天野 浩

J-GLOBALへ         更新日: 17/10/05 04:27
 
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研究者氏名
天野 浩
eメール
amanonuee.nagoya-u.ac.jp
URL
http://www.semicond.nuee.nagoya-u.ac.jp/index.html
所属
名古屋大学
部署
未来材料・システム研究所 附属未来エレクトロニクス集積研究センター 未来デバイス部
職名
教授
学位
工学博士(名古屋大学)

経歴

 
1988年4月
 - 
1992年3月
名古屋大学助手(工学部)
 
1992年4月
 - 
1998年3月
名城大学理工学部講師
 
1998年4月
 - 
2002年3月
名城大学理工学部助教授
 
2002年4月
 - 
2010年3月
名城大学理工学部教授
 
2010年4月
 - 
2015年9月
名古屋大学 大学院工学研究科 電子情報システム専攻 教授
 

委員歴

 
2010年4月
 - 
2017年3月
ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会  特別顧問
 
2010年5月
 - 
2012年5月
電子部品・材料研究専門委員会  専門委員
 
2010年8月
 - 
現在
名古屋市科学館企画調査委員会  企画調査委員
 
2011年4月
 - 
2012年10月
International Workshop on Nitride Semiconductors2012 (IWN2012)  実行委員長
 
2011年6月
 - 
2012年5月
ICMOVPE-XVI  International Advisory COmmittee
 

Misc

 
Guangxu Ju, Masao Tabuchi, Yoshikazu Takeda, and Hiroshi Amano
Applied Physics Letters   110(26) 262105/1-5   2017年6月   [査読有り]
Ga1−xInxN epilayers (x = 0.09 or 0.14) grown on c-plane GaN layers with different densities of threading dislocations have been investigated by real-time x-ray reflectivity during metal-organic vapor phase epitaxial growth. We found that the densi...
Zheng Sun, Peifeng Song, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Journal of Crystal Growth   468 866-869   2017年6月   [査読有り]
A-plane GaN was attempted to be grown on (11-20) 4H-SiC bulk substrate without using a traditional thick buffer layer. By inducing TMAl treatment before the GaN growth step and using both a low pressure and V/III ratio, the interlayer thickness of ...
H. Iwata, H. Kobayashi, T. Kamiya, R. Kamei, H. Saka, N. Sawaki, M. Irie, Y. Honda, H. Amano
Journal of Crystal Growth   468 835-838   2017年6月   [査読有り]
Effect of rapid thermal annealing (RTA) on crystal defects in a GaN layer grown on a (111)Si substrate was investigated by photoluminescence (PL) and transmission electron microscopy (TEM) analyses. The PL spectra suggested that the density of gall...
Ousmane I Barry, Atsushi Tanaka, Kentaro Nagamatsu, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Junya Matsushita, Manato Deki, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hiroshi Amano
Journal of Crystal Growth   468 552-556   2017年6月   [査読有り]
We have investigated the effect of V/III ratio on the surface morphology, impurity concentration and electrical properties of m–plane (101¯0) Gallium Nitride (GaN) homoepitaxial layers. Four-sided pyramidal hillocks are observed on the nominally o...
Ho-Jun Lee, Si-Young Bae, Kaddour Lekhal, Akira Tamura, Takafumi Suzuki, Maki KUshimoto, Yoshio HOnda, and Hiroshi Amano
Journal of Crystal Growth   468 547-551   2017年6月   [査読有り]
We successfully grew semipolar (-101̅3) and (-101̅5) GaN films on Si(001) substrates employing metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) by inserting a directionally sputtered AlN (DS-AlN) buffer layer. To improve the crystal quality of the ...

書籍等出版物

 
MOCVD of Nitrides, Chapter 16 in Handbook of Crystal Growth, Second Edition
Hiroshi Amano (担当:共著)
Elsevier   2015年12月   
天野先生の「青色LEDの世界」
天野浩、福田大展 (担当:共著)
講談社   2015年9月   ISBN:978-4062579322
にすごいのはこれからだ! 青色LED技術の核心が分かる。
1500回を超える実験の末に生まれた青色LEDの本体、窒化ガリウム結晶。今では電力ロスを10分の1に減らすパワー半導体や、水問題を解決する水質浄化装置など、たんなる「照明」にとどまらない多様な可能性に世界が注目しています。青色LEDはなぜ夢のある技術なのか、その原理と研究の最前線を開発者自らが分かりやすく紹介します。
ワイドギャップ半導体 あけぼのから最前線へ
天野 浩  (担当:共著)
培風館   2013年1月   ISBN:978-4-563-06787-8
窒化物半導体に関する概論
紫外発光素子応用
III-Nitride Based Light Emitting Diodes and Applications, Introduction Part A. Progress and Prospect of Growth of Wide-Band-Gap III-Nitrides
Hiroshi Amano (担当:共著)
Springer   2013年   ISBN:978-94-007-5863-6
Captures an accurate snapshot regarding the field and provide an insightful review to all the key issues in anticipation of the revolution in lighting technology
Provides a comprehensive coverage of contemporary LED issues, such as efficiency droo...
バンドギャップエンジニアリング 第Ⅱ編 応用 光源技術の動向 -LED-
天野 浩
シーエムシー出版   2011年12月   ISBN:978-4-7813-0508-0
窒化物半導体を用いた白色LEDの開発状況に関する概説。

講演・口頭発表等

 
世界を照らすLED [招待有り]
天野 浩
平成28年度(一社)名古屋薬業倶楽部 講演会   2016年12月13日   (一社)名古屋薬業倶楽部
世界を照らすLED [招待有り]
天野 浩
株式会社ニデック 創立45周年記念講演   2016年12月8日   株式会社ニデック
世界を照らすLED [招待有り]
天野 浩
2016-17年度国際ロータリーゾーン1.2.3 第45回ロータリー研究会   2016年12月1日   国際ロータリー第45回ロータリー研究会実行委員会
世界を照らすLED [招待有り]
天野 浩
教育シンポジウム   2016年11月26日   浜松・東三河地域イノベーション戦略推進協議会 長期的教育システム研究チーム(通称:トップガン)
世界を照らすLED [招待有り]
天野 浩
サイエンスプラザ   2016年11月23日   NTT物性科学基礎研究所

競争的資金等の研究課題

 
分極を有する半導体の物理構築と深紫外発光素子への展開
日本学術振興会: 科学研究費助成事業
研究期間: 2013年4月 - 2016年3月    代表者: 天野 浩
圧力印加MOVPEによる高品質InGaN厚膜成長
科学研究費助成事業
研究期間: 2010年4月 - 2013年3月    代表者: 天野 浩
次世代大電力制御用超高効率デバイス
科学研究費助成事業
研究期間: 2006年4月 - 2008年3月    代表者: 天野 浩
III族窒化物半導体(GaN)による大電力制御用FETの可能性を示すことを目的とした。平成18年度には、1.p型GaNゲート接合型HFETにおいて、表面パッシベーションによりオン抵抗の低減と相互コンダクタンスの増大を確認。2.サブスレッショルドスイングや、インバータとしてのオン損失・オフ損失が、従来のGaN系FETと比較して少ないことを確認。3.p型GaNゲート接合型HFETにおいて、障壁層組成・膜厚の制御およびゲート長、ソースドレイン間隔とオン抵抗依存性を確認。4.その関係からチャネル移...
光制御のための半導体ナノ構造作製
科学研究費助成事業
研究期間: 2006年4月 - 2009年3月    代表者: 上山 智
周期300nmの三角格子配置を有するモスアイ構造の作製方法を検討し、テーパー角度制御のためのエッチングマスク材構成を最適化することができた。また、理論計算によって予測された光透過率の角度依存性、光取出し効率の周期依存性は、実験値と定性的に一致することが確認できた。さらに、周期が500nm-600nmの範囲においては、モスアイ構造において反射される光が周期によって決定されるブラッグの回折条件を満たす反射角に変化することを見出し、SiC基板上青色LEDにこれを適用すると240%の光出力向上を得...
光・電子集積回路用長寿命発光素子のためのSi上無転位GaNの成長
科学研究費助成事業
研究期間: 2006年4月 - 2010年3月    代表者: 成塚 重弥
良好な光素子の実現が可能な無転位ナイトライド系材料をSi基板上に成長すること、成長した無転位領域を利用して、ナイトライド系材料による光素子を作製することを目的とする。

そのため、(1) 有機金属原料を使用できるよう分子線結晶成長装置を改造し、(2) 低温での選択成長条件を導出し、(3) 低角入射マイクロチャンネルエピタキシー(LAIMCE)をおこなう。

特許

 
3753747 : 窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード
小出 典克、山崎史郎、梅崎潤一、赤﨑勇。天野浩
PCT/JP2016/000895 : 薄膜基板と半導体装置とこれらの製造方法および成膜装置および成膜方法およびGaNテンプレート
天野 浩、本田善央、光成 正
方向性スパッタリングを用いたSi基板上への半極性面GaNの成長法
特願2015-222503 : III 族窒化物半導体基板の製造方法及びIII 族窒化物半導体基板
本田善央、天野浩、松本光二、小野俊昭
クラックを生じさせないためのSi基板上のGaN成長法
5330880 : 発光ダイオード素子及びその製造方法
上山智、天野浩、岩谷素顕、赤﨑勇、西村拓哉、寺前文晴、近藤俊行
5570625 : GaN系化合物半導体の成長方法及び成長層付き基板
天野 浩、上山 智