市村 晃一

J-GLOBALへ         更新日: 13/01/08 15:13
 
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研究者氏名
市村 晃一
 
イチムラ コウイチ
所属
北海道大学
部署
大学院工学研究院 応用物理学部門
職名
准教授
学位
博士(理学)(北海道大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2007年4月
 - 
現在
北海道大学 大学院工学研究院 応用物理学部門 准教授
 
1994年5月
 - 
2007年3月
北海道大学 大学院理学研究科 物理学専攻 助手
 
1992年4月
 - 
1994年3月
北海道大学 大学院理学研究科 物理学専攻 日本学術振興会 特別研究員
 

学歴

 
 
 - 
1993年
北海道大学 理学研究科 物理学
 
 
 - 
1988年
北海道大学 理学部 物理学
 

論文

 
TSUCHIYA Satoshi, YAMADA Jun‐ichi, TANDA Satoshi, ICHIMURA Koichi, TERASHIMA Taichi, KURITA Nobuyuki, KODAMA Kota, KODAMA Kota, UJI Shinya, UJI Shinya
Phys Rev B Condens Matter Mater Phys   85(22) 220506   2012年6月
Kumagai Genki, Matsuura Toru, Ichimura Koichi, Yamaya Kazuhiko, Inagaki Katsuhiko, Tanda Satoshi
Physical Review B   81(18) 184506   2010年5月
We measured the magnetic torque of the ring-shaped crystals of TaSe3 by using piezoresistive cantilevers to investigate the superconducting topological properties. We measured three ring samples and we observed that the magnetic torque of the ring...
NOBUKANE Hiroyoshi, INAGAKI Katsuhiko, TSUCHIYA Satoshi, ASANO Yasuhiro, ICHIMURA Koichi, YAMAYA Kazuhiko, TAKAYANAGI Shigeru, KAWASAKI Ikuto, TENYA Kenichi, AMITSUKA Hiroshi, TANDA Satoshi
Jpn J Appl Phys   49(2,Issue 1) 020209.1-020209.3   2010年2月
ICHIMURA Koichi, TAKAMI Makoto, NOMURA Kazushige
J Phys Soc Jpn   77(11) 114707.1-114707.6   2008年11月
NAGASAWA Mitsuharu, NAGASAWA Tokiko, ICHIMURA Koichi, NOMURA Kazushige
J Phys Soc Jpn   77(10) 105002.1-105002.2   2008年10月
INAGAKI Katsuhiko, TSUBOTA Masakatsu, HIGASHIYAMA Kazuki, ICHIMURA Koichi, TANDA Satoshi, YAMAMOTO Kenichiro, HANASAKI Noriaki, IKEDA Naoshi, NOGAMI Yoshio, ITO Takayoshi, TOYOKAWA Hidenori
J Phys Soc Jpn   77(9) 093708.1-093708.4   2008年9月
ICHIMURA Koichi, NOMURA Kazushige
J Phys Soc Jpn   75(5) 051012.1-051012.9   2006年5月
ICHIMURA Koichi, NOMURA Kazushige, KAWAMOTO Atsushi
Jpn J Appl Phys Part 1   45(3B) 2264-2267   2006年3月
Tunneling Spectroscopy on kappa-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br Using STM (共著)
Synthetic Metals   133-134, 213-214    2003年
STM Spectroscopy on Partially Deuterated kappa-(BEDT-TTF)2Cu[N(CN)2]Br (共著)
Synthetic Metals   137, 1229-1230    2003年

Misc

 
長澤光晴, 長澤時子, 市村晃一, 野村一成
日本物理学会講演概要集   67(1) 918   2012年3月
河島 佑樹, 黒澤 徹, 市村 晃一, 小田 研, 山谷 和彦, 丹田 聡
日本物理学会講演概要集   66(2)    2011年8月
石岡 準也, 藤井 敏之, 市村 晃一, 小田 研, 丹田 聡
日本物理学会講演概要集   66(2)    2011年8月
上遠野 一広, 市村 晃一, 河島 佑樹, 山谷 和彦, 丹田 聡
日本物理学会講演概要集   66(2)    2011年8月
岡 雄基, 阿部 良太, 延兼 啓純, 松永 悟明, 野村 一成, 市村 晃一, 河本 充司
日本物理学会講演概要集   66(2)    2011年8月
上遠野一広, 市村晃一, 河島佑樹, 山谷和彦, 丹田聡
日本物理学会講演概要集   66(2) 854   2011年8月
石岡準也, 藤井敏之, 市村晃一, 小田研, 丹田聡
日本物理学会講演概要集   66(2) 801   2011年8月
河島佑樹, 黒澤徹, 市村晃一, 小田研, 山谷和彦, 丹田聡
日本物理学会講演概要集   66(2) 625   2011年8月
岡雄基, 阿部良太, 延兼啓純, 松永悟明, 野村一成, 市村晃一, 河本充司
日本物理学会講演概要集   66(2) 887   2011年8月
河島 佑樹, 黒澤 徹, 市村 晃一, 小田 研, 山谷 和彦, 丹田 聡
日本物理学会講演概要集   66(1)    2011年3月

所属学協会

 
 

Works

 
有機超伝導体のSTM分光
1996年
カーボンナノチューブのSTM/STS
1999年
Bi系酸化物の超伝導ギャップ
1990年 - 1998年

競争的資金等の研究課題

 
文部科学省: 科学研究費補助金(挑戦的萌芽研究)
研究期間: 2012年 - 2012年    代表者: 市村 晃一
文部科学省: 科学研究費補助金(新学術領域研究(研究領域提案型))
研究期間: 2009年 - 2010年    代表者: 市村 晃一
本研究は、高圧力下で動作する走査トンネル顕微鏡(STM)を新規に開発し、これを用いて分子性導体の基底状態を調べることを目的としている。1.高圧STMのための装置開発ヘリウムガスを用いてボンベ圧(~10MPa)から増圧し100MPaまで加圧可能なヘリウムガス圧発生装置を整備した。これに接続するSTM用圧力セルを新規に製作し室温で100MPaまでの加圧試験を行った。この高圧セル内に、小型のシェアピエゾによる粗動用アクチュエーターおよび探針走査用のチュープスキャナーなどからなるSTMヘッドを組み...
文部科学省: 科学研究費補助金(特定領域研究)
研究期間: 2006年 - 2007年    代表者: 野村 一成
ドナー分子の中心にTCF骨格を持たないβ-(BDA-TTP)_2SbF6_(T_c=7.5K)の超伝導相においてSTMを用いたトンネル分光測定を行った。この系は近隣め物質の振る舞いからκ-(BEDT-TTF)_2X系と同様に電子相関が強い2次元電子系と考えられるが、β-型の構造を持つためκ-(BEDT-TTF>_2Xのようなモット絶縁体に隣接した超伝導ではないと考えられ、そのルカニズムに興味が持たれる。伝導面でのトンネルスペクトルはT_cよりも十分低温では、ゼロバイアス付近のコンダクタンス...
文部科学省: 科学研究費補助金(基盤研究(C))
研究期間: 2005年 - 2006年    代表者: 市村 晃一
本研究では、層状化合物NbSe_2で構成されたナノチューブにおいてSTM/STSを行った。NbSe_2ナノチューブ試料は気相反応法により作成された。劈開したグラファイト(HOPG)上に、2-プロパノール溶媒中で超音波分散させたNbSe_2ナノチューブを滴下することによりSTM/STS測定用の試料を準備した。室温でのSTM像から、300-2000nm程度の長さのNbSe_2ナノチューブが観測された。そのほとんどは長さが600nm以上で直線状である。これらのナノチューブの径は2-50nmと見積...
文部科学省: 科学研究費補助金(特定領域研究)
研究期間: 2004年 - 2005年    代表者: 野村 一成
圧力下で誘起される擬一次元有機導体(TMTTF)_2Brのスピン密度波(SDW)相において、圧力を詳細に変化させた非線形電気伝導の測定により、SDWのスライディングのダイナミクスを電子バンドの1次元性との関わりから調べた。いずれの圧力でもSDW転移温度T_<SDW>以下の温度での電流電圧特性において、電場の増加とともにしきい電場E_Tを伴った鋭い伝導度の増大が観測され、ピン止めをはずしたSDWのスライディングが確認された。静止摩擦に相当するしきい電場E_Tの絶対値は低圧領域において、電子バ...