読有り筆頭著者責任著者
Impact of surface treatment on metal-work-function dependence of barrier height of GaN-on-GaN Schottky barrier diode

Kazuki Isobe, Masamichi Akazawa

AIP Advances 8(11) 115011-1-115011--6 2018年11月査読有り最終著者責任著者
Effect of Insertion of Ultrathin Al2O3 Interlayer at Metal/GaN Interfaces

Masamichi Akazawa, Taito Hasezaki

Physica Status Solidi (B) Basic Research 255(5) 1700382- 1-1700382- 6 2018年5月1日査読有り筆頭著者責任著者
Detection of deep-level defects and reduced carrier concentration in Mg-ion-implanted GaN before higherature annealing

Masamichi Akazawa, Naoshige Yokota, Kei Uetake

AIP Advances 8(2) 025310-1-025310-7 2018年2月1日査読有り筆頭著者責任著者
Reduction of interface state density at SiO2/InAlN interface by inserting ultrathin Al2O3 and plasma oxide interlayers

Masamichi Akazawa, Atsushi Seino

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 254(8) 1600691-1-1600691-6 2017年8月査読有り筆頭著者責任著者
On the origin of interface states at oxide/III-nitride heterojunction interfaces

M. Matys, B. Adamowicz, A. Domanowska, A. Michalewicz, R. Stoklas, M. Akazawa, Z. Yatabe, T. Hashizume

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 120(22) 225305-1-225305-12 2016年12月査読有り

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MISC

ALD-Al₂O₃を有するInAlN MOS構造の電気的特性に対する作製プロセスの影響 (電子デバイス)

千葉勝仁, 中野拓真, 赤澤正道

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 113(329) 101-105 2013年11月28日
コプレーナ伝送線路を用いたサブテラヘルツ1次元周期構造の評価

山崎雄介, 稲船浩司, 赤澤正道, 佐野栄一

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 104(693) 41-46 2005年2月24日
テラヘルツ領域用低損失コプレーナ導波路とそのEBGフィルタへの応用

稲船浩司, 赤澤正道, 佐野栄一

電子情報通信学会技術研究報告. MW, マイクロ波 104(296) 45-49 2004年9月7日
C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用

赤澤正道, 長谷川英機

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2002(2) 59-59 2002年8月20日
酸素プラズマ雰囲気中PLD法により堆積された炭素薄膜の評価

小野智之, 須田善行, 赤澤正道, 菅原広剛, 酒井洋輔, 鈴木薫

電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan 2001 381-386 2001年9月21日
C_7F_<16>を用いたC:F膜の堆積とその評価 : ガス圧依存性および気体混合による効果

鉾井耕司, 赤澤正道, 菅原広剛, 須田善行, 酒井洋輔

電気学会研究会資料. ED, 放電研究会 2001(111) 13-18 2001年8月7日
n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価

庄子亮平, 橋詰保, 吉田俊幸, 赤澤正道, 長谷川英機

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 100(641) 45-52 2001年2月21日
QMESFETの提案と試作

赤澤正道, 葛西誠也, 橋詰保, 長谷川英機

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 100(641) 89-96 2001年2月21日
C-12-3 機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワークLSI

藤原孝信, 赤澤正道, 雨宮好仁

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2000(2) 83-83 2000年9月7日
C-11-8 SOIを用いた絶縁ゲート型MESFETの試作

赤澤正道

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 2000(2) 76-76 2000年9月7日
単電子インバータ回路の設計と多値特性の導出

金編健太郎, 赤澤正道, 雨宮好仁

電子情報通信学会技術研究報告. CAS, 回路とシステム 99(550) 1-8 2000年1月19日
機能変更の可能な三次元セルラーニューラルネットワーク回路

藤原孝信, 赤澤正道, 雨宮好仁

信学総合大会, 2000 128-128 2000年
Arプラズマ雰囲気中でのレーザアブレーション炭素薄膜堆積

西村卓真, 水野学, 須田善行, 酒井洋輔, 赤澤正道

電気学会研究会資料. ED, 放電研究会 1999(148) 79-84 1999年10月19日
レーザアブレーションプルーム(カーボン)の観測

須田善行, 水野学, 西村卓真, BRATESCU M. A., 酒井洋輔, 赤澤正道

電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan 1999 324-329 1999年9月8日
レーザアブレーション法による炭素薄膜の堆積

西村卓真, 水野学, 須田善行, 酒井洋輔, 赤澤正道

電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集 = Proceeding of Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan 1999 317-317 1999年9月8日
C-8-2 多種の終端を持つBDDにもとづく磁束転送論理回路

赤澤正道, 雨宮好仁

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1999(2) 25-25 1999年8月16日
C-12-33 νMOSを用いた三次元セルラーニューラルネットワーク回路

藤原孝信, 赤澤正道, 雨宮好仁

電子情報通信学会ソサイエティ大会講演論文集 1999(2) 103-103 1999年8月16日
ニューロンMOSを用いた3次元セルラーニューラルネットワーク回路の設計

藤原孝信, 赤澤正道, 雨宮好仁

電子情報通信学会技術研究報告. VLD, VLSI設計技術 99(107) 109-116 1999年6月10日
量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解

徳田恵理子, 朝日昇, 赤澤正道, 雨宮好仁

電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング 98(674) 77-82 1999年3月19日
単電子回路によるボルツマンマシンデバイス

山田崇史, 赤澤正道, 雨宮好仁

電子情報通信学会技術研究報告. NC, ニューロコンピューティング 98(673) 115-120 1999年3月18日

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書籍等出版物

第２版応用物理ハンドブック応用物理学会編

赤澤正道 (担当:分担執筆, 範囲:第9章半導体デバイス 9.12半導体センサとトランスデューサ 9.12.1 磁電効果デバイス, p.643; 9.12.2 熱電効果デバイス, p.644; 9.12.4 放射線検出デバイス, p.645.)

丸善 2002年4月
電子情報通信ハンドブック 6-13編新概念集積回路

雨宮好仁, 宮永喜一, 赤澤正道 (担当:分担執筆, 範囲:pp. 808 - 814)

オーム社 1998年6月

講演・口頭発表等

267

Effects of SiO₂-Cap Annealing Prior to Interface Formation on Properties of Al₂O₃/p-type GaN Interfaces

Yining Jiao, Takahide Nukariya, Umi Takatsu, Taketomo Sato, Masamichi Akazawa

16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 17th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science / 13th Asia-Pacific International Symposium on the Basics and Applications of Plasma Technology (ISPlasma2024/IC-PLANTS2024/APSPT-13, Nagoya University, Nagoya, Japan, March 3–7, 2024) 2024年3月4日
MOS-structure based study of defects in Mg-ion-implanted GaN

Y. Hatakeyama, Y. Luo, G. Shindo, M. Akazawa

International Conference on Materials and Systems for Sustainability (ICMaSS2023, Nagoya University, Nagoya, Japan, December 1-3, 2023) 2023年12月2日
MOS interface technologies for high-power and high-frequency GaN transistors (invited)

T. Hashizume, M. Akazawa

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023) 2023年11月14日招待有り
Interface Properties of p-type GaN MOS Structures Examined by Sub-Bandgap-Light-Assisted Capacitance–Voltage Measurement

T. Nukariya, J. Yining, U. Takatsu, T. Sato, M. Akazawa

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023). 2023年11月14日
Detection of Gap States Originated from Ga-Interstitial and Divacancy Defects in Mg-Implanted GaN Using MOS Structures

Y. Hatakeyama, G. Shindo, Y. Luo, M. Akazawa

14th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-14, Hilton Fukuoka Sea Hawk, Fukuoka, Japan, November 12-17, 2023). 2023年11月14日
AlGaN/GaN ヘテロ構造の光電気化学エッチングと反応速度の制御

富樫拓也, 沖勇吾, 大澤由斗, 越智亮太, 赤澤正道, 佐藤威友

2023年秋季応用物理学会学術講演会 2023年9月22日
光電気化学エッチングを施したp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C–V測定

忽滑谷崇秀, 焦一寧, 高津海, 佐藤威友, 赤澤正道

2023年秋季応用物理学会学術講演会 2023年9月22日
MgとNのイオン共注入を行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価

畠山優希, 赤澤正道

2023年秋季応用物理学会学術講演会 2023年9月22日
GaNのコンタクトレス光電気化学（ CL-PEC）エッチングにおける溶液 pHの影響

大澤由斗, 赤澤正道, 佐藤威友

2023年秋季応用物理学会学術講演会 2023年9月21日
Mgイオン打ち込みしたGaNに対する850℃アニールの表面およびバルク欠陥への影響についてのMOS構造を用いた評価

新藤源大, 畠山優希, 赤澤正道

2023年秋季応用物理学会学術講演会 2023年9月21日
Mgイオン注入後低温アニールを行ったGaNのMOS構造を用いた評価

羅宇瀏, 畠山優希, 赤澤正道

2023年秋季応用物理学会学術講演会 2023年9月21日
p-GaN MOS構造界面特性の絶縁膜依存性

焦一寧, 忽滑谷崇秀, 赤澤正道

2023年秋季応用物理学会学術講演会 2023年9月21日
Effects of Long-Term Low-Temperature Annealing on Lightly Mg-Implanted GaN

M. Akazawa, Y. Luo, Y. Hatakeyama

21st International Workshop on Junction Technology (IWJT2023, Kyoto University, Kyoto, Japan, June 8-9, 2023) 2023年6月8日応用物理学会
AlGaN/GaN HEMTs におけるフェルミレベルピンニングに対する PEC エッチングの効果

越智亮太, 富樫拓也, 大澤由斗, 堀切文正, 福原昇, 赤澤正道, 佐藤威友

2023年秋春応用物理学会学術講演会 2023年3月17日
Mgドープp-GaNを用いたMOS構造のサブバンドギャップ光支援C-V特性

忽滑谷崇秀, 玉村祐也, 久保広大, 高津海, 佐藤威友, 赤澤正道

2023年秋春応用物理学会学術講演会 2023年3月16日
Mgイオン注入後超高圧アニールを行ったGaNのMOS界面近傍伝導帯付近禁制帯準位の評価

畠山優希, 赤澤正道, 成田哲生, Michal Bockowski, 加地徹

2023年秋春応用物理学会学術講演会 2023年3月16日
Impact of ultra-high-pressure annealing on interface state density distribution near conduction band at Al₂O₃/Mg-ion-implanted GaN interface

Y. Hatakeyama, M. Akazawa, T. Narita, M. Bockowski, T. Kachi

15th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/ 16th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasam2023/IC-PLANTS2023, Gifu University, Gifu, Japan, March 5–9, 2023) 2023年3月7日
Impact of photoelectrochemical etching on Al2O3/p-GaN interface

M. Akazawa, T. Nukariya, Y. Tamamura, K. Kubo, T. Sato

2022 Internationa Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2022) 2022年10月10日
GaN MOS界面制御とパワートランジスタ応用

橋詰保, 赤澤正道

2022年秋季応用物理学会学術講演会シンポジウム 2022年9月21日招待有り
低濃度Mgイオン注入後高温キャップアニールしたGaNにおける伝導帯付近界面準位のn-GaN MOS構造を利用した評価

畠山優希, 赤澤正道

2022年秋季応用物理学会学術講演会 2022年9月20日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

佐藤威友, 三好実人, 赤澤正道
革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業（パワーデバイス領域）

文部科学省委託事業（再委託） 2021年4月 - 2025年3月

須田淳
GaN結晶の表面近傍点欠陥の評価・低減に関する研究

株式会社サイオクス共同研究 2022年4月 - 2023年3月

赤澤正道, 藤倉序章、堀切文正、金木将太
パワーデバイス向け窒化物半導体上シリコン熱酸化膜形成技術の確立

公益財団法人八洲環境技術振興財団研究開発・調査助成 2020年4月 - 2021年3月
省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発（パワーデバイス・システム領域）

文部科学省科学技術試験研究委託事業 2016年4月 - 2021年3月

加地徹
特異構造を含む異種接合の界面制御と電子デバイス展開

文部科学省科学研究費補助金（新学術領域研究） 2016年4月 - 2021年3月

橋詰保
高温熱処理アルミナ超薄膜による絶縁体／窒化インジウムアルミニウム界面の制御と応用

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(C)) 2015年4月 - 2018年3月

赤澤正道
窒化インジウムアルミニウム混晶表面・界面におけるフェルミ準位ピンニングの制御

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(C)) 基盤研究(C) 2012年4月 - 2015年3月

赤澤正道
電子準位制御と新ゲート構造による窒化ガリウム系トランジスタの高信頼化

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(A)) 基盤研究(A) 2009年 - 2012年

橋詰保, 古賀裕明, 久保俊晴, 佐藤威友, 赤澤正道
化合物半導体MIS界面準位に関するピンニング・スポット面内分布モデル

文部科学省科学研究費補助金(萌芽研究) 萌芽研究 2008年 - 2008年

長谷川英機, 赤澤正道
窒化ガリウムナノ細線を用いた化学センサとその集積化センサチップへの展開

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2006年 - 2007年

長谷川英機, 赤澤正道, 池辺将之
電界移動型量子ドットを用いた室温動作高速・超低消費電力単電子スイッチ素子の研究

文部科学省科学研究費補助金(萌芽研究) 萌芽研究 2006年 - 2006年

長谷川英機, 赤澤正道
テラヘルツ電磁波をキャリアとするユビキスチップ間通信回路の研究

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2004年 - 2006年

佐野栄一, 赤澤正道, 山本眞史, 尾辻泰一
金属薄膜メッシュを用いた高効率半導体テラヘルツ波放射源の研究

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(C)) 基盤研究(C) 2004年 - 2005年

赤澤正道, 佐野栄一
カオス多重による超大容量光通信の研究

文部科学省科学研究費補助金(萌芽研究) 萌芽研究 2004年 - 2005年

佐野栄一, 赤澤正道
窒化ガリウム系超高速・ハイパワートランジスタ構造の表面・界面制御

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2002年 - 2004年

橋詰保, 赤澤正道, 葛西誠也, 本久順一
ナノショットキーゲート制御量子ドットによるBDDアーキテクチャ単電子集積回路

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(A)) 基盤研究(A) 2001年 - 2003年

長谷川英機, 赤澤正道, 橋詰保, 雨宮好仁, 葛西誠也
低誘電率・高絶縁耐力プラズマ堆積C_xF_y膜を用いたSF_6代替絶縁方式の開発

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2001年 - 2003年

酒井洋輔, Bratescu A, 赤澤正道, 菅原広剛, 中島昌俊, 須田善行
可逆計算デバイスの実現に関する基礎的研究

文部科学省科学研究費補助金(奨励研究(A), 若手研究(B)) 奨励研究(A), 若手研究(B) 2001年 - 2002年

赤澤正道
ボルテックスを利用した機能回路の開拓

文部科学省科学研究費補助金(特定領域研究(A)) 特定領域研究(A) 1999年 - 1999年

赤澤正道

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特願2011-208741 電界効果トランジスタおよびその製造方法

橋詰保, 赤澤正道, 廣木正伸

赤澤正道

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