黒田 慧慶

バレル型成長炉におけるジフルオロシランを用いた選択エピタキシャルシリコン成長 

名古屋音楽大学研究紀要 (18) 15 1999年  

Selective Epitaxial Silicon From SiH₂F₂ in a Barrel Reactor 

NAGOYA COLLEGE OF MUSIC (18) 15 1999年  

シリコンエピタキシャルの研究 

豊田工業大学電子テバイス10年の歩み 62 1993年  

Study on Silicon Epitaxial 

62 1993年  

Low Temperature Silicon Thermal CVD Epitaxy Using Dichlorosilane and difluorosilane as Reactant Gas 

Journal of Crystal Growth 106,719 1990年  

バレル型成長炉による低温シリコンエピタキシャル成長 

電子情報通信学会 ED88-22,CPM88-13 1988年  

A Quantitative Calculation of the Temperature Oscillations at the Growth Interface 

Bulletin of Nagoya College of Music 11,25 1988年  

シリコン融液の温度変動と結晶の完全性 

応用物理学会 結晶工学分科会第84回研究会 19 1984年  

Temperature Oscillations at the Crystal Interface in Silicon Crystals 

Journal of Crystal Growth 61,173 1983年  

Causes of Thickness Non-Uniformity in Silicon Ribbon Crystals 

Japanese Journal of Applied Physics 20,1211 1981年  

Fabrication and Properties of Silicon Solar Cells Using Squarely Shaped Crystal 

Japanese Journal of Applied Physics, Supplement 20-2(20) 31 1981年  

Fabrication and Properties of Diffused Solar Cells Using Solar-Grade Silicon Prepared by a Fluidized-Bed Reactor 

Japanese Journal of Applied Physics, Supplement 20-1(20) 297 1981年  

Problems in Growth of 4-inch Wide Silicon Ribbon Crystals 

Japanese Journal of Applied Physics, Supplement 19-2(19) 19 1980年  

Czochralski Growth of Square Silicon Single Crystals 

Japanese Journal of Apllied Physics 19,L361 1980年  

Inhomogeneity in Silicon Single Crystal Ingots Grown from Metallurgical Grade Silicon 

Journal of Crystal Growth 49,53 1980年  

Efficient Solar Cells from Metallurgical Grade Siicon 

Japanese Journal of Applied Physics, Supplement 19-1(19) 539 1980年