須藤祐司 (Yuji Sutou) - マイポータル

合金化亜鉛めっき層のパウダリング耐性改善に向けたスパッタリング成膜による検証

薗部駿太, 安藤大輔, 須藤祐司, 栗田大樹, 成田史生

材料とプロセス(CD-ROM) 35(2) 2022年
相変化メモリの高性能化:新材料創成からのアプローチ

須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, YI Shunag

半導体・集積回路技術シンポジウム(CD-ROM) 85th 2021年
遷移金属含有アモルファスカルコゲナイドの低抵抗化機構の解明

畑山祥吾, 畑山祥吾, 小林啓介, 小林啓介, 齊藤雄太, FONS Paul, FONS Paul, YI Shuang, 森竣祐, KOLOBOV Alexander V. …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
層状カルコゲナイドにおける化学結合の次元変化を伴う結晶化

齊藤雄太, 畑山祥吾, 畑山祥吾, YI Shuang, FONS Paul, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 須藤祐司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
ウルツ鉱型MnTe薄膜における電気伝導機構

金美賢, 森竣祐, 双逸, 畑山祥吾, 安藤大輔, 須藤祐司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 82nd 2021年
省エネ・高速化に向けた新相変化メモリ材料開発

須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, SHUANG Yi

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
不揮発性メモリ用逆抵抗変化型相変化材料の開発

畑山祥吾, 須藤祐司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
相変化メモリ(PCRAM)の省エネルギー化に向けた材料開発

須藤祐司, 畑山祥吾

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
アモルファスCr₂Ge₂Te₆の高速結晶化機構の解明

畑山祥吾, 須藤祐司

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
省エネルギー動作に向けた相変化メモリ材料の研究開発

須藤祐司, 畑山祥吾, SHUANG Yi, 森竣祐

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 81st 2020年
不揮発性メモリ用Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の局所構造の解明

畑山祥吾, YI Shuang, FONS Paul, FONS Paul, 齊藤雄太, KOLOBOV Alexander V., KOLOBOV Alexander V., 小林啓介, 進藤怜史, 安藤大輔 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 67th 2020年
依頼講演 Co/Si界面の酸化物層がショットキー障壁高さと接触抵抗に及ぼす影響 (シリコン材料・デバイス)

城戸光一, 佐藤謙, 黒田理人, 安藤大輔, 須藤祐司, 小池淳一

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 119(239) 35-38 2019年10月23日
低抵抗アモルファスCr₂Ge₂Te₆の電気伝導機構

畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 小林啓介, 小林啓介

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
アモルファスCr₂Ge₂Te₆相変化材料の電気伝導機構

畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 小林啓介, 小林啓介

日本金属学会講演概要(CD-ROM) 164th 2019年
不揮発性相変化メモリ用遷移金属カルコゲナイド相変化材料の開発

齊藤雄太, 畑山祥吾, YI Shuang, 進藤怜史, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 小林啓介, 小林啓介, 小林啓介, 須藤祐司

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
Cr₂Ge₂Te₆を用いた相変化メモリの動作特性

畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 65th 2018年
低抵抗アモルファス相と高抵抗結晶相を有するCr₂Ge₂Te₆を用いた相変化メモリ

畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一

電子情報通信学会技術研究報告 118(241(SDM2018 52-63)) 2018年
逆抵抗変化Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の結晶化メカニズム

畑山祥吾, 須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 齊藤雄太, 進藤怜史, 進藤怜史, SONG Yun-Heub

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
不揮発性メモリ用遷移金属相変化材料の電子構造の解明

齊藤雄太, 須藤祐司, FONS Paul, KOLOBOV Alexander V., 進藤怜史, 進藤怜史, 畑山祥吾, YI Shuang, KOZINA Xeniya, SKELTON Jonathan M. …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 79th 2018年
超軽量形状記憶マグネシウム合金の開発

須藤祐司, 小川由希子, 安藤大輔, 小池淳一

アルトピア 47(2) 2017年2月

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書籍等出版物

第5版鉄鋼便覧, 第3巻35.7節(析出物データベース)

須藤祐司, 船川義正

2014年
SiCパワーデバイス最新技術

小池淳一, 須藤祐司, 丁建華, 関口貴子 (担当:共著, 範囲:第13章パワーデバイス用金属電極/SiCの界面反応組織と信頼性)

2010年5月14日
Shaped Crystals Growth by Micro-Pulling-Down Technique

A. Yishikawa, Y. Sutou (担当:共著, 範囲:Metal Alloy Fibers pp. 331-334)

Springer 2007年
Encyclopedia of Materials: Science and Technology Updates

K.H.J. Buschoe, R, W. Cahn, M. C. Flemings, B. Ilschner E. J. Kramer, S. Mahajan, ed, Y. Sutou, K, Yamauchi, T. Omori, R. Kainuma, K. Ishida (担当:共著, 範囲:Superelastic biomedical guidewire, functionally graded, 1-6)

Elsevier, Oxford 2005年4月

講演・口頭発表等

181

相変化メモリ材料の研究開発動向

須藤祐司

R031委員会第4回研究会「次世代メモリデバイス技術の最前線」 2022年1月11日招待有り
Transition-metal chalcogenides enabling low-power phase change memory: Inverse resistance change Cr2Ge2Te6 and Polymorphic MnTe films

Y. Sutou, S. Hatayama, Y. Shuang, S. Mori, D. Ando

EPCOS2021 2021年9月15日招待有り
相変化メモリの高性能化：新材料創成からのアプローチ

須藤祐司, 畑山祥吾, 森竣祐, 双逸

第85回半導体・集積回路技術シンポジウム 2021年8月31日招待有り
Phase change materials enabling low-energy PCRAM

Y. Sutou, S. Hatayama, Y. Shuang, S. Mori, D. Ando

AWAD 2021 2021年8月26日招待有り
省エネ・高速化に向けた新相変化メモリ材料開発

須藤祐司, 畑山祥吾, D, 森竣祐, D)双逸

応用物理学会 2021年3月17日招待有り
相変化メモリ材料の研究開発動向

須藤祐司, 畑山祥吾, D, 森竣祐, D)双逸

応用物理学会第48回薄膜・表面物理セミナー 2020年12月7日招待有り
Phase-change materials for low-energy operation PCRAM

Yuji Sutou, Shunsuke Mori, Yi Shuang, Shogo Hatayama

SSDM 2020年9月30日招待有り
省エネルギー動作に向けた相変化メモリ材料の研究開発

須藤祐司, 畑山祥吾, D)双逸, D)森竣祐

応用物理学会 2020年9月9日招待有り
形状記憶合金の最近の材料研究について

須藤祐司

形状記憶協会Ｗｅｂセミナー 2020年8月28日招待有り
形状記憶・超弾性合金の基礎と新合金の最近の研究

須藤祐司

形状記憶協会講習会 2018年7月26日
Phase Change Characteristics of TM-Ge-Te (TM: Cu and Cr) Compound Films for PCRAM

Y. Sutou, S. Shindo, S. Hatayama, Yi Shuang, J. Koike, Y. Saito

MRS Spring Meeting 2018 2018年4月5日
Transition Metal-Ge-Te Chalcogenides for PCRAM Material

Y. Sutou, S. Shindo, S. Hatayama, Y. Saito, J. Koike

International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2017年9月19日
Magnesium-based shape memory alloy

Y. Sutou, Y. Ogawa, D. Ando, J. Koike

International Conference on Martensitic Transformations (ICOMAT 2017 ) 2017年7月11日
形状記憶マグネシウム合金の開発

須藤祐司, 小川由希子, 安藤大輔, 小池淳一

日本マグネシウム協会第4回技術講演会 2017年1月13日
マグネシウム系形状記憶合金

須藤祐司, 小川由希子, 安藤大輔, 小池淳一

形状記憶合金協会SMAシンポジウム 2016年11月11日
Ge-Cu-Te phase change material for PCRAM application

Y. Sutou, Y. Saito, S. Shindo, J. Koike

PRiME2016 2016年10月2日
Phase-change induced contact resistance changes of GeCu2Te3/metal contact due to phase change transitions

S. Shindo, Y, Sutou, J. Koike, Y. Saito, H. Song

2016 MRS Spring Meeting&Exhibit 2016年3月28日
Cr-Ge-Te化合物薄膜の相変化挙動

畑山祥吾, 進藤怜史, 安藤大輔, 須藤祐司, 小池淳, 北大工

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日
プライマー層を用いたCu/AlN接合界面の密着強度改善

佐藤宏太郎, 安藤大輔, 須藤祐司, 小池淳, 北大工

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日
CVD法によるMnOx拡散バリア層の形成に伴うポーラスSiOCHへの Mn拡散

小出紘之, 王, 昊, 安藤大輔, 須藤祐司, 小池淳, 北大工

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日

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所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

多形メモリテクノロジーの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2021年7月 - 2026年3月

須藤祐司, 山本卓也, 入沢寿史, 齊藤雄太, 谷村洋, 春本高志
次世代新メモリに向けたディスプレイシブ相転移型多形半導体の開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2021年4月 - 2024年3月

須藤祐司
半導体－金属相転移を利用したゼロ温度係数高抵抗薄膜の創成

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2021年7月 - 2023年3月

須藤祐司
アモルファス由来ファンデルワールス層状物質の結晶化機構の解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2019年4月 - 2022年3月

Fons JamesPaul, 牧野孝太郎, 長谷宗明, 齊藤雄太, 須藤祐司
次世代不揮発性メモリに向けたd電子系相変化カルコゲナイドの開拓

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2018年4月 - 2021年3月

須藤祐司, 齊藤雄太
工具の超長寿命を実現する自己潤滑性トライボロジーハードコーティングの創成

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2018年6月 - 2020年3月

須藤祐司
自己不働態膜形成により溶出速度が調整できる生体内分解型超弾性Mg合金ステント

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(萌芽) 挑戦的研究(萌芽) 2017年6月 - 2019年3月

安藤大輔, 小池淳一, 須藤祐司
ダイナミック・ナノリフロー法によるLSI超微細配線の形成と機構解明

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2015年4月 - 2018年3月

小池淳一, 安藤大輔, 須藤祐司
次世代微細PCRAMに向けた相変化材料／電極間の接触界面抵抗に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2015年4月 - 2018年3月

須藤祐司, 小池淳一, 安藤大輔, 小林啓介, 進藤怜史
BCC/HCP相変態を利用した超高強度かつ高機能性を有するMg-Sc合金の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 若手研究(A) 2015年4月 - 2018年3月

安藤大輔, 小池淳一, 須藤祐司, 小川由希子, 竹内悠太
２ビット情報の記録可能な積層縦型構造多値記録相変化メモリ素子の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2017年3月

須藤祐司, 安藤大輔, 小池淳一, 齊藤雄太, 進藤怜史
転位・双晶ハイブリッド型制振効果による広周波数域対応α+β二相Mg合金の創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2017年3月

安藤大輔, 小池淳一, 須藤祐司
優先酸化を利用した極小結晶相電流パス自己形成による相変化メモリのデータ書換高速化

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2013年4月 - 2015年3月

須藤祐司, 小池淳一, 安藤大輔
半導体多層配線のプロセス限界を超越する拡散バリア層の開発原理

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2010年4月 - 2015年3月

小池淳一, 須藤祐司, 根石浩司, 安藤大輔
不揮発性メモリ用Ｇｅ－Ｃｕ－Ｔｅ系相変化材料の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2011年4月 - 2014年3月

須藤祐司, 小池淳一, 小林啓介
次世代自己・バルーン拡張型薬剤溶出被覆ステントの開発と安全性試験

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2009年 - 2012年

石橋忠司, 須藤祐司
新機能Co基合金-その相安定性と工業材料への展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 基盤研究(S) 2007年 - 2011年

石田清仁, 大沼郁雄, 貝沼亮介, 及川勝成, 山内清, 須藤祐司, 貝沼亮介, 及川勝成, 山内清, 須藤祐司
多値記録を可能とするTe-Si系多段相変化メモリの創製

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2009年 - 2010年

須藤祐司
低比重鉄鋼の開発

その他の研究制度 2007年4月 - 2009年3月
TiXN系ハードコーティング膜の組織制御

その他の研究制度 2008年4月

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産業財産権

特願2017-545452 超弾性効果及び／又は形状記憶効果を発現するマグネシウム合金

安藤大輔, 須藤祐司, 小川, 由希子, 小池淳一
特許5766336 銅ペーストの焼成方法

小池淳一, 須藤祐司, 安藤大輔
特許5735093 太陽電池及びその製造方法

小池淳一, 須藤祐司, 安藤大輔, ホアンチハイ
特許5610218 切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具

櫻井正俊, 戸井原孝臣, 王微(OSG株式会社, 須藤祐司, 小池淳一, 小宮山翔子
特許5610219 切削工具用硬質被膜及び硬質被膜被覆切削工具

櫻井正俊, 戸井原孝臣, 王微(OSG株式会社, 須藤祐司, 小池淳一, 小宮山翔子
P2007-119874A 銅系合金及び銅系合金の製造方法

石田清仁, 貝沼亮介, 須藤祐司, 大森俊洋, 株)ブリヂストン, 青池由紀夫
P2007-84882 低加工硬化型鉄合金

石田清仁, 貝沼亮介, 須藤祐司
P2006-325613A 自律機能性ステント

山内清, 須藤祐司, 高木隆光, 株)日本ステントテクノロジー, 山下修三, NECトーキン株式会社, 小澤倫秀
P2006-328436A Ｔｉ－Ｎｉ－Ｎｂ合金素子

山内清, 須藤祐司, 高木隆光, 株)日本ステントテクノロジー, 山下修三, NECトーキン株式会社, 小澤倫秀
P2006-314525A 管状器官への挿入具

須藤祐司, 山内清, 高木隆光, 西田稔, 前島貴士, 株)パイオラックス, 石川毅, NECトーキン, 内山博昭
P2006-219728A 高抵抗器用鉄合金

須藤祐司, 石田清仁, 貝沼亮介, 海野玲子
P2006-181139A ガイドワイヤーおよびカテーテル

山内清, 須藤祐司, 石田清仁, 株)不二越, 天野宏地, 原恭, 河口誠司
P2006-181140A ガイドワイヤーおよびカテーテル

山内清, 須藤祐司, 石田清仁, 株)不二越, 天野宏地, 原恭, 河口誠司
P2006-57159A 傾斜機能合金素子及びそれを用いたガイドワイヤ

須藤祐司, 山内清, 石田清仁, 貝沼亮介
P2005-325387A 低比重鉄合金

石田清仁, 貝沼亮介, 須藤祐司, 海野玲子, 大同特殊鋼, 清水手哲也, 高林宏之
P2005-325388A 低比重鉄合金

石田清仁, 貝沼亮介, 須藤祐司, 海野玲子, 大同特殊鋼, 清水手哲也, 高林宏之
P2005-313230A 高温実装用接合材料

石田清仁, 貝沼亮介, 大沼郁雄, 高久佳和, 須藤祐司
P2005-298952A 制振材料およびその製造方法

中央発條, 鈴木秀和, 石田清仁, 貝沼亮介, 須藤祐司, 大森俊洋, 肥田直樹
P2005-111105A カテーテル

NECトーキン, 高橋幸典, 石田清仁, 貝沼亮介, 須藤祐司
P2004-10997A 制振材料と制振性に優れたばね及びそれらの製造方法

中央発條, 鈴木秀和, 岡本貴幸, 脇田将見, 石田清仁, 貝沼亮介, 須藤祐司, 大森俊洋

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社会貢献活動

高性能メモリー材料を開発

その他

読売新聞 2011年11月25日
次世代メモリーに新材料

その他

河北新報 2010年11月25日
耐熱性2倍の相変化メモリー

その他

日刊工業新聞 2010年11月25日
銅系で加工性向上

その他

化学工業日報 2008年7月23日
東北大が形状記憶合金

情報提供

日刊工業新聞 2007年8月21日
パラジウム系で開発

情報提供

日刊産業新聞 2007年8月21日
Ｘ線造影性に富むＰｄ系形状記憶材料

情報提供

科学新聞 2007年8月17日
ニクロム線比1.5倍

情報提供

日刊工業新聞 2005年3月21日
制振性能1.5倍以上に

情報提供

日刊工業新聞 2005年3月11日
高抵抗のＦｅ系合金を開発

情報提供

鉄鋼新聞 2005年3月8日

その他

インバータイプ比抵抗を有するＦｅ－Ｍｎ－Ａｌ系合金の開発

2015年1月 - 2015年1月

インバータイプ比抵抗を有するＦｅ－Ｍｎ－Ａｌ系合金の開発
高温データ保持性、多値記録を可能とするSbZn系相変化メモリの開発

2013年4月 - 2013年4月

Sb-Zn系の新規相変化材料を用い、その相変態挙動を調査し、不揮発性メモリへの適用を試みる。
ハイブリッド組織型Mo酸化物を利用した低摩擦・耐摩耗性硬質コーティングに関する研究

2012年10月 - 2012年10月

ハイブリッド組織型Mo酸化物を利用して低摩擦・耐摩耗性に優れる硬質コーティングを開発する。
低摩擦係数Mo酸化物を利用した耐磨耗・耐溶着性に優れる(Ti,Mo)系酸窒化物硬質被膜の開発

2011年10月 - 2011年10月

近年、切削加工分野では、環境への配慮から潤滑レスやドライ加工の実現が要求されると共に、切削工具の長寿命化が望まれている。切削工具には、耐摩耗性向上のためにTiN等の硬質皮膜が設けられているが、既存皮膜はその高い摩擦係数から耐摩耗性・耐溶着性に乏しい事が課題となっている。本研究では、低摩擦係数を有するMo酸化物に着目し、耐摩耗性・耐溶着性に優れる新規(Ti,Mo)酸窒化物硬質皮膜の開発を試みる。
PCRAM用「TeフリーSbZn相変化材料」の開発

2011年8月 - 2011年8月

近年、次世代不揮発性メモリとして、製造コスト・集積度面で有利な相変化メモリ (PCRAM)が注目されている。本研究は、大容量化を可能とする「TeフリーSbZn相変化材料」の開発を目的とする。
Mg-Sc系合金の研究

2010年4月 - 2010年4月

Mg-Sc系合金の研究
摩擦係数低減を目指した多相層状組織を有する(Ti,Mo)(N,O)系硬質膜の開発

2009年4月 - 2009年4月

摩擦係数低減を目指した多相層状組織を有する(Ti,Mo)(N,O)系硬質膜の開発を目指す
低比重高強度鋼の開発

2007年4月 - 2007年4月

Ｆｅ－Ａｌ－Ｍｎ－Ｃ系をベースとした低比重鉄鋼の創製を目指す。

須藤祐司

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

社会貢献活動

その他

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