椿 光太郎

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アバター
研究者氏名
椿 光太郎
 
ツバキ コウタロウ
URL
http://www2.toyo.ac.jp/~tsubaki-k/index.htm
所属
東洋大学
部署
総合情報学部 総合情報学科
職名
教授
学位
博士(工学)(北海道大学)
科研費研究者番号
10360166

研究分野

 
 

経歴

 
2009年4月
 - 
現在
東洋大学  総合情報学部 教授
 
1978年4月
 - 
2002年9月
日本電信電話株式会社 物性科学基礎研究所
 
2002年10月
 - 
2009年3月
東洋大学 工学部  教授
 

学歴

 
 
 - 
1978年
東京大学 理学系研究科 物理学専攻
 
 
 - 
1976年
東京大学 理学部 物理学
 

論文

 
民生用カメラを用いた可搬型微粒子粒径測定装置
椿 光太郎
Chemical Engineering   60(9) 667-674   2015年9月   [招待有り]
Magnetic field induced by the carbon nanotubes current by magnetic force microscopy
椿 光太郎、NTT物性科学基礎研究所 山口浩司
Physica E   40(6) 2220-2221   2008年4月
Proposal of Carbon nanotube Inductors
椿 光太郎、中島義賢, 花尻 達郎, 山口浩司
J. Physics   38 49-52   2006年1月
Electron Transport in U-shape Carbon
椿 光太郎、鳥谷部 達, 花尻 達郎, 蒲生西谷 美香
Industrial Technology   28 30-34   2005年1月
Magnetometory of AlGaN/GaN heterostructure waferes
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 小林直樹
AIP Conference Proceedings   447-448   2005年1月
Electron transport propeties in lightly-Si-doped InGaN films grwon by metalorganic vapor phase epitaxy
椿 光太郎、王成新, 小林直樹, 牧本俊樹, 前田就彦
Jpn J. Appl. Phys.   43(6A) 3356-3359   2004年1月
Electron transport propeties in AlGaN/InGaN/GaN double heterostructures grown by metalorganic vapor phase epitaxy
椿 光太郎、王成新, 前田就彦, 小林直樹, 牧本俊樹
Appl. Phys. Lett.   84(13) 2313-2315   2004年1月
Hall resistance hysteresis in AlGaN/GaN 2DEG
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 小林直樹
Physica E   21(41674) 676-678   2004年1月
Magnetometory of AlGaN/GaN heterostructure waferes
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 小林直樹
Bulletin of The MAR04 Meeting of the American Physical Society   H10.2   2004年1月
Hall Plateau at small magnetic field in AlGaN/GaN
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
The mesoscopic superconductor and spintronics   117-121   2003年3月
Spin Splitting in modulation-doped AlGaN/GaN two-dimensional electron gas
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Proceedings of the 26th Int. Conf. Phys. Semiconductors      2003年1月
Doping design of GaN-based heterostructure field-effect transistors with high electron density for high-power amplications
椿 光太郎、前田就彦, 俵毅彦, 斉藤正, 小林直樹
Physica Status Solidi (a)   200(1) 168-174   2003年1月
Hall resistance hysteresis in AlGaN/GaN 2DEG
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 小林直樹
Bulletin of The MAR03 Meeting of the American Physical Society   Q19.3   2003年1月
Two-dimensional electron gas transport properties in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors designed for high-power amplications
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 俵毅彦, 小林直樹
Optical Materials   23(41641) 211-217   2003年1月
'Two-dimensional electron gas transport properties in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors designed for high-power applications'
Optical Materials   23(1-2) 211-217   2003年
Spin Splitting in modulation-doped AlGaN/GaN two-dimensional electron gas
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Appl. Phys. Lett.   80(17) 3126-3128   2002年4月
Gate voltage dependence of subband structure in a two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Physica E   13(41674) 1111-1114   2002年3月
Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN HFETs with high Al compositions
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Inst. Phys. Conf. Ser.   170    2002年1月
Back-doping design in AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistor for high-power applications
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Material Research Soc. Symp. Proceeding      2002年1月
Nanoparticle Induced Multi-functionalization of Silicon: A Plug and Play Approach
椿 光太郎、K.Prabhankaran
Applied Surface Science   190(41643) 161-165   2002年1月
'Spin-splitting in modulation-doped AlGaN/GaN two-dimensional electron gas'
Appl. Phys. Lett.   80(17) 3126-3128   2002年
'Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN HFETs with high Al compositions'
Inst. Phys. Conf. Ser.   170 107-112   2002年
'Gate voltage dependence of subband structure in a two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructures'
Physica E   13 1111-1113   2002年
'Nanoparticle Induced Multi-Functionalization of Silicon, A Plug and Play Approach'
Applied Surface Socience.   190(1-4) 161-165   2002年
AlGan/GaN Heterostructure Field Effect Transisotor with High Al Compositions Fabricated with Selective Area Regrwoth
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Physica Status Solidi (a)   188(1) 223-226   2001年1月
Aharonov-Bohm Oscillation in Rings with Permalloy
椿 光太郎
Jpn J. Appl. Phys.   40(3B) 1902-1905   2001年1月
Electronic subbands of two-dimensional electron gas in AlGaN/GaN heterostructure
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Proceedings of the 25th Int. Conf. Phys. Semiconductors   1593-1594   2001年1月
Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Single- and Double-heterostructure Field Effect Transistor
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Materials Science & Engineering B B   82 232-237   2001年1月
High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Appl. Phys. Lett.   79(11) 1634-1636   2001年1月
AlGaN/GaN Heterostructure FET
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正
NTT R&D   50(1) 8-11   2001年1月
High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors
椿 光太郎、前田就彦, 斉藤正, 西田敏夫, 小林直樹
Material Research Soc. Symp. Proceeding   639 G11.14   2001年1月
AlGaN/GaN ヘテロ構造FET
NTT R&D   50(1) 8-16   2001年
'Aharonov-Bohm Oscillation in Rings with Permalloy'
Jpn. J. Appl. Phys.   40(3B) 1902-1905   2001年
'High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect transistor'
Material Research Soc.   639 G11.14   2001年
'AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor with High Al Compositions Fabricated with Selective Area Regrowth'
Physica Status Solidi. (a)   188(1) 223-226   2001年
'High-Temperature Electron Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor'
Appl. Phys. Lett.   79 1634-1636   2001年
'Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor'
Material Science&Engineering B   B82 232-237   2001年
'Two-dimensional Electron Gas Transport Properties in AlGaN/(In)GaN/AlGaN Double-heterostructure Field Effect Transistor'
Material Research Soc.   595 W4.7.1   2000年
'Enhanced effect of polarization on electron transport properties in AlGaN/GaN Double-heterostructure Field Effect Transistors'
Appl.Phys. Lett.   76(21) 3118-3120   2000年
'Electron transport properties in AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors at high electron densities'.
IPAP Conf. Ser.   1 953-956   2000年
'Enhanced two-dimensional electron gas confinement effect on transport properties in AlGaN/InGaN/AlGaN double-heterostructures'
Physica Status Solidi. (b)   216(1) 727-731   1999年
'Superior pinch-off characteristics at 400 C in AlGaN/GaN heterostructures field effect transistor'
Jpn. J. Appl. Phys.   38(9A/B) L987-989   1999年
'Enhanced electron mobility in AlGaN/InGaN/AlGaN double-heterostructures by piezoelectric effect'
Jpn. j. Appl. Phys.   38(7B) L799-L801   1999年
'Quantized magnetotransport through magnetic barrier systems'
Inst. Phys. Conf. Ser.   no.162 Chap.7 pp.373-378    1999年
'Longitudinal magnetoresistance in magnetic barrier system'
Physica B   456-458 392-396   1998年
'Observation of shot noise suppression at the peaks of Coulomb oscillations'
Solid-State Electronics   42(7-8) 1429-1431   1998年
'Noninvasive determination of the ballistic-electron current distribution'
Phys. Rev. B   54(3) 1947-1952   1996年
'Ballistic transport and low-frequency noise in high mobility two-dimensional electron systems'
Inst. Phys. Conf. Ser.   no.127 Chap.4 pp.127-132    1993年
'Electron wave interference in Mach-Zehnder channels'
Inst. Phys. Conf. Ser.   no.129 Chap.5 pp.293-298    1993年
'Low-frequency noise in very high mobility modulation-doped structures'
Appl. Phys. Lett.   61(24) 2926-2928   1992年
'Electron wave interference in fractional layer superlattice(FLS)quantum wires'
Inst. Phys. Conf. Ser.   no.120 Chap.12 pp.619-624    1992年
'Aharonov-Bohm effect under high magnetic field in a Corbino disk anti-dot channel'
Surface Science   263 392-395   1992年
'Fractional superlattices grown by MOCVD and their device applications'
Surface Science   267 588-592   1992年
'Density of states of AlAs/GaAs fractional layer superlattice quantum wires in a modulation doped structure'
Surface Science   267 270-273   1992年
極微細構造半導体の電子輸送
NTT R&D   40(10) 1391-1398   1991年
'Carrier concentration in quantum wires fabricated by reactive ion beam etching'
Jpn. J. Appl. Phys   30(10) 2455-2458   1991年
'Electron wave interference device with fractional layer superlattices'
Appl. Phys. Lett.   58(4) 376-378   1991年
極微細構造結晶と電子波干渉素子
電気学会論文誌C   110(12) 721-728   1990年
'Mobility modulation on a modulation-doped structure with an AlAs/GaAs with a fractional layer superlattice'
Appl. Phys. Lett.   57(8) 804-806   1990年
'Electronic state of AlAs/GaAs vertical superlattice in modulation doped structure'
Inst. Phys. Conf. Ser.   no.106 Chap.11 pp.869-875    1990年
'Suppression of acoustic phonon scattering in two-dimensional electron-gas on(InAs)1(GaAs)1/InP heterointerfaces'
Appl. Phys. Lett.   54(24) 2414-2416   1989年
'Electron wave interference device with vertical superlattices working in large current region'
Electronics Letters   25(11) 728-729   1989年
半導体における電子の干渉効果
固体物理   23(9) 714-720   1988年
'New Field-effect transistor with quantum wire and modulation-doped heterostructures'
Electronics Letters   24(20) 1267-1268   1988年
'Coherence length in quantum interference devices having periodic potential'
JSAP-MRS INT'l. Conf. on Elec. Mats   99-102   1988年
'Coherence length in quantum interference devices having periodic potential'
Appl. Phys Lett.   53(10) 859-861   1988年
'Conductivity oscillation due to quantum interference in a proposed wash-board transistor'
Appl. Phys. Lett.   51(22) 1807-1808   1987年
'Device characterization of p-channel AlGaAs/GaAs MIS-like heterostructure FET's'
IEEE Electron. Dev.   ED-34(12) 2399-2404   1987年
'A p-channel AlGaAs/GaAs MIS-like heterostructure FET employing two dimensional hole gas'
Surface Science   174 378-380   1986年
'Temperature dependence of two-dimensional hole gas in modulation-doped p-AlxGa1-xAs/GaAs heterojunctions'
J. Appl. Phys.   59(10) 3527-3531   1986年
'Origin of persistent photoconductivity in n-InP/GaInAs two-dimensional electron gas'
J. Appl/ Phys.   60(9) 3224-3226   1986年
'Magnetoresistance of n-AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas thin wire'
Surface Science   170 33-37   1986年
'High field electron transport in n-InP/GaInAs two-dimensional electron gas'
Appl. Phys. Lett.   46(9) 875-877   1985年
'Warm electron system in the n-AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas'
Appl. Phys. Lett.   46(8) 764-766   1985年
'Electron mobility limits of two-dimensional electron gas in n-AlGaAs/GaAs at low temperature'
J. Appl. Phys.   57(12) 5354-5358   1985年

書籍等出版物

 
ネットワークと社会
椿 光太郎
社団法人日本機械学会   2008年4月   
「メカトロニクス・ロボット分野のモジュール製品製造現場における中核人材育成事業」では、メカトロニクス分野でモジュール製品の現場技術者に対して、広範な要素部品を統合する能力を涵養し、現場の中核としてマネージメント力を備え、製品ライフサイクルに対する適応能力の高い “潰し”の利く人材を育成する。多様な要素技術課題解決のために広範な要素部品を統合する能力の一つである「ネットワーク・情報」の知識・能力を涵養するために執筆し、ネットワークを利用する技術者を対象とした

講演・口頭発表等

 
Measurements of fine-particle-size using the image processing of laser diffraction image
椿 光太郎
20th Microoptics Conference   2015年10月25日   
微粒子レーザー回折像の画像処理による粒径測定
椿 光太郎
第62回応用物理学会春季学術講演会   2015年3月11日   
イメージセンサーを使用したレーザー回折法による微粒子粒径測定システム
椿 光太郎
第61回応用物理学会春季学術講演会   2014年3月17日   
エレクトライドC12A7の常温強磁性
椿 光太郎
2014年3月3日   
エレクトライドC12A7の常温強磁性
椿 光太郎
第74回応用物理学学術講演会   2013年9月16日   

競争的資金等の研究課題

 
組込み型超小型微粒子粒径測定システムの開発
科学技術振興機構: マッチングプランナープログラム
研究期間: 2016年6月 - 2017年3月    代表者: 椿 光太郎
GaN2次元電子ガスの輸送現象の研究
JST戦略的創造研究推進制度(研究チーム型) (戦略的基礎研究推進事業:CREST)
研究期間: 1998年 - 2005年
量子電子物性制御の研究
その他の研究制度
研究期間: 1995年 - 2003年
カーボンナノチューブの電子物性
経常研究
研究期間: 2003年   
半導体ナノサイエンス
特別研究

特許

 
特願2013-156632 : 粒径測定装置および粒径測定方法
椿 光太郎、荒井 政彦
特願2005-033877 : 局所的巨大磁場発生装置
椿 光太郎
特願2004-000564 : 電圧発生方法および電圧発生装置
椿 光太郎
特願2003-384114 : モノリシック集積回路用コイルの作製方法およびモノリシック集積回路
椿 光太郎
液相エピタキシャル成長法
1396420
電界効果トランジスター
1465558
半導体スィッチング装置
2544476

社会貢献活動

 
民生用カメラを使用した携帯型微粒子粒径計測装置
【司会】  Japan Science and Technology Agency  Inovation Japan 2015  2015年8月27日 - 2015年8月28日

その他

 
2006年
産学協同教育センター社会人講座
講義「ネットワーク」
2005年
私立大学等研究設備整備費等補助金選定委員
2005年
局所的巨大磁場発生装置(特許)
2005-033877
2004年
日本学術振興会外国人招聘研究者
テーマ「カ-ボンナノチュ―ブおよび関連化合物における近藤効果」
2004年
電圧発生方法および電圧発生装置(特許)
2004-564