野田 実

J-GLOBALへ         更新日: 08/08/26 00:00
 
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研究者氏名
野田 実
 
ノダ ミノル
所属
京都工芸繊維大学
部署
大学院工芸科学研究科 電子システム工学部門・電子機器工学講座
職名
教授
学位
博士(工学)(大阪大学), 工学博士

研究分野

 
 

経歴

 
1983年
 - 
1997年
三菱電機株式会社
 
1997年
   
 
- 大阪大学大学院基礎工学研究科
 

学歴

 
 
 - 
1983年
大阪大学 基礎工学研究科 物理系・電気
 
 
 - 
1981年
大阪大学 基礎工学部 電気工学
 

委員歴

 
1999年
 - 
2000年
応用物理学会  幹事(関西支部)
 
1998年
   
 
電気学会  編集委員(E部門),論文委員(E部門)、論文委員幹事(E部門)、調査専門委員会幹事(C部門、E部門)
 
1997年
   
 
センシング技術応用研究会  幹事
 
2004年
   
 
電気学会誘電体薄膜集積技術調査専門委員会  幹事
 

受賞

 
1990年
R&D100賞
 
2003年
センシング技術応用研究会 会長表彰
 

Misc

 
MFISおよびMIFIS構造のメモリ保持特性の解析
電子情報通信学会Technical Report of IEICE. SDM   2000-232   2001年
Y. Matsui, M. Okuyama, M. Noda and Y. Hamakawa: Appl. Phys, A28
161    1982年
M. Noda, M. Okuyama, and Y. Hamakawa, "CARRIER TRAPPING CENTERS AND INTERFACE STATES INDUCED BY r.f. SPUTTERING OF MOLYBDENUM ELECTRODES IN MOS-STRUCTURE DIODES,"
Solid-State Electronics   27(5), 399-406    1984年
May 1984
S. Takano, H. Makino, N. Tanino, M. Noda, K. Nishitani, and S. Kayano, "A GaAs 16K SRAM with a Single 1 - V Supply,"
IEEE J. Solid-State Circuits   SC-22, 699-703    1987年
Oct. 1987
H. Makino, S. Matsue, M. Noda, N. Tanino, S. Takano, K. Nishitani, and S. Kayano, "A 7-ns / 850-mW GaAs 4-kb SRAM with Little Dependence on Temperature,"
IEEE J. Solid-State Circuits   SC-25, 1232-1238    1990年
Oct. 1990

書籍等出版物

 
新編 光学材料ハンドブック
(2. 3. 3室温動作赤外線センサ)(リアライズ社)   
COMPOUND SEMICONDUCTOR TRANSISTORS -Physics and Technology-, 編者: S. Tiwari,、共著者: N. Moll, L.H.Camnitz, R.W.H. Engelmann, R.A. Pucel, J.M. Golio,P.L.Hower, S.H. Wemple, S. Miyazawa, D.J. Miller, M. Noda, 他28名
IEEE Press   1993年   
新編 光学材料ハンドブック、編者:福見俊夫、堀江一之、久保寺憲一、共著者:前田三男、原勝男、河田聡、井上康志、田和圭子、皆方誠、小林孝嘉、岡田修司、中西八郎、奥山雅則、野田実、他50名
リアライズ社   
平成12年12月

Works

 
出願番号 : 特許公開平11-271141 特願平10-72571 発明の名称 : 赤外線検出回路および赤外線2次元イメージセンサ
出願番号 : 特許公開平11-271142 特願平10-72586 発明の名称 : 強誘電体薄膜材料、その製造方法およびそれを用いた赤外線検出素子
出願番号 : 特許公開平2001-343282 特願2000-164689 発明の名称 : 赤外線検出素子・赤外線2次元イメージセンサおよびその製造方法
出願番号 : 特許公開平2002-124708特願2000-240966 発明の名称 : 薄膜形成方法、高誘電体容量形成方法および誘電ボロメータ
出願番号:特願2002-276399 発明の名称:金属酸化物の簿膜作成方法およびそれらにより得られた金属酸化物の簿膜

競争的資金等の研究課題

 
強誘電体メモリデバイスに関する研究
非冷却赤外線センサに関する研究
強誘電体薄膜に関する研究
超高周波・超高速電子デバイス・回路に関する研究
低消費電力・携帯型高感度赤外線センサに関する研究

特許

 
Infrared detecting element, infrared, two-dimensional image sensor, and method of manufacturing the same
6,635,495
Apparatus and method for forming thin film at low temperature and high deposition rate
6,576,566
Semiconductor integrated circuit including opppsed substrates of different semiconductor materials and method of manufacturing the semiconductor integrated circuit
5,606,186
Method of making an asymmetrical MESFET having a single sidewall spacer
5,510,280
Method for producing a semiconductor integrated circuit
5,468,685