中川清和 (Kiyokazu Nakagawa) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(東京大学)

J-GLOBAL ID: 200901054803270709
researchmap会員ID: 1000304600

外部リンク: http://www.inorg.yamanashi.ac.jp/ccst/laboratories/nakagawa-lab/main.htm

研究キーワード

研究分野

経歴

2000年4月

山梨大学工学部教授
1989年 - 2000年

Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
1981年 - 1989年

Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.
1981年4月

日立製作所中央研究所入所
Senior Researcher
Researcher
山梨大学大学院医学工学総合研究部ワイン・クリスタル系山梨大学大学院医学工学総合研究部ワイン・クリスタル系, 教授

学歴

- 1981年

東京大学大学院
- 1981年

東京大学
- 1976年

東京大学
- 1976年

東京大学

委員歴

2008年4月 - 2010年3月

独立行政法人大学評価・学位授与機構学位審査会専門委員
2008年4月 - 2010年3月

応用物理学会理事

受賞

1992年

新機能素子研究開発協会研究開発功績賞受賞

MISC

127

Crystalline morphologies of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (1 1 0) Si substrates

Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima

Journal of Crystal Growth 311(3) 809-813 2009年1月15日
Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high Ge composition by ion implantation method

Y. Hoshi, K. Sawano, Y. Hiraoka, Y. Sato, Y. Ogawa, A. Yamada, N. Usami, K. Nakagawa, Y. Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(3) 825-828 2009年1月
Strain relaxation mechanisms in step-graded SiGe/Si(110) heterostructures grown by gas-source MBE at high temperatures

Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(3) 819-824 2009年1月
Structural and transport properties of strained SiGe grown on V-groove patterned Si(110) substrates

Keisuke Arimoto, Genki Kawaguchi, Kana Shimizu, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(3) 814-818 2009年1月
Local control of strain in SiGe by ion-implantation technique

K. Sawano, Y. Hoshi, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Nakagawa, Y. Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 311(3) 806-808 2009年1月
Introduction of Uniaxial Strain into Si/Ge Heterostructures by Selective Ion Implantation

Kentarou Sawano, Yusuke Hoshi, Atsunori Yamada, Yoshiyasu Hiraoka, Noritaka Usami, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Yasuhiro Shiraki

APPLIED PHYSICS EXPRESS 1(12) 12140 2008年12月
Fabrication of high quality SiGe relaxed thin layers by ion implantation technique with Ar, Si and Ge ions

K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, J. Yamanaka, K. Nakagawa, Y. Shiraki

THIN SOLID FILMS 517(1) 87-89 2008年11月
Microstructure difference of Ni induced poly-crystallized SiGe by changing the annealing atmosphere

Junji Yamanaka, Tadashi Horie, Minoru Mitsui, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Tetsuya Sato, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Tomokazu Moritani, Minoru Doi

THIN SOLID FILMS 517(1) 232-234 2008年11月
Growth temperature dependence of the crystalline morphology of SiGe films grown on Si(110) substrates with compositionally step-graded buffer

Keisuke Arimoto, Masato Watanabe, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima

THIN SOLID FILMS 517(1) 235-238 2008年11月
Characterizations of polycrystalline SiGe films on SiO(2) grown by gas-source molecular beam deposition

M. Mitsui, M. Tamoto, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, T. Sato, N. Usami, K. Sawano, Y. Shiraki

THIN SOLID FILMS 517(1) 254-256 2008年11月
Strained-Si nMOSFET formed on very thin SiGe buffer layer fabricated by ion implantation technique

K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, K. Nakagawa, Y. Shiraki

THIN SOLID FILMS 517(1) 353-355 2008年11月
Elastic theory for strained heterostructures with in-plane anisotropy

Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104(6) 063512 2008年9月
Development of thin SiGe relaxed layers with high-Ge composition by ion implantation method and application to strained Ge channels

Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Yoshiyasu Hiraoka, Yuu Satoh, Yuta Ogawa, Atsunori Yamada, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa, Yasuhiro Shiraki

APPLIED PHYSICS EXPRESS 1(8) 81401 2008年8月
Acceptorlike behavior of defects in SiGe alloys grown by molecular beam epitaxy

Motoki Satoh, Keisuke Arimoto, Kiyokazu Nakagawa, Shinji Koh, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(6) 4630-4633 2008年6月
New structure of polycrystalline silicon thin-film transistor with germanium layer in source/drain regions for low-temperature device fabrication

Minoru Mitsui, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 47(3) 1547-1549 2008年3月
On effects of gate bias on hole effective mass and mobility in strained-Ge channel structures

Kentarou Sawano, Yugo Kunishi, Yuu Satoh, Kiyohiko Toyama, Keisuke Arimoto, Toru Okamoto, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa, Yasuhiro Shiraki

APPLIED PHYSICS EXPRESS 1(1) 01140 2008年1月
Strained Si n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors formed on very thin SiGe relaxed layer fabricated by ion implantation technique

K. Sawano, A. Fukumoto, Y. Hoshi, Y. Shiraki, J. Yamanaka, K. Nakagawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 90(20) 20210-20210 2007年5月
Fabrication of Ta2O5/GeNx gate insulator stack for Ge metal-insulator-semiconductor structures by electron-cyclotron-resonance plasma nitridation and sputtering deposition techniques

Yohei Otani, Yasuhiro Itayama, Takuo Tanaka, Yukio Fukuda, Hiroshi Toyota, Toshiro Ono, Minoru Mitsui, Kiyokazu Nakagawa

APPLIED PHYSICS LETTERS 90(14) 14211-14211 2007年4月
Fabrication of Ge channels with extremely high compressive strain and their magnetotransport properties

K. Sawano, Y. Kunishi, K. Toyama, T. Okamoto, N. Usami, K. Nakagawa, Y. Shiraki

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 339-342 2007年4月
Growth temperature dependence of lattice structures of SiGe/graded buffer structures grown on Si(110) substrates by gas-source MBE

Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Kentarou Sawano, Yasuhiro Shiraki, Noritaka Usami, Kazuo Nakajima

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 301 343-348 2007年4月

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講演・口頭発表等

107

選択的イオン注入法によりSiGe層に導入される一軸性歪み状態の線幅依存性

第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
As+イオン注入したSi-C混晶半導体薄膜のRTA処理による組織変化

第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
μ波プラズマ加熱による金属の選択加熱現象を利用した多結晶シリコン形成技術2

第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
マイクロ波プラズマ加熱による非晶質酸化チタン薄膜の結晶化

第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
メタン凝縮層の低速電子線衝撃による炭素薄膜の極低温合成(II)

第56回応用物理学関係連合講演会 2009年
New heating method for poly-crystallization of a-Si using microwave plasma irradiation

SiGe, Ge, and Related Compunds 3 2008年
Microstructure change of an As+ ion-implanted Si0.99C0.01/Si by rapid thermal annealing

4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2008年
Mechanism of strain relaxation in SiGe films grown on Si(110) substrates

4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2008年
Selective and Rapid Heating Method for Polycrystallization of Amorphous Si Using Microwave Plasma Irradiation

4th International SiGe Technology and Device Meeting 2008年
Local Strain Control of SiGe by Selective Ion Implantation Technique

4th International SiGe Technology and Device Meeting 2008年
Strain Relaxation Mechanisms in Compositionally Uniform and Step-Graded SiGe Films Grown on Si(110) Substrates

4th International SiGe Technology and Device Meeting 2008年
Development of Thin SiGe Virtual Substrate with High Ge Composition by ion implantation Method

4th International SiGe Technology and Device Meeting 2008年
Local Control of Strain in SiGe by Ion Implantation Technique

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2008年
Strain relaxation mechanism in step-graded SiGe/Si(110) structure grown at 650 - 850 °C

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2008年
Structural and transport properties of strained Ge and SiGe grown on patterned substrates

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2008年
Fabrication of thin strain-relaxed SiGe buffer layers with high-Ge composition by ion implantation method

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2008年
Crystalline morphology of step-graded SiGe layers grown on exact and vicinal (110) Si substrates

The 4th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2008年
選択的イオン注入により作製したSiGe層における一軸性歪みの観測

第69回応用物理学会学術講演会 2008年
Siイオン注入法により作製されたSiGeバッファー層の歪緩和過程

第69回応用物理学会学術講演会 2008年
Si(110)基板上に形成した歪みSi/SiGe構造の歪み解析

第69回応用物理学会学術講演会 2008年

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