附田正則 (Masanori Tsukuda) - マイポータル

基本情報

所属: 九州工業大学大学院生命体工学研究科生体機能応用工学専攻特任准教授

学位: 博士（工学）(九州工業大学)

J-GLOBAL ID: 201401064740804169
researchmap会員ID: B000235602

研究キーワード

研究分野

ものづくり技術（機械・電気電子・化学工学） / 電子デバイス、電子機器 / パワーエレクトロニクス

経歴

2019年1月 - 現在

九州工業大学, 大学院生命体工学研究科生体機能応用工学専攻, 特任准教授
2015年10月 - 現在

北九州市環境エレクトロニクス研究所
2015年4月 - 2015年9月

北九州市
2014年10月 - 2015年3月

アジア成長研究所
2010年3月 - 2014年9月

公益財団法人国際東アジア研究センター
1991年4月 - 2010年2月

株式会社東芝

学歴

2010年10月 - 2013年6月

国立大学法人九州工業大学

受賞

2017年9月

2018 IEEE Transactions on Power Electronics Prize Letter Award, A New Output Current Measurement Method With Tiny PCB Sensors Capable of Being Embedded in an IGBT Module, IEEE Power Electronics Society

Kazunori Hasegawa, Satoru Takahara, Shoji Tabata, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura
2005年4月

The 2005 International Power Electronics Conference（IPEC-Niigata） Prize Paper Award, Demonstration of High Output Power Density （30 W／cc） Converter using 600 V SiC-SBD and Low Impedance Gate Driver, 電気学会

附田正則

論文

Envelop tracking based embedded current measurement for monitoring of IGBT and power converter system

Bat-Ochir Bat-Otgon, Bayarkhuu Battuvshin, Hasegawa Kazunori, Tsukuda Masanori, Dugarjav Bayasgalan, Omura Ichiro

MICROELECTRONICS RELIABILITY 88-90 500-504 2018年9月査読有り
A fully digital feedback control of gate driver for current balancing of parallel connected power devices.

Array,Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

Microelectronics Reliability 88-90 505-509 2018年査読有り
Bias voltage criteria of gate shielding effect for protecting IGBTs from shoot-through phenomena.

Masanori Tsukuda, Seiya Abe, Kazunori Hasegawa, Tamotsu Ninomiya, Ichiro Omura

Microelectronics Reliability 88-90 482-485 2018年査読有り
Clamp type built-in current sensor using PCB in high-voltage power modules

M. Tsukuda, K. Nakashima, S. Tabata, K. Hasegawa, I. Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 76 517-521 2017年9月査読有り
Modelling of the shoot-through phenomenon introduced by the next generation IGBT in inverter applications

S. Abe, K. Hasegawa, M. Tsukuda, K. Wada, I. Omura, T. Ninomiya

MICROELECTRONICS RELIABILITY 76 465-469 2017年9月査読有り
General-Purpose Clocked Gate Driver IC With Programmable 63-Level Drivability to Optimize Overshoot and Energy Loss in Switching by a Simulated Annealing Algorithm

Koutarou Miyazaki, Seiya Abe, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura, Keiji Wada, Makoto Takamiya, Takayasu Sakurai

IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS 53(3) 2350-2357 2017年5月査読有り
Micro PCB Rogowski coil for current monitoring and protection of high voltage power modules

M. Tsukuda, M. Koga, K. Nakashima, I. Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 64 479-483 2016年9月査読有り
Failure analysis of power devices based on real-time monitoring

A. Watanabe, M. Tsukuda, I. Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 55(9-10) 2032-2035 2015年8月査読有り
High-throughput and full automatic DBC-module screening tester for high power IGBT

M. Tsukuda, H. Tomonaga, S. Okoda, R. Noda, K. Tashiro, I. Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 55(9-10) 1363-1368 2015年8月査読有り
16-Channel micro magnetic flux sensor array for IGBT current distribution measurement

H. Tomonaga, M. Tsukuda, S. Okoda, R. Noda, K. Tashiro, I. Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 55(9-10) 1357-1362 2015年8月査読有り
Short-circuit protection for an IGBT with detecting the gate voltage and gate charge

K. Hasegawa, K. Yamamoto, H. Yoshida, K. Hamada, M. Tsukuda, I. Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 54(9-10) 1897-1900 2014年9月査読有り
Structure oriented compact model for advanced trench IGBTs without fitting parameters for extreme condition: Part II

J. Takaishi, S. Harada, M. Tsukuda, I. Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 54(9-10) 1891-1896 2014年9月査読有り
Internal degradation monitoring of power devices during power cycling test

Akihiko Watanabe, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

International Conference on Integrated Power Electronics Systems 213-217 2014年2月査読有り
High-throughput DBC-assembled IGBT screening for power module

Masanori Tsukuda, Seiichi Okoda, Ryuzo Noda, Katsuji Tashiro, Ichiro Omura

International Conference on Integrated Power Electronics Systems 25-30 2014年2月査読有り
Real Time Monitoring System for Internal Process to Failure of High Power IGBT

Watanabe, M. Tsukuda, I. Omura

Solid State Devices and Materials 1692-1696 2013年9月査読有り
Real time degradation monitoring system for high power IGBT module under power cycling test

Akihiko Watanabe, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

MICROELECTRONICS RELIABILITY 53(9-11) 1692-1696 2013年9月査読有り
Sub-micron Junction Termination for 1200V Class Devices toward CMOS Process Compatibility

Kota Seto, Junpei Takaishi, Hironori Imaki, Masahiro Tanaka, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

2013 25TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 281-284 2013年査読有り
High Speed Turn-on Gate Driving for 4.5kV IEGT without Increase in PiN Diode Recovery Current

Yamato Miki, Makoto Mukunoki, Takashi Matsuyoshi, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

2013 25TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 347-350 2013年査読有り
Scattering parameter approach to power MOSFET design for EMI”, Proc. of ISPSD

M. Tsukuda, K. Kawakami, I. Omura

The International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 181-184 2012年6月査読有り
Universal Trench Edge Termination Design

Kota Seto, Ryu Kamibaba, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

2012 24TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS (ISPSD) 161-164 2012年査読有り

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MISC

PCBロゴスキーコイルを用いたPWMインバータ出力電流測定システムの開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

肖駿, 長谷川一徳, 一木真生, 大村一郎, 附田正則, 嘉藤徹

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2018(61) 1-5 2018年11月2日
PCBロゴスキーコイルを用いたPWMインバータ出力電流測定システムの開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

肖駿, 長谷川一徳, 一木真生, 大村一郎, 附田正則, 嘉藤徹

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2018(155) 1-5 2018年11月2日
PCBロゴスキーコイルを用いたPWMインバータ出力電流測定システムの開発

肖駿, 長谷川一徳, 一木真生, 大村一郎, 附田正則, 嘉藤徹

電気学会研究会資料 (EDD-18-061-070/SPC-18-155-164) 1‐5 2018年11月1日
次世代IGBT用超高速短絡保護システムの開発

一木真生, 有元貴昭, 安部征哉, 大村一郎, 附田正則

電気学会研究会資料 (EDD-18-049-052.054-060/SPC-18-143-146.148-154) 41‐44 2018年11月1日
次世代IGBT用超高速短絡保護システムの開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

一木真生, 有元貴昭, 安部征哉, 大村一郎, 附田正則

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2018(143) 41-44 2018年11月1日
次世代IGBT用超高速短絡保護システムの開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

一木真生, 有元貴昭, 安部征哉, 大村一郎, 附田正則

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2018(49) 41-44 2018年11月1日
パワーエレクトロニクスとLSIの異分野連携:IGBT向けデジタルゲートドライバIC

高宮真, 宮崎耕太郎, 崔通, 小原秀嶺, 萬年智介, 和田圭二, 附田正則, 安部征哉, 大村一郎, 桜井貴康

電子情報通信学会大会講演論文集(CD-ROM) 2018 ROMBUNNO.CI‐3‐4 2018年8月28日
電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

附田正則, 結城大介, 朝長大貴, 金亨燮, 大村一郎

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2017(74) 53-58 2017年11月21日
電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

附田正則, 結城大介, 朝長大貴, 金亨燮, 大村一郎

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2017(173) 53-58 2017年11月21日
μ‐PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討

真辺航, 大村一郎, 附田正則

電気学会電子デバイス研究会資料 EDD-17(52-65.67-73) 7‐11 2017年11月20日
電流分布に基づくパワーモジュールの新しいスクリーニング法の提案

附田正則, 結城大介, 朝長大貴, KIM Hyoungseop, 大村一郎

電気学会電子デバイス研究会資料 EDD-17(74-86) 53‐58 2017年11月20日
パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発

田畑勝次, 長谷川一徳, 一木真生, 大村一郎, 附田正則, 附田正則

電気学会電子デバイス研究会資料 EDD-17(52-65.67-73) 63‐67 2017年11月20日
μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

真辺航, 大村一郎, 附田正則

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2017(52) 7-11 2017年11月20日
パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

田畑勝次, 長谷川一徳, 一木真生, 大村一郎, 附田正則

電気学会研究会資料. EDD = The papers of technical meeting on electron devices, IEE Japan 2017(52) 63-67 2017年11月20日
μ-PCD法によるエピタキシャルウェーハ評価の精度に関する検討 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

真辺航, 大村一郎, 附田正則

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2017(151) 7-11 2017年11月20日
パワーモジュール内蔵型インバータ出力電流測定システムの開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

田畑勝次, 長谷川一徳, 一木真生, 大村一郎, 附田正則

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2017(151) 63-67 2017年11月20日
プログラマブルゲートドライバICを用いたIGBTモジュール用ゲート駆動制御回路の開発

小原秀嶺, 秋山寿夫, 和田圭二, 附田正則, 大村一郎, 宮崎耕太郎, 高宮真, 桜井貴康

電気学会産業応用部門大会(CD-ROM) 2017 ROMBUNNO.1‐82 2017年8月29日
A New Output Current Measurement Method With Tiny PCB Sensors Capable of Being Embedded in an IGBT Module

Kazunori Hasegawa, Satoru Takahara, Shoji Tabata, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS 32(3) 1707-1712 2017年3月
High-performance vertical Si PiN diode by hole remaining mechanism

Masanori Tsukuda, Akiyoshi Baba, Yuji Shiba, Ichiro Omura

SOLID-STATE ELECTRONICS 129 22-28 2017年3月
A New Output Current Measurement Method With Tiny PCB Sensors Capable of Being Embedded in an IGBT Module

Kazunori Hasegawa, Satoru Takahara, Shoji Tabata, Masanori Tsukuda, Ichiro Omura

IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS 32(3) 1707-1712 2017年3月

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講演・口頭発表等

高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発 (電子部品・材料)

松吉峻, 附田正則, 平井秀敏

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 2013年1月24日
高耐圧パワーデバイス用スケールダウン・テストベッドの開発

松吉峻, 附田正則, 平井秀敏, 大村一郎

電子情報通信学会技術研究報告 2013年1月17日
PiNダイオードの逆回復時高周波振動の検討

川神圭一朗, 附田正則, 高濱健一, 大村一郎

電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会 2011年10月27日
波形振動を抑制する高耐圧ダイオードのダイナミック・パンチスルー設計

附田正則, 崎山陽子, 二宮英彰, 山口正一

電気学会電子材料研究会資料 2009年10月29日
EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)

附田正則, 大村一郎, 崎山陽子, 山口正一, 松下憲一, 小倉常雄

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 2008年10月16日
1200V系Si‐IGBTと1200V系SiC‐SBDによる2レベル三相インバータの損失予測

附田正則, 大村一郎, 斉藤渉, 土門知一, 山口正一

電気学会全国大会講演論文集 2005年3月17日
600V‐SiC‐SBDを用いた超高パワー密度(30W/cc)チョッパ変換器の実証

附田正則, 大竹一郎, 土門知一, 斎藤渉, 小倉常雄

電気学会産業応用部門大会講演論文集 2004年9月14日
600V‐SiC‐SBDを用いた300Wチョッパ変換器の体積予測

附田正則, 大村一郎, 斎藤渉, 土門知一, 小倉常雄

電気学会全国大会講演論文集 2004年3月17日
チョッパ回路における600V系SiC‐SBDの低損失化評価

附田正則, 大村一郎, 斎藤渉, 土門知一, 小倉常雄

電気学会半導体電力変換研究会資料 2004年1月31日
高耐圧パワーMOSFETの数MHzスイッチング動作検討

附田正則, 大村一郎, 土門知一, 斎藤渉, 小倉常雄

電気学会産業応用部門大会講演論文集 2003年8月26日
プレーナ型4HSiC‐SITの試作・評価

水上誠, 滝川修, 室岡三千男, 今井聖支, 木下浩三, 畠山哲夫, 附田正則, 斎藤渉, 四戸孝

電気学会全国大会講演論文集 2003年3月17日
高速・高破壊耐量4.5kVプレーナダイオードの開発

松下憲一, 四戸孝, 附田正則, 南良博, 三輪潤一, 柳沢暁

電気学会電子デバイス研究会資料 1998年10月8日
極薄膜Poly‐SiのAFM陽極酸化によるナノ構造素子の作製

棚本哲史, 附田正則, 藤田忍

応用物理学会学術講演会講演予稿集 1998年9月
4500V級プレーナ接合終端構造の耐圧信頼性の向上

附田正則, 四戸孝, 南良博, 長谷川滋, 柳沢暁, 土谷政信, 堀志津江

電気学会電子・情報・システム部門大会講演論文集 1997年8月

所属学協会

電気学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

エネルギー社会に対応した高機能パワーデバイスの高信頼性を確保する超小型電流センサ及び製造ライン向け検査装置の開発

経済産業省戦略的基盤技術高度化支援事業 2012年 - 2015年3月

産業財産権

特開2018-064115 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置およびその製造方法

大村一郎, 田中雅浩, 附田正則, 三木大和
特許第6288678号高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置の設計方法および製造方法

大村一郎, 田中雅浩, 附田正則, 三木大和
特開2017-216363 半導体装置および半導体装置の製造方法

附田正則, 大村一郎, 馬場昭好
特許第6153151号高電圧電力用半導体装置

大村一郎, 瀬戸康太, 附田正則
WO2017-026483 半導体検査装置

大村一郎, 渡邉晃彦, 附田正則
WO2017-014297 ロゴスキ型電流センサ

大村一郎, 附田正則
特許第6004988号電力用半導体素子のゲート制御装置

大村一郎, 附田正則, 三木大和, 椋木誠, 高尾健志, 吉沢大輔
特開2016-151569 電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検査診断方法及び装置

大村一郎, 附田正則, 田代勝治, 松尾和顕
特開2016-151568 電力用半導体デバイスのボンディングワイヤ電流磁界分布検出方法及び装置

大村一郎, 附田正則, 田代勝治, 篠原長勇喜, 中野繁太, 大胡田清一, 長友一則
特許第5846421号半導体回路の電流測定装置

大村一郎, 加生裕也, 平井秀敏, 附田正則
特許第5804494号半導体装置及びその駆動方法

大村一郎, 松本泰明, 津田基裕, 附田正則
特許第5721137号半導体装置の短絡保護装置

大村一郎, 湯淺一史, 谷村拓哉, 附田正則
特開2014-230410 電力用半導体素子のゲート制御装置

大村一郎, 附田正則, 三木大和, 椋木誠, 高尾健志, 吉沢大輔
特開2013-251338 高電圧電力用半導体装置

大村一郎, 瀬戸康太, 附田正則
WO2013-180186 高電圧絶縁ゲート型電力用半導体装置およびその製造方法

大村一郎, 田中雅浩, 附田正則, 三木大和
特開2013-076569 半導体回路の電流測定装置

大村一郎, 加生裕也, 平井秀敏, 附田正則
特開2012-243918 半導体装置及びその駆動方法

大村一郎, 松本泰明, 津田基裕, 附田正則
特開2012-244365 半導体装置の短絡保護装置

大村一郎, 湯淺一史, 谷村拓哉, 附田正則
特許第5150195号縦型半導体装置

附田正則, 大村一郎
特開2010-186893 半導体装置

附田正則

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