奥村次徳 (Tsugunori Okumura) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(東京大学)

J-GLOBAL ID: 200901077462480211
researchmap会員ID: 1000053492

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研究分野

経歴

2016年4月 - 現在

(地独)東京都立産業技術研究センター, 理事長
2011年4月 - 2016年3月

首都大学東京, 副学長
2009年4月 - 2012年3月

首都大学東京都市教養学部, 学部長／教授
2006年4月 - 2009年3月

同上大学院理工学研究科長
2006年4月 - 2009年3月

Prof./Dean, Graduate School of Science & Engineering, Tokyo Metropolitan University.
2005年4月 - 2009年3月

首都大学東京（統合再編）, 理工学系長／教授
1989年4月 - 2005年3月

東京都立大学工学部, 教授
1978年4月 - 1989年3月

東京都立大学工学部, 助教授
1981年7月 - 1982年7月

IBMワトソンリサーチセンタ, 客員研究員

学歴

1973年5月 - 1978年3月

東京大学, 工学系研究科, 電子工学
1969年4月 - 1973年3月

京都大学, 工学部, 電子工学

委員歴

2013年5月 - 現在

（独）新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）, 技術委員
2011年5月 - 現在

（独）日本学術振興会, 博士課程教育リーディングプログラム委員会
2008年6月 - 現在

（社）首都圏産業活性化協会, 会長（2014.6から）
2008年4月 - 現在

（独）大学評価・学位授与機構, 学位審査会専門委員
2006年10月 - 現在

日本学術会議, 連携会員（総合工学委員会）
2006年 - 現在

Associate Member of The Science Council of Japan
1997年4月 - 現在

（独）日本学術振興会, 結晶加工と評価技術第145委員会（現在運営委員・幹事）
1993年4月 - 現在

（独）日本学術振興会, 半導体界面制御技術第154委員会（現在副委員長）
2009年5月 - 2011年3月

（独）日本学術振興会, 特別研究員等審査会委員
2008年3月 - 2010年3月

（社）応用物理学会, 副会長（会長特別補佐）
2008年 - 2010年

The Japan Society of Applied Physics, Vice President, Executive Director, Boad Member, Division Chief
2003年 - 2006年

The Institute of Eletrical Engineers in Japan, Chair of Technical Committee of Electronic Materials
2003年1月 - 2004年9月

（独）日本学術振興会, 科学研究費委員会専門委員
2002年5月 - 2004年3月

新エネルギー・産業技術総合開発機構（ＮＥＤＯ）, 技術委員
2002年 - 2004年

Technical Committee Member of NEDO
2001年3月 - 2003年3月

（社）応用物理学会, 理事
1999年7月 - 2000年3月

（財）大学基準協会, 工学系専門審査分科会委員
電気学会, 電子材料技術委員会委員長、調査専門委員会委員長
電子情報通信学会, 査読委員
応用物理学会, 副会長、理事、評議員、分科会幹事長

受賞

2007年

応用物理学会フェロー表彰
2007年

Fellow Award (Japan Society of Applied Physics)

論文

Effects of plasma-induced defects on electrical characteristics of AlGaN/GaN heterostructure before and after low-temperature annealing

Takuma Takimoto, Koji Takeshita, Seiji Nakamura, Tsugunori Okumura

THIN SOLID FILMS 557 212-215 2014年4月査読有り
Anomalous Enhancement of In-Diffusion of Plasma-Induced Defects in GaN upon Ultraviolet-Light Irradiation

Seiji Nakamura, Koichi Hoshino, Yuki Ikadai, Masayuki Suda, Tsugunori Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(8) 088001-088003 2013年8月査読有り
Detection of ppm-order hydrogen gas by Pd/AlGaN/GaN high electron mobility transistor-based sensors

Seiji Nakamura, Noriyuki Takahashi, Tsugunori Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6 S1053-S1055 2009年査読有り
Deep-Trap Stress Induced Leakage Current Model for Nominal and Weak Oxides

Shiro Kamohara, Chenming Hu, Tsugunori Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(8) 6208-6213 2008年8月査読有り
Statistical p–n Junction Leakage Model via Trap Level Fluctuation for Refresh-Time-Oriented Dynamic Random Access Memory Design

Shiro Kamohara, Katsuhiko Kubota, Masahiro Moniwa, Tsugunori Okumura

Jpn. J. Appl. Phys. 47(7) 5304-5308 2008年7月査読有り
New physical model to explain logarithmic time dependence of data retention in flash EEPROM

Shiro Kamohara, Tsugunori Okumura

APPLIED SURFACE SCIENCE 254(19) 6174-6176 2008年7月査読有り
Photo-enhanced reactivation of Si donors deactivated by plasma-induced defects in n-type GaN

Seiji Nakamura, Yuki Ikadai, Masayuki Suda, Michihiko Suhara, Tsugunori Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2581-+ 2007年
Photo-enhanced reactivation of Si donors deactivated by plasma-induced defects in n-type GaN

Seiji Nakamura, Yuki Ikadai, Masayuki Suda, Michihiko Suhara, Tsugunori Okumura

PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 4 NO 7 2007 4(7) 2581-+ 2007年
Scanning Kelvin-probe characterization of heavy metal contamination in patterned SIMOX wafers

S Nakamura, H Ikeda, D Watanabe, M Suhara, T Okumura

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS 27(1-3) 491-493 2004年7月
Room-temperature diffusion of evaporated Fe atom into SOI materials characterized by scanning Kelvin-SPV method

S Nakamura, H Ikeda, D Watanabe, M Suhara, T Okumura

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS 27(1-3) 487-489 2004年7月
Scanning Kelvin-probe characterization of heavy metal contamination in patterned SIMOX wafers

S Nakamura, H Ikeda, D Watanabe, M Suhara, T Okumura

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS 27(1-3) 491-493 2004年7月
Room-temperature diffusion of evaporated Fe atom into SOI materials characterized by scanning Kelvin-SPV method

S Nakamura, H Ikeda, D Watanabe, M Suhara, T Okumura

EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL-APPLIED PHYSICS 27(1-3) 487-489 2004年7月
Contactless electrical characterization of surface and interface of SOI materials

S Nakamura, D Watanabe, A En, M Suhara, T Okumura

APPLIED SURFACE SCIENCE 216(1-4) 113-118 2003年6月
Anomalously large band-bending for HF-treated p-Si surfaces

D Watanabe, A En, S Nakamura, M Suhara, T Okumura

APPLIED SURFACE SCIENCE 216(1-4) 24-29 2003年6月
Contactless electrical characterization of surface and interface of SOI materials

S Nakamura, D Watanabe, A En, M Suhara, T Okumura

APPLIED SURFACE SCIENCE 216(1-4) 113-118 2003年6月
Anomalously large band-bending for HF-treated p-Si surfaces

D Watanabe, A En, S Nakamura, M Suhara, T Okumura

APPLIED SURFACE SCIENCE 216(1-4) 24-29 2003年6月
Deep center passivation in 3C-SiC by hydrogen plasma with a grid for damage suppression

M Kato, F Sobue, M Ichimura, E Arai, N Yamada, Y Tokuda, T Okumura

SOLID-STATE ELECTRONICS 46(12) 2099-2104 2002年12月
Deep center passivation in 3C-SiC by hydrogen plasma with a grid for damage suppression

M Kato, F Sobue, M Ichimura, E Arai, N Yamada, Y Tokuda, T Okumura

SOLID-STATE ELECTRONICS 46(12) 2099-2104 2002年12月
Size effects on photoacoustic spectra for GaAs fine powder

T Kawahara, A Kimura, M Ninomiya, Y Sato, Y Okamoto, J Morimoto, T Miyakawa, T Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 41(5B) 3363-3366 2002年5月
Size effects on photoacoustic spectra for GaAs fine powder

T Kawahara, A Kimura, M Ninomiya, Y Sato, Y Okamoto, J Morimoto, T Miyakawa, T Okumura

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 41(5B) 3363-3366 2002年5月

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MISC

半導体への不純物ドーピング

奥村次徳

応用物理 68(9) 1054-1059 1999年
シリコン結晶中のFe-B対およびAuのDLTS評価:ラウンドロビン測定の結課

電子工業月報 406 48 1996年
顕微光応答法によるショットキー障壁高さの局所領域評価

奥村次徳

まてりあ 34(7) 883-888 1995年
走査型内部光電子放出顕微境

表面技術 42(2) 215 1991年
キャパシタンス法による「EL2」の測定と結果の解釈

応用物理 57(1) 1988年

書籍等出版物

電子物性工学（電子情報通信レクチャーシリーズ C-16）

奥村次徳

コロナ社 2013年12月 (ISBN: 9784339018509)
電子材料ハンドブック

朝倉書店 2006年 (ISBN: 4254221517)
電気電子材料－基礎から試験法まで－

電気学会（オーム社） 2006年 (ISBN: 4886862527)
高周波半導体材料・デバイスの新展開

シーエムシー出版 2006年 (ISBN: 4882315823)
Formation of Semiconductor Interfaces

Elsevier 2002年
Formation of Semiconductor Interfaces

Elsevier 2002年
Defects in Optoelectronic Materials

Gordon & Breach 2001年
Defects in Optoelectronic Materials

Gordon & Breach 2001年
Kelvin-SPV measurements of atomically-flat Si(111)surfaces contaminated with metallic ions

Solid State Phenomena 1999年
Deep-level transient spectroscopy

Encyclopedia of Electrical and Electronic Engineering, ed. J. G. Webster 1999年
Encyclopedia of Electrical and Electronic Engineering, ed. J. G. Webster (Deep-level transient spectroscopy）

Wiley 1999年
Deep-level transient spectroscopy

Encyclopedia of Electrical and Electronic Engineering, ed. J. G. Webster(Wiley, NY, 1999) 1999年
Hydrogen-related issues in GaAs Schottky Contacts

Extended abstract of 1999 International Conference on GaAs Manufacturing Technology(MANTECH), Vancouver 1999年
IS an ARSENIC-antisite-defect a CONSTITUENT OF HYDROGEN-RELATED METASTABLE DEFECTS(M3/M4)in GaAs?

Proc. of the Materials Research Society 1998年
Relationship between Hydrogen-related Metastable Defects and EL2-level in GaAs crystals

Proc. of the Materials Research Society 1997年
Relationship between introduction of plasma-induced defect levels and change of shallow donor profiles in n-GaAs

Proc. ECS : 27th State-of-the-art program on compound semicondiuctors(SOTAPOCS XXVII), Paris 1997年
Realization of uniform Ni/Al/Ni/n-InP contact with high SBH by optimization of Al thickness

Proc. ESC : 27th State-of-the-art program on compound semicondiuctors(SOTAPOCS XXVII), Paris 1997年
Microscopic Correspondence between Schottky-Barrier Height and Interface Morphology at Thermally Degraded Al/(111)Si Contacts

Inst. Phys. Conf. Ser. (IOP, Bristol) 1996年
Scanning Internal-Photoemission Microscopy : An Imaging Technique to Reveal Microscopic Inhomogeneity at Metal-Semiconductor Interfaces

Inst. Phys. Conf. Ser. (IOP, Bristol) 1996年
Microscopic Correspondence between Schottky-Barrier Height and Interface Morphology at Thermally Degraded Al/(111)Si Contacts

Inst. Phys. Conf. Ser. (IOP, Bristol) 1996年

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講演・口頭発表等

Defects formation in III-Nitride dry process, compared with other conventional III-V

2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2010年招待有り
Defects formation in III-Nitride dry process, compared with other conventional III-V

2nd International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 2010年
Noncontact Characterization of Thin SOI Materials by the Kelvin-probe Method

The 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2001年
Contactless characterization of surface and interface band-bending in silicon-on-insulator (SOI) structures

The 9th International Conference on Defects : Recognition, Imaging and Defects in Semiconductors (DRIP-IX), Italy 2001年
Noncontact Characterization of Thin SOI Materials by the Kelvin-probe Method

The 8th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces 2001年
Contactless characterization of surface and interface band-bending in silicon-on-insulator (SOI) structures

The 9th International Conference on Defects : Recognition, Imaging and Defects in Semiconductors (DRIP-IX), Italy 2001年
Hydrogen-related issues in GaAs Schottky Contacts

1999 International Conference on GaAs Manufacturing Technology (MANTECH), Vancouver 1999年
Hydrogen-related issues in GaAs Schottky Contacts

1999 International Conference on GaAs Manufacturing Technology (MANTECH), Vancouver 1999年
Scanning internal-Photoemission Microscopy: An Imaging Technique to Reveal Microscopic Inhomogeneity at Metal-Semiconductor Interfaces

The 6th International Conf. Defect Recognition and Image Processing of Semiconductors and Devices, Colorado (DRIP 6) 1995年
Scanning internal-Photoemission Microscopy: An Imaging Technique to Reveal Microscopic Inhomogeneity at Metal-Semiconductor Interfaces

The 6th International Conf. Defect Recognition and Image Processing of Semiconductors and Devices, Colorado (DRIP 6) （ 1995年
Photoelectrochemical Process for Fabrication of Abrupt Metal-GaAs interfaces

The 186th ECS Meeting 1994年
Photoelectrochemical Process for Fabrication of Abrupt Metal-GaAs interfaces

The 186th ECS Meeting 1994年
Fabrication of ideal Schottky contacts to GaAs by Electrochemical Deposition with In-Situ Anodic Etching

The 34th Electronic Materials Conf., Boston, USA 1992年
Fabrication of ideal Schottky contacts to GaAs by Electrochemical Deposition with In-Situ Anodic Etching

The 34th Electronic Materials Conf., Boston 1992年

所属学協会

Works(作品等)

Electrical characterization of poly-Si thin films

2002年 - 現在
化合物半導体のプロセスダメージの評価

1995年 - 現在
Characterization technique of compound semiconductors for optoelectronic devices

1995年 - 現在
Reliability Physics of Semiconductor Devices

1995年 - 現在
デバイス高信頼化の研究

1995年 - 2010年
ナノメータ・デバイス対応のSOIウェーハに対する極限評価技術の開発

1999年 - 2004年
Ultimate characterization technique of SOI wafer for the nano-scale LSI devices

1999年 - 2003年

共同研究・競争的資金等の研究課題

極薄シリコン層の非接触電気特性評価

未来開拓学術研究推進事業 1999年 - 2003年
Contactless Electrical Characterization of Ultrathin Silicon Layers

Research for the Future Program 1999年 - 2003年
半導体におけるプロセス誘起欠陥発生とデバイスの信頼性

1993年
Process-Induced Defect Formation and Relaiblity Issues in Semiconductor Devices

1993年
ショットキー接触の形成と界面の微視的評価

1981年
Formation and Microscopic Characterization of Schottky Contacts

1981年
半導体結晶・デバイス中の不純物と欠陥の評価

1973年
Characterization of Crystalline Defects in Semiconductor Materials and Devices

1973年
化合物半導体電子デバイスの高性能化・高信頼性化のための基礎的アプローチ
半導体評価技術
Material and Process Issues on Performance and Reliablity of Compound Semiconductor Devices
Characterization of Semiconductor Devices and Related Materials