江川孝志 (Takashi Egawa) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋工業大学教授

研究者番号: 00232934
J-GLOBAL ID: 200901000303628299
researchmap会員ID: 1000025166

外部リンク: http://www.nitech.ac.jp/gene_inf/g60/g60_050/RENDES.html

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 /

委員歴

2008年4月 - 現在

文部科学省科学技術政策研究所, 専門調査委員
2019年4月 - 2020年3月

ISPlasma 2020/IC-PLANTS2020組織委員会委員
2018年4月 - 2019年3月

ISPlasma 2019/IC-PLANTS2019組織委員会委員
2017年4月 - 2018年3月

ISPlasma 2018/IC-PLANTS2018組織委員会委員
2015年10月 - 2018年3月

名古屋大学未来材料・システム研究所, 共同利用・共同研究委員会委員
2016年4月 - 2017年3月

ISPlasma 2017/IC-PLANTS2017組織委員会委員
2014年7月 - 2016年3月

ISPlasma 2015/IC-PLANTS2015編集委員会委員

受賞

2022年9月

第25回エレクトロニクスソサイエティ賞, シリコン基板上窒化物パワー半導体の先駆的研究, 電子情報通信学会

江川孝志
2021年10月

2021年日本結晶成長学会第16回業績賞および赤﨑勇賞, シリコン基板上窒化物パワー半導体の開拓及び実用化, 日本結晶成長学会

江川孝志
2017年3月

Best Presentation Award at ISPlasma2017/IC-PLANT2017, Impacts of Oxidants for ALD Process on Al2O3/GaN Interface Properties, ISPlasma2017/IC-PLANT2017 Organizing Committee

N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu
2015年8月

第13回産学官連携功労者表彰科学技術政策担当大臣賞, 内閣府

江川孝志
2013年7月

第38回（平成25年）井上春成賞受賞, 井上春成賞委員会

江川孝志
2010年8月

日本結晶成長学会賞第１７回技術賞, 日本結晶成長学会

江川孝志, 梅野正義
2010年4月

平成２２年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞（科学技術振興部門）, 文部科学省

江川孝志
1996年5月

第20回レーザー研究業績賞「論文賞（解説部門）」, 社団法人レーザー学会

江川孝志, 長谷川義晃, 梅野正義, 神保孝志
1991年6月

第3回小平記念賞, 財団法人小平記念会

江川孝志, 梅野正義, 神保孝志
1991年5月

第47回電気学会電気学術振興賞（進歩賞）, 電気学会

江川孝志, 梅野正義, 神保孝志

論文

230

GaN/InGaN gate for E-mode GaN HEMTs on Si

D. Biswas, T. Tsuboi, T. Egawa

IEEE EDL 2020年12月査読有り
Mass production-ready characteristics of AlGaN/AlN/GaN high-electron-mobility transistor structures grown on 200-mm-diameter silicon substrates using metal-organic chemical vapor deposition

K. Ikejiri, Y. Hiroyama, K. Kasahara, C. Hirooka, T. Osada, M. Tanaka, T. Takada, T. Egawa

Semicond. Sci. Technol. 2020年10月22日
Investigation of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on Silicon (111) substrates employing multi-stacked strained layer superlattice structures

P. Dalapati, S. Urata, T. Egawa

Superlattices and Microstructures 147 106709-1-106709-10 2020年9月18日査読有り
Electrical characterization of Si-doped conductive AlInN films grown nearly lattice-matched to c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

M. Miyoshi, T. Nakabayashi, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi

J. Vac. Sci. Technol. B 38(5) 052205-1-052205-5 2020年9月11日査読有り
Current-induced degradation process in (In)AlGaN-based deep-UV light-emitting diode fabricated on AlN/sapphire template

Pradip Dalapati, KosukeYamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Optical Materials 109 110352-1-110352-6 2020年8月18日査読有り
MOCVD growth of over 150-nm-thick quaternary AlGaInN epitaxial films near alloy compositions lattice-matching to GaN on sapphire and their structural and optical characterization

M. Miyoshi, H. Harada, T. Egawa, T. Takeuchi

Physica Status Solidi A 1900597-1-1900597-6 2019年10月10日査読有り
High-breakdown-voltage AlGaN-channel metal-insulator-semiconductor heterostructure field-effect transistors employing a quaternary AlGaInN barrier layer and an Al2O3 gate insulator

Daiki Hosomi, Keita Furuoka, Heng Chen, Saki Saito, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

J. Vac. Sci. Technol. B 37(4) 041205-1-041205-4 2019年7月19日査読有り
Electron-spin-resonance studies of AlGaN/GaN MIS-HEMT structures with Al2O3 fabricated by atomic layer deposition

Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

Physica B: Condensed Matter 571 210-212 2019年7月17日査読有り
Effect of In composition on electrical performance of AlInGaN/GaN-based metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors (MIS-HEMTs) on Si

Debaleen Biswas, Hirotaka Fujita, Naoki Torii, Takashi Egawa

J. Appl. Phys. 125(22) 225707-1-225707-6 2019年6月13日査読有り
A 300 nm thick epitaxial AlInN film with a highly flat surface grown almost perfectly lattice-matched to c-plane free-standing GaN substrate

M. Miyoshi, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi

Jpn. J. Appl. Phys. 58 SC1006-1-SC1006-4 2019年4月16日査読有り
Trap state characterization of Al2O3/AlInGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructures

D. Biswas, N. Torii, H. Fujita, T. Yoshida, T. Kubo, T. Egawa

Semicond. Sci. Technol. 34 055014-1-055014-6 2019年4月9日査読有り
Demonstration of fully-vertical GaN-on-Si power MOSFETs using regrowth technique

D. Biswas, N. Torii, K. Yamamoto, T. Egawa

Electron. Lett. 55(7) 404-406 2019年4月4日査読有り
Effect of threading dislocation in an AlN nucleation layer and vertical leakage current in an AlGaN/GaN high-electron mobility transistor structure on a silicon substrate

Yuya Yamaoka, Akinori Ubukata, Yoshiki Yano, Toshiya Tabuchi, Koh Matsumoto, Takashi Egawa

Semicond. Sci. Technol. 34(3) 035015-1-035015-6 2019年2月6日査読有り
Microstructure variation in thick AlInN films grown on c-plane GaN on sapphire by metalorganic chemical vapor deposition

Makoto Miyoshi, Mizuki Yamanaka, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi

J. Crystal Growth 506 40-44 2019年1月15日査読有り
Experimental evidence of the existence of multiple charged states at Al2O3/GaN interfaces

N. Taoka, T. Kubo, T. Yamada, T. Egawa, M. Shimizu

Semicond. Sci. Technol. 34(2) 025009-1-025009-7 2019年1月10日査読有り
Influence of Quantum-Well Number and an AlN Electron Blocking Layer on the Electroluminescence Properties of AlGaN Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes

S. Tan, J. Zhang, T. Egawa, G. Chen

Applied Sciences 8 2402-1-2402-9 2018年11月26日査読有り
Dynamic variation of carrier transport properties of recessed Au-free ohmic contacts to InAlN/AlN/GaN on Si-wafer

Takahiro Yoshida, Takashi Egawa

Jpn. J. Appl. Phys. 57(11) 110302-1-110302-4 2018年9月28日査読有り
Hydrogen induced quality improvement of GaNAs layers grown by chemical beam epitaxy

Y. Sun, Z. Cheng, K. Sheng, Q. Zhou, Y. Sun, P. Chen, N. Zhuo, H. Wang, X. Yu, M. Heuken …

J. Crys. Growth 500 11-14 2018年8月7日査読有り
Role of thin Ti layer in formation mechanism of low temperature-annealed Ti/Al-based ohmic contact on AlGaN/GaN heterostructure

Takahiro Yoshida, Takashi Egawa

Semicond. Sci. Technol. 32(7) 075006-1-075006-8 2018年6月4日査読有り
Enhancement of breakdown voltage for fully-vertical GaN-on-Si p-n diode by using strained layer superlattice as drift layer

S. Mase, T. Hamada, J. J. Freedsman, T. Egawa

Semicond. Sci. Technol. 33 065017-1-065017-4 2018年5月21日査読有り

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MISC

MOCVD法を用いたSi基板上GaN系パワーデバイス

江川孝志

Magnetics Jpn. 11(5) 260-263 2016年11月査読有り招待有り
Si基板上AlGaN/GaN HEMTを用いたパワーデバイス

江川孝志

セラミックス 51(2) 98-100 2016年2月査読有り招待有り
ノーマリオフGaNトランジスタのパワーエレクトロニクス応用

江川孝志

エネルギーデバイス 2(6) 62-64 2015年8月査読有り招待有り
GaN半導体の研究開発の動向と今後の展開

江川孝志

電気評論 34-38 2013年10月
Si基板上へのGaN単結晶の成長とデバイス応用

江川孝志

応用物理学会誌 81(6) 485-488 2012年6月

書籍等出版物

パワーエレクトロニクスの新展開（普及版）

大橋弘道, 江川孝志 (担当:分担執筆)

（株）シーエムシ―出版 2015年8月10日 (ISBN: 9784781310299)
次世代パワー半導体の高性能化とその産業展開

佐藤克己, 江川孝志 (担当:分担執筆)

（株）シーエムシ―出版 2015年6月10日 (ISBN: 9784781310763)
2015パワーデバイス技術大全

江川孝志 (担当:共著)

株式会社電子ジャーナル 2014年7月10日
GaNパワー半導体を活用した研究開発テーマの発掘

江川孝志 (担当:共著)

技術情報協会 2013年7月31日
GaNパワーデバイスの技術展開

江川孝志他 (担当:共著)

サイエンス＆テクノロジー㈱ 2012年4月25日 (ISBN: 9784864280440)
電子デバイス

(担当:共著)

オーム社 1997年10月
Electronic Devices

Ohmsha Ltd. 1997年4月
Ultrafast and Ultra-parallel Optoelectronics

(担当:共著)

Ohmsha Ltd. 1995年4月

講演・口頭発表等

353

ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会11月研究会 2020年11月26日
選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET

井上暁喜, 原田紘希, 山中瑞樹, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会11月研究会 2020年11月26日
光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討

山本皓介, Pradip Dalapati, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会11月研究会 2020年11月26日
エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究

中林泰希, 江川孝志, 三好実人, 竹内哲也

電子情報通信学会11月研究会 2020年11月26日
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解カソードルミネッセンス

李リヤン,嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日
ALD により成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMT の電気特性 Ⅱ

横井駿一, 久保俊晴, 江川孝志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日
AlInNエピタキシャル膜へのSiドーピングとその縦方向導電性評価

三好実人, 中林泰希, 山中瑞樹, 江川孝志, 竹内哲也

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
Si基板上縦型GaNショットキーバリアダイオードの試作

檀上京之介, 水谷凌, 山本圭司, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
転写フリーグラフェンFET の電気特性に対するNi金属触媒の結晶性の効果

小林幹, ドルジダウガビルグーン, 高橋明空, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
SLS層によるAlGaN/GaN HEMT構造の転位低減

浦田峻佑, キムヒョンス, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
コンタクト抵抗を改善したAlGaNチャネルHFETのデバイス特性評価

三好実人, ChenHeng, 斉藤早紀, 井上暁喜, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性

横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
GaNに格子整合するc面AlInN薄膜の空間分解陰極線ルミネッセンス

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

第67回応用物理学会春季学術講演会 2020年3月12日
Estimation of electrical properties of AlGaN/GaN MIS-HEMTs with SiO2/Al2O3 double-layer insulators fabricated by atomic layer deposition

Shunichi Yokoi, Keita Furuoka, Toshiharu Kubo, Takashi Egawa

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science 2020年3月8日
Effect of crystal quality of Ni metal catalyst on electrical properties of transfer-free graphene FETs

Motoki Kobayashi, Bilguun Dorjdagva, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science 2020年3月8日
GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価

原田紘希, 三好実人, 江川孝志, 竹内哲也

電子情報通信学会研究会 2019年11月21日
MOCVD法によるGaN、GaInN上への厚膜AlInN膜のエピタキシャル成長

山中瑞樹, 三好実人, 江川孝志, 岡田成仁, 只友一行, 竹内哲也

電子情報通信学会研究会 2019年11月21日
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTのデバイス特性評価

横井駿一, 古岡啓太, 久保俊晴, 江川孝志

電子情報通信学会研究会 2019年11月21日
Recent Progress in GaN-on-Si Based Fully-vertical p-n Diode

D. Biswas, N. Torii, K. Yamamoto, T. Egawa

The 9th International Conference on Electronics, Communications and Networks (CECNet 2019) 2019年10月18日招待有り
転写フリーグラェンの結晶性に及ぼすNi金属触媒の結晶性の効果

小林幹, Dorjdagva Bilguun, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第80回応用物理学会秋季学術講演会 2019年9月18日

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所属学協会

レーザー学会

Works(作品等)

有機金属気相成長法を用いた短波長フォトディテクターの研究開発

2001年4月 - 現在その他
電子デバイス用GaN系化合物半導体材料の研究開発

2001年4月 - 現在その他
有機金属気相成長法を用いたシリコン基板上の高輝度窒化ガリウム系発光ダイオードの研究開発

2001年4月 - 現在その他
窒化ガリウム系半導体を用いた青・緑・赤色発光ダイオードの研究開発

2001年4月 - 現在その他
高周波・電力用ＧａＮ系ＨＥＭＴのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究開発

2001年4月 - 現在その他
大口径Si基板上の超高周波ＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴの研究開発

2001年4月 - 現在その他
ＩｎＡｌＧａＮ/ＧａＮヘテロ構造の研究

2001年4月 - 現在その他
ＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴのヘテロエピタキシャル成長技術に関する研究

2001年4月 - 現在その他
超高周波用窒化物半導体ヘテロ接合トランジスタの開発研究

2001年4月 - 現在その他
有機金属気相成長法を用いた通信放送衛星用ＡｌＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴの研究開発

2001年4月その他
高周波・電力用ＧａＮ系ＨＥＭＴの結晶成長技術に関する研究開発

2000年4月その他
ＳｉＣ基板上のＡｌＧａＮ/GaＮ構造の研究開発

2000年4月その他
有機金属気相成長法を用いた通信放送衛星用ＧａＮ系ＨＥＭＴの研究開発

2000年4月その他
窒化ガリウム系半導体を用いた青・緑・赤色発光ダイオードの研究開発

2000年4月その他
有機金属気相成長法を用いたシリコン基板上の窒化ガリウム系発光ダイオードの研究開発

2000年4月その他
半導体技術を用いた加速度応動素子に関する研究開発

2000年4月その他
半導体技術を用いた加速度応動素子に関する研究開発

1999年4月その他
次世代集積光ピックアップを目指した光集積化技術に関する研究

1997年4月その他
加速度応動素子の研究開発

1997年4月その他
MOCVDの原料に関する研究

1997年4月その他

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共同研究・競争的資金等の研究課題

窒化物半導体を用いた光電子素子

1991年4月 - 現在
シリコン基板上へテロエピタシキャシャル成長及びデバイスへの応用

1991年4月 - 現在
省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発

受託研究（一般受託研究） 2016年1月 - 2016年6月