川原田 洋

J-GLOBALへ         更新日: 17/08/01 03:22
 
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研究者氏名
川原田 洋
 
カワラダ ヒロシ
eメール
kawaradawaseda.jp
URL
http://www.kawarada-lab.com/
所属
早稲田大学
部署
理工学術院 基幹理工学部
職名
教授
学位
工学博士(早稲田大学)
科研費研究者番号
90161380

研究分野

 
 

経歴

 
1980年
 - 
1982年
昭和 日立製作所半導体事業部プロセス技術開発部
 
1983年
 - 
1985年
昭和 早稲田大学理工学部 助手
 
1986年
   
 
昭和平成2年 大阪大学工学部電気工学科 助手
 

学歴

 
 
 - 
1978年
早稲田大学 理工学部 電子通信学科
 
 
 - 
1985年
早稲田大学 理工学研究科 電気工学
 

受賞

 
2010年
応用物理学会フェロー表彰
 
2007年
超伝導科学技術賞
 

論文

 
H. Kawarada, H. Tsuboi, T. Naruo, T. Yamada, D. Xu, A. Daicho, T. Saito, A. Hiraiwa
Appl. Phys. Lett .   105(1) 013510/1-013510/4   2014年7月
T.Yamaguchi, H. Okazaki, K. Deguchi, S. Uji, H. Takeya, Y. Takano, H. Tsuboi, H.Kawarada
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics   89(23) 235304/1-235304/5   2014年6月
C. I. Pakes, J. A. Garrido, H. Kawarada
MRS Bulletin   39(6) 542-548   2014年6月
A. Daicho, T. Saito, S. Kurihara, A. Hiraiwa, H. Kawarada
Journal of Applied Physics   115(22) 223711/1-003711/4   2014年6月
Takahide Yamaguchi, Eiichiro Watanabe, Hirotaka Osato, Daiju Tsuya, Keita Deguchi, Tohru Watanabe, Hiroyuki Takeya, Yoshihiko Takano, Shinichiro Kurihara, Hiroshi Kawarada
Journal of the Physical Society of Japan   82(7) 074718/1-074718/6   2013年6月

書籍等出版物

 
ポストシリコン半導体 −ナノ成膜ダイナミクスと基板・界面効果−
財満 鎭明、川原田 洋 ほか
株式会社 エヌ・ティー・エス   2013年6月   ISBN:978-4-86469-059-1
マイクロアレイ・バイオチップの最新技術
川原田 洋
シーエムシー出版   2008年   ISBN:978-4-88231-986-3
ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線
久我 翔馬, 梁 正勲, 川原田 洋
シーエムシー出版   2008年   ISBN:978-4-7813-0049-8
Low-Pressure Synthetic Diamond
Bernhard Dischler, Christoph Wild(共著)
Springer-Verlag   1998年8月   

講演・口頭発表等

 
Atomic layer deposition of Al2O3 for passivating hydrogen-terminated diamond
2012年9月   
CNT contact resistivity evaluation from nano size LSI via to power SiC device using conductive AFM
2012年9月   
Electrical characteristic evaluation of SNS junction by heavlily and lightly Boron-doped diamonds
2012年7月   
Evaluation for properties of superconducting diamond (111) thin film with Tc(offset) above 10K and its anisotropic effect due to the uniaxial strain
2012年7月   
Heavily Boron-doped DianlOnd and Its Application to Electron Device in Harsh Environment
2012年5月   

所属学協会

 
 

競争的資金等の研究課題

 
高機能性新半導体デバイス開発
文部科学省: 
ダイヤモンド表面キャリアによる電子スピン制御とその生体分子核スピン観測への応用
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(基盤研究(S))
ダイヤモンド表面近傍の電子スピン制御による単一核スピンの観測
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(基盤研究(A))
クローニングによるSiC上のジグザグ型カーボンナノチューブ・フォレストの長尺化
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(挑戦的萌芽研究)
アプタマー固定ダイヤモンド表面による高感度プロテインチップ
科学研究費助成事業(早稲田大学): 科学研究費助成事業(基盤研究(A))

その他

 
科学技術振興事業団 戦略的基礎研究推進事業 研究領域「電子・光子等の機能制御」 研究課題「表面吸着原子制御による極微細ダイヤモンドデバイス」雇用研究員(k2001.10)