福井孝志 (Takashi Fukui) - マイポータル

基本情報

所属: 北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻特任教授

学位: 工学博士(北海道大学)

J-GLOBAL ID: 200901099287323934
researchmap会員ID: 1000001891

外部リンク: http://www.rciqe.hokudai.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

経歴

2014年4月 - 2016年3月

北海道大学大学院, 情報科学研究科, 特任教授
2005年4月 - 2014年3月

北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター, センター長
2004年4月 - 2014年3月

北海道大学大学院・情報科学研究科, 教授
2001年4月 - 2004年3月

- 北大量子集積エレクトロニクス研究センター
1991年10月 - 2001年3月

北大量子界面エレクトロニクス研究センター
1975年4月 - 1991年9月

日本電信電話株式会社, 基礎研究所
1975年 - 1991年

NTT Basic Research Laboratory
1991年

- RCIQE, Hokkaido University

学歴

委員歴

2007年4月 - 2012年3月

日本学術振興会, 国際事業委員会委員
2001年

応用物理学会, 代議員

受賞

2011年11月

論文賞, 日本結晶成長学会

福井孝志
2007年8月

フェロー, 応用物理学会

福井孝志
1991年

国際固体素子・材料国際会議論文賞(SSDM Paper Award)

論文

Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core-shell nanowires by selective-area MOVPE

Fumiya Ishizaka, Yoshihiro Hiraya, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 411 71-75 2015年2月査読有り
InGaAs axial-junction nanowire-array solar cells

Eiji Nakai, Muyi Chen, Masatoshi Yoshimura, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 54(1) 015201-1-4 2015年1月査読有り
Application of free-standing InP nanowire arrays and their optical properties for resource-saving solar cells

Muyi Chen, Eiji Nakai, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

Applied Physics Express 8(1) 012301-1-3 2015年1月査読有り
Recent progress in integration of III–V nanowire transistors on Si substrate by selective-area growth

Tomioka, Katsuhiro, Fukui Takashi

J. Phys. D: Appl. Phys. 47(39) 364001 2014年10月査読有り
III-V族化合物半導体ナノワイヤ太陽電池

福井孝志, 吉村正利, 中井栄治, 冨岡克広

日本結晶成長学会誌 41(2) 29-34 2014年7月査読有り招待有り
InGaAs Nanowire/Si heterojunction tunnel FETs

TOMIOKA Katsuhiro, FUKUI Takashi

Applied Physics Letters 104 073507-1-073507-4 2014年査読有り
Van der Waals Epitaxial Double Heterostructure: InAs/Single-Layer Graphene/InAs

Young Joon Hong, Jae Won Yang, Wi Hyoung Lee, Rodney S. Ruoff, Kwang S. Kim, Takashi Fukui

ADVANCED MATERIALS 25(47) 6847-6853 2013年12月査読有り
Indium tin oxide and indium phosphide heterojunction nanowire array solar cells

Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

APPLIED PHYSICS LETTERS 103(24) 243111-1-3 2013年12月査読有り
Sub 60 mV/decade Switch Using an InAs Nanowire-Si Heterojunction and Turn-on Voltage Shift with a Pulsed Doping Technique

Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Takashi Fukui

NANO LETTERS 13(12) 5822-5826 2013年12月査読有り
Indium Phosphide core-shell nanowire solar cells with wide bandgap window layer

M. Yoshimura, E. Nakai, K. Tomioka, T. Fukui

Applied Physics Express 6 052301-1-4 2013年5月査読有り
GaAs/InGaP Core-Multishell Nanowire-Array-Based Solar Cells

Eiji Nakai, Masatoshi Yoshimura, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(5) 055002-1-4 2013年5月査読有り
Indium-Rich InGaP Nanowires Formed on InP (111)A Substrates by Selective-Area Metal Organic Vapor Phase Epitaxy

Fumiya Ishizaka, Keitaro Ikejiri, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(4) 04CH05-1-4 2013年4月査読有り
GaAs nanowire growth on polycrystalline silicon thin films using selective-area MOVPE

Keitaro Ikejiri, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

NANOTECHNOLOGY 24(11) 115304-1-6 2013年3月査読有り
Bimolecular interlayer scattering of electrons in InP/InAs/InP core-multishell nanowires

Yasuaki Masumoto, Ken Goto, Shinichi Tomimoto, Premila Mohan, Junichi Motohisa, Takashi Fukui

JOURNAL OF LUMINESCENCE 133 135-137 2013年1月査読有り
Bidirectional Growth of Indium Phosphide Nanowires

Keitaro Ikejiri, Fumiya Ishizaka, Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui

NANO LETTERS 12(9) 4770-4774 2012年9月査読有り
A III-V nanowire channel on silicon for high-performance vertical transistors

Katsuhiro Tomioka, Masatoshi Yoshimura, Takashi Fukui

NATURE 488(7410) 189-+ 2012年8月査読有り
van der Waals Epitaxy of InAs Nanowires Vertically Aligned on Single-Layer Graphene

Young Joon Hong, Wi Hyoung Lee, Yaping Wu, Rodney S. Ruoff, Takashi Fukui

NANO LETTERS 12(3) 1431-1436 2012年3月査読有り
Position-Controlled III-V Compound Semiconductor Nanowire Solar Cells by Selective-Area Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy

Takashi Fukui, Masatoshi Yoshimura, Eiji Nakai, Katsuhiro Tomioka

AMBIO 41 119-124 2012年3月査読有り
Energy state of InGaAs quantum dots on SiO2-patterned vicinal substrate.

Kim HJ, Mothohisa J, Fukui T

Nanoscale research letters 7 104 2012年2月査読有り
半導体ナノワイヤデバイスの新展開

冨岡克広, 福井孝志

応用物理 81(1) 59-64 2012年1月査読有り

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MISC

Fabrication and low-temperature transport properties of selectively grown dual-gated single-electron transistors

J Motohisa, F Nakajima, T Fukui, WG van der Wiel, JM Elzerman, S De Franceschi, LP Kouwenhoven

APPLIED PHYSICS LETTERS 80(15) 2797-2799 2002年4月
Two-stage Kondo effect in a quantum dot at a high magnetic field

Physical Review Letters 88(12), 126803-126805 2002年
GaAs dot-wire coupled structures grown by selective area metalorganic vapor phase epitaxy and their application to single electron devices

Journal of Applied Physics 90(5), 2606-2611 2001年
GaAs Single Electron Transistors Fabricated by Selective Area MOUPE and Their Application to Single Electron Logic Circuits

Japanese Journal of Applied Physics 38(1B) 415-417 1999年
Transport characterization of GaAs quantum dots connected with quantum wires fabricated by selective area metalorganic vapor phase epitaxy

K Kumakura, J Motohisa, T Fukui

SOLID-STATE ELECTRONICS 42(7-8) 1227-1231 1998年7月
Self-organised InGaAs quantum wire lasers on GaAs multi-atomic steps

S Hara, J Motohisa, T Fukui

ELECTRONICS LETTERS 34(9) 894-895 1998年4月
MULTIATOMIC STEP FORMATION MECHANISM OF METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXIAL GROWN GAAS VICINAL SURFACES AND ITS APPLICATION TO QUANTUM-WELL WIRES

T FUKUI, J ISHIZAKI, S HARA, J MOTOHISA, H HASEGAWA

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 146(1-4) 183-187 1995年1月
Fractional-Layer Superlattices Grown by MOCVD

Optoelectronics 8(4) 557-562 1993年
Fractional superlattices and their device applications

Takashi Fukui

Microelectronics Journal 24(8) 795-803 1993年
lateral Quantum Well Wires fabricated by Selective Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Applied Physics Letters 57 1990年
New GaAs Quantum Wires on (111) B Facets by Selective MOCVD

Electronics Letters 25 1989年
(AlAs)1/2 (GaAs)1/2 Fractional-layer Superlattices Grown on (001) Vicinal GaAs Substrates by Metal-organic Chemical Vapor Deposition

Journal of Vaccum Science and Technology B6 1988年
(InAs)₁ (GaAs)₁ Layered Crystal Grown by MOCVD

Japanese Journal of Applied Physics 23 1984年

書籍等出版物

ナノワイヤ最新技術の基礎と応用展開

福井孝志 (担当:監修)

シーエムシー出版 2013年2月
Semiconductor Nanowire and Their Optical Applications

Katsuhiro Tomioka, Takashi Fukui (担当:分担執筆, 範囲:Chapter 3)

Springer 2012年1月 (ISBN: 3642224792)
Advances in III-V Semiconductor Nanowires and Nanodevices

Junichi Motohisa, Katsuhiro Tomioka, Bin Hua, Kumar S, K. Varadwaj, Shinjiroh Hara, Kenji Hiruma, Takashi Fukui (担当:分担執筆, 範囲:III-V Semiconductor Nanowire Light Emitting Diodes and Lasers)

Bentham Science Publisher 2011年11月
Quantum Wires and Dots by MOCVD(1)

Mesoscopic Physics and Electronics (Springer-verlag) 1997年
III-V族半導体混晶

コロナ社 1988年

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

化合物半導体ナノワイヤによる光デバイス応用

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(S)) 基盤研究(S) 2011年 - 2015年

福井孝志
化合物半導体ナノワイヤによる高効率太陽電池の研究

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(A)) 基盤研究(A) 2011年 - 2011年

福井孝志
有機金属気相選択成長法による半導体ナノワイヤエレクトロニクの創成

文部科学省科学研究費補助金(特別推進研究) 特別推進研究 2006年 - 2010年

福井孝志, 雨宮好仁, 本久順一, 葛西誠也, 原真二郎
有機金属気相選択成長法によるガリウムヒ素単電子メモリの作製と評価

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2006年 - 2006年

福井孝志, 本久順一, 原真二郎
半導体ナノワイヤを用いた単一光子光源の研究

文部科学省科学研究費補助金(萌芽研究) 萌芽研究 2005年 - 2006年

本久順一, 福井孝志, 原真二郎
半導体・強磁性体複合型ナノワイヤを用いた縦型ナノスピントランジスタの研究

文部科学省科学研究費補助金(萌芽研究) 萌芽研究 2005年 - 2006年

原真二郎, 福井孝志, 本久順一
反応拡散ダイナミクスを利用して情報処理を行う結合量子ドット集積デバイス

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2004年 - 2005年

雨宮好仁, 福井孝志, 浅井哲也, 廣瀬哲也
有機金属気相選択成長によるフォトニック結晶の作製とデバイス応用に関する研究

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(A)) 基盤研究(A) 2003年 - 2005年

本久順一, プリミーラモハン, 佐野栄一, 福井孝志, 佐藤威友, 楊林
有機金属気相成長高密度量子ナノ構造による単電子集積エレクトロニクス

文部科学省科学研究費補助金(創成的基礎研究費, 学術創成研究費) 創成的基礎研究費, 学術創成研究費 2001年 - 2005年

福井孝志, 橋詰保, 本久順一, 雨宮好仁, 葛西誠也, 長谷川英機
量子ドット集積体と反応拡散アーキテクチャを組み合わせた情報処理デバイスの開拓

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2002年 - 2003年

雨宮好仁, 浅井哲也, 福井孝志
単一電子入力・単一電子出力型記憶素子の研究

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)) 基盤研究(B) 2001年 - 2001年

福井孝志, 本久順一
高密度半導体量子ドット構造の形成と評価の研究

文部科学省科学研究費補助金(特別推進研究) 特別推進研究 1997年 - 2000年

福井孝志, 本久順一
単電子デバイスの高密度集積化のための新技術の開拓

文部科学省科学研究費補助金(重点領域研究, 特定領域研究(A), 重点領域研究) 重点領域研究, 特定領域研究(A), 重点領域研究 1996年 - 2000年

川辺光央, 福井孝志, 荒井滋久, 尾浦憲治郎, 八百隆文, 青柳克信, 藤倉序章, 橋詰保, 藤倉序章
超高真空非接触・非破壊容量-電圧測定システムの開発

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(A)) 基盤研究(A) 1996年 - 1997年

長谷川英機, 福井孝志, 坂井高正, 藤倉序章, 橋詰保
量子半導体プロセス技術

文部科学省科学研究費補助金(重点領域研究) 重点領域研究 1994年 - 1996年

中島尚男, 白木靖寛, 浅田雅洋, 福井孝志, 冷水佐壽, 小間篤, 長田俊人
自己組織化機構を利用した半導体立体量子構造の形成と評価

文部科学省科学研究費補助金(一般研究(A)) 一般研究(A) 1994年 - 1995年

福井孝志, 赤澤正道, 本久順一, 長谷川英機
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用

文部科学省科学研究費補助金(重点領域研究) 重点領域研究 1993年 - 1993年

大野英男, 福井孝志, 中原純一郎
選択成長を利用した半導体量子ドットの作製と物性の研究

文部科学省科学研究費補助金(一般研究(B)) 一般研究(B) 1992年 - 1993年

福井孝志, 赤沢正道, 長谷川英機, 本久順一
固体進行波モードおよび静磁波モードを用いた高い機能集積度を有するMMICの製作

文部科学省科学研究費補助金(一般研究(C)) 一般研究(C) 1992年 - 1993年

赤澤正道, 斉藤俊也, 福井孝志, 長谷川英機
化合物半導体清浄表面と有機金属との相互作用

文部科学省科学研究費補助金(重点領域研究) 重点領域研究 1992年 - 1992年

大野英男, 福井孝志, 中原純一郎

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産業財産権

特許5655228 半導体構造物の製造方法

冨岡克広, 福井孝志, 本久順一, 原真二郎
特許5231142 多接合型太陽電池の製造方法

後藤肇, 本久順一, 福井孝志
特許5211352 半導体発光素子アレー、およびその製造方法

比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
特開2012-182389 ナノワイヤ太陽電池

遠藤広考, 後藤肇, 福井孝志, 本久順一
特開2012-056015 ナノワイヤデバイスの製造方法

後藤肇, 福井孝志, 登坂仁一郎
特開2011-138804 ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法

後藤肇, 福井孝志, 本久順一, 比留間健之
特開2011-135058 太陽電池素子、カラーセンサ、ならびに発光素子及び受光素子の製造方法

比留間健之, 本久順一, 福井孝志, 後藤肇, 遠藤広考
WO2010-044129 半導体発光素子アレー、およびその製造方法

比留間健之, 原真二郎, 本久順一, 福井孝志
特開2010-028092 ナノワイヤ太陽電池及びその製造方法

後藤肇, 大橋智昭, 本久順一, 福井孝志