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J-GLOBAL ID: 200901050221200700
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Transfer-free fabrication of graphene field effect transistor arrays using solid-phase growth of graphene on a SiO2/Si substrate

Masato Tamaoki, Hideki Imaeda, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

Applied Physics Letters 103(18) 183114 2013年10月28日
Transfer-free fabrication of graphene field effect transistor arrays using solid-phase growth of graphene on a SiO2/Si substrate

Masato Tamaoki, Hideki Imaeda, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

Applied Physics Letters 103(18) 183114 2013年10月28日
Fabrication of Thin-Film Transistor Integrated Circuits on Flexible Substrate by Transfer Technique of Carbon Nanotube Network Using Poly(vinyl alcohol)

Satoshi Ishii, Mamoru Nishu, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(10) 035203 2013年10月
Fabrication of Thin-Film Transistor Integrated Circuits on Flexible Substrate by Transfer Technique of Carbon Nanotube Network Using Poly(vinyl alcohol)

Satoshi Ishii, Mamoru Nishu, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(10) 035203 2013年10月
Effects of graphene thickness on the electrical properties of carbon nanotube field effect transistors with graphene contacts

Masato Tamaoki, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

Applied Physics Letters 103(3) 033120 2013年7月15日
Effects of graphene thickness on the electrical properties of carbon nanotube field effect transistors with graphene contacts

Masato Tamaoki, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

Applied Physics Letters 103(3) 033120 2013年7月15日
Conduction-Type Control of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors by Ti and Pd Overlayer

Satoshi Ishii, Masato Tamaoki, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(3) 035203 2013年3月
Conduction-Type Control of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors by Ti and Pd Overlayer

Satoshi Ishii, Masato Tamaoki, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 52(3) 035203 2013年3月
Electrical properties of the graphitic carbon contacts on carbon nanotube field effect transistors

M. Tamaoki, S. Kishimoto, Y. Ohno, T. Mizutani

Appl. Phys. Lett. 101(022101) 1-3 2012年7月
Electrical properties of the graphitic carbon contacts on carbon nanotube field effect transistors

M. Tamaoki, S. Kishimoto, Y. Ohno, T. Mizutani

Appl. Phys. Lett. 101(022101) 1-3 2012年7月
Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube

Yuki Okigawa, Yutaka Ohno, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(2) 1-4 2012年2月
Observation of n-Type Conduction in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Au Contacts in Vacuum

Hideki Imaeda, Satoshi Ishii, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(2) 1-4 2012年2月
Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube

Yuki Okigawa, Yutaka Ohno, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(2) 1-4 2012年2月
Observation of n-Type Conduction in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors with Au Contacts in Vacuum

Hideki Imaeda, Satoshi Ishii, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno, Takashi Mizutani

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 51(2) 1-4 2012年2月
Air-Free Fabrication and Investigation of Effect of Air Exposure on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

Satoshi Ishii, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno, Takashi Mizutani

MATERIALS EXPRESS 1(4) 285-290 2011年12月
Air-Free Fabrication and Investigation of Effect of Air Exposure on Carbon Nanotube Field-Effect Transistors

Satoshi Ishii, Shigeru Kishimoto, Yutaka Ohno, Takashi Mizutani

MATERIALS EXPRESS 1(4) 285-290 2011年12月
Comparative study of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with Al2O3 and HfO2 gate oxide

Eiji Miyazaki, Yuji Goda, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

SOLID-STATE ELECTRONICS 62(1) 152-155 2011年8月
Comparative study of AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with Al2O3 and HfO2 gate oxide

Eiji Miyazaki, Yuji Goda, Shigeru Kishimoto, Takashi Mizutani

SOLID-STATE ELECTRONICS 62(1) 152-155 2011年8月
Thin Single-Walled Carbon Nanotubes with Narrow Diameter Distribution Grown by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Combined with Co Nanoparticle Deposition

S. Ishii, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani

Jpn. J. Appl. Phys. 50(015102) 1-4 2011年1月
Thin Single-Walled Carbon Nanotubes with Narrow Diameter Distribution Grown by Cold-Wall Chemical Vapor Deposition Combined with Co Nanoparticle Deposition

S. Ishii, Y. Ohno, S. Kishimoto, T. Mizutani

Jpn. J. Appl. Phys. 50(015102) 1-4 2011年1月

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講演・口頭発表等

(NH4)2S処理によるAl2O3 AlGaN/GaN MOS FET特性の改善

第58回応用物理学関係連合講演会 2011年
嫌気環境下CNT-FETの作製とその評価

第58回応用物理学関係連合講演会 2011年
PECVD成長CNTのPVAによるPEN基板への転写とTFT作製

第58回応用物理学関係連合講演会 2011年
PECVDを用いたCNT薄膜トランジスタの集積回路の実現

第58回応用物理学関係連合講演会 2011年

共同研究・競争的資金等の研究課題

カーボンナノチューブFETの開発

2006年 - 2010年
Development of carbon nanotube FETs

2006年 - 2010年
高性能GaN HEMTの開発

2003年 - 2010年
高品質カーボンナノチューブの生成

2003年 - 2010年
Development of a highly efficient GaN HEMT

2003年 - 2010年
Generation of quality carbon nanotubes

2003年 - 2010年
量子ナノ構造形成技術の研究

2002年 - 2010年
Fabrication of quantum nanostructures

2002年 - 2010年

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