小川正毅 (Masaki Ogawa) - マイポータル

基本情報

学位: 博士（工学）(大阪大学)

J-GLOBAL ID: 200901013684209763
researchmap会員ID: 6000001932

研究キーワード

研究分野

経歴

名古屋大学エコトピア科学研究所融合研究プロジェクト研究部門エコトピア科学研究所融合研究プロジェクト研究部門, 教授

委員歴

受賞

2005年

MNC2004 Award for Outstanding Paper
2005年

MNC2004 Award for Outstanding Paper
1986年

科学技術庁第４５回注目発明受賞（昭和６１年４月：超格子の構造）
1979年

渡辺記念研究奨励賞

MISC

Behavior of local charge-trapping sites in La2O3-Al2O3 composite films under constant voltage stress

Toshifumi Sago, Akiyoshi Seko, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(4B) 1879-1884 2007年4月
Composition dependence of work function in metal (Ni,Pt)-germanide gate electrodes

Daisuke Ikeno, Yukihiro Kaneko, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(4B) 1865-1869 2007年4月
Behavior of local charge-trapping sites in La2O3-Al2O3 composite films under constant voltage stress

Toshifumi Sago, Akiyoshi Seko, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(4B) 1879-1884 2007年4月
Composition dependence of work function in metal (Ni,Pt)-germanide gate electrodes

Daisuke Ikeno, Yukihiro Kaneko, Hiroki Kondo, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46(4B) 1865-1869 2007年4月
Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on various types of substrates

Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Koji Yamamoto, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 22(1) S231-S235 2007年1月
Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Hiroki Kondo, Katsunori Yukawa, Koji Izunome, Takeshi Senda, Eiji Toyoda, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 22(1) S132-S136 2007年1月
Growth and structure evaluation of strain-relaxed Ge1-xSnx buffer layers grown on various types of substrates

Shotaro Takeuchi, Akira Sakai, Koji Yamamoto, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 22(1) S231-S235 2007年1月
Strain relaxation of patterned Ge and SiGe layers on Si(001) substrates

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Osamu Nakatsuka, Hiroki Kondo, Katsunori Yukawa, Koji Izunome, Takeshi Senda, Eiji Toyoda, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 22(1) S132-S136 2007年1月
Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(001) system

Osamu Nakatsuka, Atsushi Suzuki, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

MICROELECTRONIC ENGINEERING 83(11-12) 2272-2276 2006年11月
Electrical properties of epitaxial NiSi2/Si contacts with extremely flat interface formed in Ni/Ti/Si(001) system

Osamu Nakatsuka, Atsushi Suzuki, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

MICROELECTRONIC ENGINEERING 83(11-12) 2272-2276 2006年11月
La_2O_3-Al_2O_3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程

佐合寿文, 世古明義, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 106(108) 19-24 2006年6月14日
Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates

Noriyuki Taoka, Akira Sakai, Shogo Mochizuki, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS 508(1-2) 147-151 2006年6月
Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shingo Takeda, Shigeru Kimura, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS 508(1-2) 128-131 2006年6月
Control of misfit dislocations in strain-relaxed SiGe buffer layers on SOI substrates

Noriyuki Taoka, Akira Sakai, Shogo Mochizuki, Osamu Nakatsuka, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS 508(1-2) 147-151 2006年6月
Local strain in SiGe/Si heterostructures analyzed by X-ray microdiffraction

Shogo Mochizuki, Akira Sakai, Noriyuki Taoka, Osamu Nakatsuka, Shingo Takeda, Shigeru Kimura, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

THIN SOLID FILMS 508(1-2) 128-131 2006年6月
Characterization of local current leakage in La2O3-Al2O3 composite films by conductive atomic force microscopy

Akiyoshi Seko, Toshifumi Sago, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(4B) 2954-2960 2006年4月
Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition

Keiko Ariyoshi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(4B) 2903-2907 2006年4月
Characterization of local current leakage in La2O3-Al2O3 composite films by conductive atomic force microscopy

Akiyoshi Seko, Toshifumi Sago, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(4B) 2954-2960 2006年4月
Film structures and electrical properties of Pr silicate formed by pulsed laser deposition

Keiko Ariyoshi, Mitsuo Sakashita, Akira Sakai, Masaki Ogawa, Shigeaki Zaima

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 45(4B) 2903-2907 2006年4月
Improvement in NiSi/Si contact properties with gimplantation

O Nakatsuka, K Okubo, A Sakai, M Ogawa, Y Yasuda, S Zaima

MICROELECTRONIC ENGINEERING 82(3-4) 479-484 2005年12月

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書籍等出版物

Pt-germanideゲート電極の結晶構造及び電気的特性の評価

ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理- 2007年
パルスレーザー蒸着法によるGe基板上へのPr酸化膜の作製とその構造及び電気的特性評価

ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理- 2007年
Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価

ゲートスタック研究会 –材料・プロセス・評価の物理- 2007年
Conductive-AFMによるゲート絶縁膜劣化現象のナノスケール評価

半導体・集積回路技術第70回シンポジウム講演論文集 2006年
La2O3-Al2O3複合膜中の局所電流リークの起源と酸素熱処理の効果

応用物理学会薄膜・表面物理分科会/シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会研究報告ゲートスタック研究会 ‐材料・プロセス・評価の物理‐(第11回研究会) 2006年
Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications

Proc. of the 14th annual IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors 2006年
Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications

Proc. of the 14th annual IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors 2006年
２１世紀版薄膜作製応用ハンドブック

エヌ・ティー・エスエヌ・ティー・エス 2003年
電子デバイス活用辞典

工業調査会工業調査会 1994年
薄膜作成ハンドブック

応用物理学会薄膜・表面物理分科会編応用物理学会薄膜・表面物理分科会編 1991年
化合物半導体の結晶成長と評価その２

工業調査会工業調査会 1987年
Mechanism of high Si-doping into MBE grown GaAs

Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985 1986年
700 mS/mm 2DEGFETs fabricated from high mobility MBE-grown N-AlInAs/GaInAs heterostructures

Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985 1986年
Mechanism of high Si-doping into MBE grown GaAs

Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985 1986年
700 mS/mm 2DEGFETs fabricated from high mobility MBE-grown N-AlInAs/GaInAs heterostructures

Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985Inst. Phys. Conf. Ser. No.79, GaAs and Related Compounds 1985 1986年
Planar p-gate E/D technology for n-AlGaAs/GaAs selectively doped high speed IC's

Ins. Phys. Conf. Ser. No. 74, GaAs and Related Compounds 1984Ins. Phys. Conf. Ser. No. 74, GaAs and Related Compounds 1984 1985年
Planar AlGaAs/GaAs selectively doped high speed IC’s

Ins. Phys. Conf. Ser. No.74, GaAs and Related Compounds 1984Ins. Phys. Conf. Ser. No.74, GaAs and Related Compounds 1984 1985年
Planar p-gate E/D technology for n-AlGaAs/GaAs selectively doped high speed IC's

Ins. Phys. Conf. Ser. No. 74, GaAs and Related Compounds 1984Ins. Phys. Conf. Ser. No. 74, GaAs and Related Compounds 1984 1985年
Planar AlGaAs/GaAs selectively doped high speed IC’s

Ins. Phys. Conf. Ser. No.74, GaAs and Related Compounds 1984Ins. Phys. Conf. Ser. No.74, GaAs and Related Compounds 1984 1985年
A low noise AlGaAs/GaAs FET with p-gate and selectively doped structure

1984 IEEE MTT-S Intern. Microwave Symp. Digest1984 IEEE MTT-S Intern. Microwave Symp. Digest 1984年

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所属学協会

応用物理学会

Works(作品等)

シリコンナノエレクトロニクスの新展開－ポストスケーリングテクノロジー－

2006年 - 2009年
３次元化学状態解析X線光電子分光装置

2005年 - 2009年
ひずみSOI基盤の転位挙動緩和機構と解析

2005年 - 2006年
ナノフォトダイオード用ゲルマニウム製薄膜技術の開発

2005年 - 2006年
超低消費電力CMOS用ゲルマニウム系薄膜形成技術の研究開発

2005年 - 2005年
超高速・低消費電力光通信帯波長受光デバイスの表面安定化技術の開発

2005年 - 2005年
非Siチャンネル結晶・界面形成とデバイス物性抑制に関する調査

2005年 - 2005年

共同研究・競争的資金等の研究課題

ULSI材料・プロセス

科学研究費補助金 2004年 - 2007年
ULSI materials and processing

Grant-in-Aid for Scientific Research 2004年 - 2007年