大泊 巌

J-GLOBALへ         更新日: 09/08/31 00:00
 
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研究者氏名
大泊 巌
 
オオドマリ イワオ
URL
http://www.ohdomari.comm.waseda.ac.jp/index-j.html
所属
旧所属 早稲田大学 理工学術院
職名
教授,ナノ理工学研究機構機構長
学位
博士(工学)(早稲田大学), 修士(工学)(早稲田大学)

研究キーワード

 
 

研究分野

 
 

学歴

 
 
 - 
1972年
早稲田大学 理工学研究科 電気工学
 
 
 - 
1965年
早稲田大学 理工学部 電気通信学科
 

受賞

 
2007年
応用物理学会フェロー表彰
 
2007年
日本表面科学会平成18年度(第11回)学会賞
 

Misc

 
Single-ion Irradiation-physics, technology and applications (Invited paper)
I. Ohdomari
Journal of Physics D      2008年
G-J. Zhang, T. Tanii, Y. Kanari, I. Ohdomari
Journal of Nanoscience and Nanotechnology   7(2) 410-417   2007年
Surface modification of silicon with single ion irradiation
I. Ohdomari, T. Kamioka
App. Sur. Sci.   254 242-246   2007年
T. Watanabe, I. Ohdomari
Journal of Electrochemical Society   154(12) G270-G276   2007年
A. Seike, T. Tange, I. Sano, Y. Sugiura, D. Kosemura, A. Ogura, I. Ohdomari
Appl. Phys. Lett.   91(6) 062108-062108-3   2007年

書籍等出版物

 
表面物性工学ハンドブック 第2版
丸善, 東京   2007年   
エコマテリアルハンドブック
丸善, 東京   2006年   
実験化学講座 27 機能性材料
丸善   2004年   
ナノテクノロジー大事典
工業調査会   2003年   
今日からモノ知りシリーズ トコトンやさしいナノテクノロジーの本
日刊工業新聞社   2002年   

Works

 
半導体表面及び界面での原子レベルの構造解析
1993年
半導体中欠陥解析及び半導体表面界面に関する研究
1993年
ナノ構造配列を基盤とする分子ナノ工学の構築とマイクロシステムへの展開
2001年 - 2005年

競争的資金等の研究課題

 
イオン照射によるシリコン表面ナノ改質
シングルイオン注入法による半導体ナノ物性制御とその応用
歪ナノワイヤFETsの電気伝導特性評価
ウェハスケールでのシリコンナノ構造配列の作製とその応用に関する研究
ナノ構造配列を応用する生体分子認識

特許

 
高精細シングルイオン抽出方法及び該方法を適用した高精細シングルイオン注入装置及び方法
特開2001-015059
シリコン微細加工方法と該方法を用いて製造した表面性状制御多目的シリコン基板
特開2001-015484
ゆらぎを制御した半導体装置
特開2001-023917

経歴

 
1967-1968  (株)日立製作所中央研究所
1972-1979  早稲田大学理工学部専任講師から助教授
1977-1978  米国IBM T. J. Waston 研究センター客員研究員
1979- 現在  早稲田大学理工学部教授(ナノエレクトロニクス専攻)
1987       オランダFOM-AMOLF研究所客員教授
1989-       文部省学術審議会専門委員
1993-1994  北海道大学客員教授
1996-1998  早大材料技術研究所所長
2001-2005   早大COE「分子ナノ工学研究拠点」研究リーダー
2002-2003  早大ナノテクノロジー研究所所長
2002-現在   早大ナノ理工学研究機構機構長
2004-2005   早大先端科学・健康医療融合研究機構副機構長