矢野裕司 (Hiroshi Yano) - マイポータル

基本情報

所属: 筑波大学数理物質系准教授

研究者番号: 40335485
J-GLOBAL ID: 200901091750431201
researchmap会員ID: 1000258391

委員歴

2023年4月 - 現在

SiCアライアンス, 技術・普及WG/グループリーダー
2022年10月 - 現在

SSDM 2023, プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員
2022年10月 - 現在

ICSCRM 2023, プログラム委員会/委員
2022年9月 - 現在

ICSCRM, 国際運営委員会/委員
2022年1月 - 現在

SSDM 2022, Program Committee/JJAP Special Issues Editors
2022年1月 - 現在

SSDM 2022, プログラム委員会/JJAP特集号責任編集委員
2021年12月 - 現在

ICSCRM 2022, プログラム委員会/委員
2021年4月 - 現在

TIAパワーエレクトロニクスサマースクール, 実行委員
2021年4月 - 現在

応用物理学会, APEX/JJAP編集委員
2020年4月 - 現在

応用物理学会, APEX/JJAP編集委員
2020年4月 - 現在

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 幹事
2019年10月 - 現在

ECSCRM 2020, Technical program committee member
2019年10月 - 現在

ECSCRM 2020, プログラム委員会
2019年4月 - 現在

TIAパワーエレクトロニクスMG, 委員
2016年4月 - 現在

応用物理学会先進パワー半導体分科会, 企画幹事
2022年11月 - 2023年3月

SiCアライアンス, 技術・普及WG/委員
2022年7月 - 2023年3月

EDTM 2023, プログラム委員会/委員
2021年12月 - 2022年10月

ICSCRM 2022, プログラム委員会/委員
2019年10月 - 2022年6月

ECSCRM 2020-2021, プログラム委員会／委員
2019年10月 - 2022年6月

ECSCRM 2020-2021, プログラム委員会／委員

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論文

152

The effect of biaxial strain on the phonon-limited mobility in 4H-SiC MOSFETs

Fu, Wei, Yano, Hiroshi, Sakurai, Takeaki, Ueda, Akiko

APPLIED PHYSICS EXPRESS 16(8) 2023年8月
Investigations of Residual Damage in SiC Trench MOSFETs after Single and Multiple Short-Circuit Stress

髙橋光希, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proceedings of the 35st International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs 250-253 2023年5月査読有り
チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価

秋葉淳宏, 矢野, 裕司

第70回応用物理学会春季学術講演会予稿集 12-095 2023年3月
Comparative study on short-circuit and surge current capabilities of 1.2 kV SiC SBD-embedded MOSFETs

柏佳介, 髙橋光希, 北村雄大, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62(SC1073) SC2073-1-SC1073-10 2023年2月査読有り
3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係

秋葉淳宏, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第9回講演会予稿集 73-74 2022年12月
バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価

円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第9回講演会予稿集 75-75 2022年12月
モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計

森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第9回講演会予稿集 91-92 2022年12月
Study on enhancing of the surge current capabilities of embedded SBDs in SWITCH-MOSs and body-PiN-diodes in SiC trench MOSFETs

北村雄大, 加藤史樹, 田中聡, 俵武志, 原田, 信介, 佐藤弘, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62(SC1007) 1-9 2022年12月査読有り
SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み

矢野, 裕司

結晶加工と評価技術第145委員会第176回研究会資料 22-28 2022年10月責任著者
Significant Improvement of Switching Characteristics in a 1.2-kV SiC SWITCH-MOS by the Application of Kelvin Source Connection

松井ケビン, 俵武志, 原田, 信介, 田中聡, 佐藤弘, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

IEEJ TRANSACTIONS ON ELECTRICAL AND ELECTRONIC ENGINEERING 18(2) 278-285 2022年10月査読有り
AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価

円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

第83回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-122 2022年9月
Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs

柏佳介, 髙橋光希, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 703-704 2022年9月
Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals

北村雄大, 俵武志, 原田, 信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Extended Abstracts of 2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 701-702 2022年9月
3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討

秋葉淳宏, 矢野, 裕司

第83回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 12-121 2022年9月
Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad

Yao, Kailun, Kato, Fumiki, Tanaka, So, Harada, Shinsuke, Yano, Hiroshi, 岩室憲幸

Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 297-300 2022年5月
Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block

Kitamura, Yudai, Yano, Hiroshi, 岩室憲幸, Kato, Fumiki, Tanaka, So, Tawara, Takeshi, Harada, Shinsuke, Sato, Hiroshi

Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 109-112 2022年5月
Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis

Kashiwa, Keisuke, Yao, Kailun, Yano, Hiroshi, 岩室憲幸, Harada, Shinsuke

Proceedings of The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 113-116 2022年5月
Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad

姚凱倫, 加藤史樹, 田中聡, 原田信介, 佐藤弘, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 297-300 2022年5月
TCADシミュレーションを用いた1.2kV SBD内蔵 SiC MOSFETの電気特性解析

髙橋光希, 柏佳介, 松井ケビン, 矢野裕司, 岩室, 憲幸

令和4年電気学会全国大会予稿集 4-5 2022年3月
Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement

Cui, Xiaoran, 岩室憲幸, Yano, Hiroshi

第69回応用物理学会春季学術講演会予稿集 100000000-138 2022年3月

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書籍等出版物

次世代パワー半導体の開発動向と応用展開

矢野, 裕司

シーエムシー出版 2021年8月 (ISBN: 9784781316130)
Compound Semiconductor

An, Junjie, Namai, Masaki, Tanabe, Mikiko, Okamoto, Dai, Yano, Hiroshi, Iwamuro, Noriyuki (担当:分担執筆, 範囲:Making a debut: the p-type SiC MOSFET)

Angel Business Communications publication 2017年6月

講演・口頭発表等

154

1.2 kV 耐圧 SiC トレンチ MOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析

北村雄大, 原田, 信介, 佐藤弘, 矢野裕司, 岩室, 憲幸

電気学会電子デバイス研究会電気学会
チャージポンピング法を用いたpチャネルSiC MOSFET の界面特性評価

秋葉淳宏, 矢野, 裕司

第70回応用物理学会春季学術講演会
SBD占有面積割合の異なる1.2kV SBD内蔵SiC-MOSFETのUIS耐量解析

柏佳介, 矢野裕司, 岩室, 憲幸

令和5年電気学会全国大会電気学会
SBD 内蔵 SiC トレンチ MOSFET におけるショットキー障壁高さが順方向サージ電流耐量に与える影響の解析

北村雄大, 俵武志, 原田, 信介, 矢野裕司, 岩室, 憲幸

令和5年電気学会全国大会
3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面特性評価：酸化膜窒化処理と界面欠陥量の関係

秋葉淳宏, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第9回講演会
バイポーラACゲートストレス印加によるSiC-MOSFETのしきい値電圧変動評価

円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第9回講演会
モノリシック相補型インバータに向けた4H-SiC横型p-ch SJ-MOSFETの構造設計

森海斗, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

先進パワー半導体分科会第9回講演会
Characterization of SiC MOS structures using p-channel devices

Yano, Hiroshi

The 10th Asia-Pasific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2022) 招待有り
SiCパワーデバイスの高性能化・高信頼化に向けた課題と取り組み

矢野, 裕司

結晶加工と評価技術第145委員会第176回研究会
Experimental Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in 1.2-kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs with Ti and Ni as Schottky Metals

北村雄大, 俵武志, 原田, 信介, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
Experimental and Numerical Investigations of the Electrical Characteristics of SiC SBD-Integrated MOSFETs by Varying the Area Occupied by Embedded SBDs

柏佳介, 髙橋光希, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials 2022年9月26日応用物理学会
3レベルチャージポンピング法を用いた4H-SiC MOSFETの界面近傍酸化膜トラップの酸化膜内密度分布の検討

秋葉淳宏, 矢野, 裕司

第83回応用物理学会秋季学術講演会
AC ゲートストレス印加による SiC-MOSFET のしきい値電圧変動評価

円城寺佑哉, 岩室憲幸, 矢野, 裕司

第83回応用物理学会秋季学術講演会
Investigation of the Short-Circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates using Electro-Thermal-Mechanical Analysis

Kashiwa, Keisuke, Yao, Kailun, Yano, Hiroshi, 岩室憲幸, Harada, Shinsuke

The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
Investigation of the Short-circuit Failure Mechanisms in 1.2-kV SiC Trench MOSFETs with Thin N+ Substrates Using Electro-thermal- mechanical Analysis

柏佳介, 姚凱倫, 信介, 原田, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022)
Demonstration of the Surge Current Capability of Embedded SBDs in SiC SBD-Integrated Trench MOSFETs with a Thick Cu Block

北村雄大, 加藤史樹, 田中聡, 俵武志, 信介, 原田, 佐藤弘, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
Enhanced Short-circuit Capability for 1.2 kV SiC SBD-integrated Trench MOSFETs Using Cu Blocks Sintered on the Source Pad

凱倫, 姚, 加藤史樹, 田中聡, 信介, 原田, 佐藤弘, 矢野裕司, Iwamuro, Noriyuki

The 34th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD2022) 2022年5月22日
4H-SiCショットキーpnダイオードの導電機構解析

森海斗, 亀和田亮, 矢野裕司, 岩室, 憲幸

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日応用物理学会
Characterization of Interface Traps Near Valence Band by Split C-V measurement

Cui, Xiaoran, 岩室憲幸, Yano, Hiroshi

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日
3レベルチャージポンピング法を用いたSiC MOSFETの界面欠陥分布の検討

秋葉淳宏, 矢野, 裕司

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月22日

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産業財産権

2016-152378 •前駆体溶液及びシリコンを含有する層、ならびにパワー半導体素子及びパワー半導体素子の製造方法

下田達也, 増田貴史, 村上達也, 岩室, 憲幸, 矢野裕司