百瀬賢治 (Kenji Momose) - マイポータル

基本情報

所属: 株式会社レゾナックデバイスソリューション事業部事業成長戦略プログラムマネージャー

学位: 博士(工学)(2003年3月豊橋技術科学大学)

研究者番号: 90552597
J-GLOBAL ID: 202001014310205866
researchmap会員ID: R000014594

研究分野

ナノテク・材料 / 結晶工学 / SiC

受賞

2001年

C&C若手優秀論文賞, 公益財団法人 NEC C＆C財団

百瀬賢治

論文

Massive reduction of threading screw dislocations in 4H-SiC crystals grown by a hybrid method combined with solution growth and physical vapor transport growth on higher off-angle substrates

Takeshi Mitani, Kazuma Eto, Kenji Momose, Tomohisa Kato

Applied Physics Express 14(8) 2021年8月
Evaluation of suppressing forward voltage degradation by using a low bpd density substrate or an epitaxial wafer with an hnde

Yoshitaka Nishihara, Koji Kamei, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 1004 MSF 439-444 2020年
Impact of pit defects on the initial electrical characteristics of planar-MOSFET devices

Ling Guo, Koji Kamei, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 963 MSF 244-248 2019年
Detecting basal plane dislocations converted in highly doped epilayers

Yoshitaka Nishihara, Koji Kamei, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 963 MSF 272-275 2019年
Characterization of double Shockley-type stacking faults formed in lightly doped 4H-SiC epitaxial films

T. Yamashita, S. Hayashi, T. Naijo, K. Momose, H. Osawa, J. Senzaki, K. Kojima, T. Kato, H. Okumura

Journal of Crystal Growth 490 89-96 2018年5月15日
Status and trends in epitaxy and defects

H. Osawa, Y. Mabuchi, Y. Nishihara, L. Guo, N. Ishibashi, K. Fukada, K. Kamei, K. Momose

Materials Science Forum 924 MSF 67-71 2018年
Comparative evaluation of forward voltage degradation due to propagating and converted basal plane dislocations

Yoshitaka Nishihara, Koji Kamei, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 924 MSF 143-146 2018年
Characterization of stacking faults with emission wavelengths of over 500 nm formed in 4H-SiC epitaxial films

T. Yamashita, S. Hayashi, T. Naijo, K. Momose, H. Osawa, J. Senzaki, K. Kojima, T. Kato, H. Okumura

Journal of Crystal Growth 476 99-106 2017年10月15日
Depth profile of doping concentration in thick (> 100 μm) and low-doped (< 4 × 10¹⁴ cm^-3) 4H-SiC epilayers

Keisuke Fukada, Naoto Ishibashi, Yoshihiko Miyasaka, Akira Bandoh, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 897 MSF 83-86 2017年
Investigation of carrot reduction effect on 4h-silicon carbide epitaxial wafers with optimized buffer layer

Y. Mabuchi, T. Masuda, D. Muto, K. Momose, H. Osawa

Materials Science Forum 897 MSF 75-78 2017年
Improvement of quality of thick 4H-SiC epilayers

Akira Miyasaka, Kazutoshi Kojima, Kenji Momose, Hiroshi Osawa, Hajime Okumura

Materials Science Forum 897 MSF 59-62 2017年
High-quality 100/150 MM p-type 4H-SiC epitaxial wafer for high-voltage bipolar devices

Naoto Ishibashi, Keisuke Fukada, Akira Bandoh, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 897 MSF 55-58 2017年
Evaluation and reduction of epitaxial wafer defects resulting from carbon-inclusion defects in 4h-SiC substrate

Ling Guo, Koji Kamei, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 897 MSF 39-42 2017年
Structural analysis of the 3C|4H boundaries formed on prismatic planes in 4H-SiC epitaxial films

T. Yamashita, H. Matsuhata, T. Naijo, K. Momose, H. Osawa

Journal of Crystal Growth 455 172-180 2016年12月1日
Characteristic morphologies of triangular defects on Si-face 4H-SiC epitaxial films

T. Yamashita, T. Naijo, H. Matsuhata, K. Momose, H. Osawa, H. Okumura

Journal of Crystal Growth 433 97-104 2016年1月1日
Improvement on 150 mm 4H-SiC epitaxial wafer quality

Tatsuya Masuda, Akira Miyasaka, Jun Norimatsu, Yutaka Tajima, Daisuke Muto, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 858 201-204 2016年
Structure of straight-line defect and its effect on the electrical properties of Schottky barrier diodes

Koji Kamei, Ling Guo, Kenji Momose, Hiroshi Osawa

Materials Science Forum 858 213-216 2016年
Characterization of comet-shaped defects on C-face 4H-SiC epitaxial wafers by electron microscopy

T. Yamashita, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, K. Momose, H. Osawa, M. Kitabatake

Journal of Crystal Growth 416 142-147 2015年4月
Characterization of comet-shaped defects on C-face 4H-SiC epitaxial wafers

T. Yamashita, H. Matsuhata, T. Sekiguchi, K. Momose, H. Osawa, M. Kitabatake

Materials Science Forum 821-823 173-176 2015年
Defects grouping and characterizations of PL-imaging methods for 4H-SiC epitaxial layers

M. Odawara, K. Kamei, Y. Miyasaka, T. Yamashita, S. Takahashi, Y. Kageshima, K. Momose, H. Osawa, T. Sato

Materials Science Forum 778-780 382-385 2014年

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MISC

4H-SiC単結晶の昇華法オフ角成長における貫通らせん転位の変換挙動

江藤数馬, 三谷武志, 百瀬賢治, 加藤智久

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 68th 2021年
パワー半導体用SiCエピタキシャルウェハの動向 (特集パワーデバイスのすべて)

百瀬賢治, 佐藤貴幸

電子材料 49(9) 25-29 2010年9月
高窒素組成GaAs_yP _<1-x-y>N_x および In_zGa_ <1-z>P <1- x>N_x の低温成長と

善積祐介, 百瀬賢治, 内海淳志, 古川雄三, 米津宏雄

電子情報通信学会技術研究報告. CPM, 電子部品・材料 103(48) 59-64 2003年5月8日
GaP_1-xN_x混晶における深い準位の熱処理効果

篠原勢, 善積祐介, 森田芳郎, 内海淳志, 百瀬賢治, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 50th(1) 2003年
高窒素組成GaAs_yP_1-x-yN_xおよびIn_zGa_1-zP_1-xN_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上

善積祐介, 百瀬賢治, 内海淳志, 古川雄三, 米津宏雄

電子情報通信学会技術研究報告 103(50(SDM2003 16-32)) 2003年
GaPN/GaP LEDの発光特性に与える熱処理の効果

内海淳志, 黒木公治, 篠原勢, 百瀬賢治, 善積祐介, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 50th(1) 2003年
高窒素組成化GaAs_yP_1-x-yN_x層の原子状水素照射低温成長による結晶性の改善

百瀬賢治, 内海淳志, 元村佳史, 篠原勢, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 49th(1) 2002年
Si基板と格子不整合率の小さいGaAsP/InGaP量子井戸構造の発光ダイオード

MOON S Y, 黒木公治, 内海淳志, 百瀬賢治, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd(1) 2002年
原子状水素照射下の低温成長による高窒素組成In_yGa_1-yP_1-xN_x層の高品質化

百瀬賢治, 善積祐介, 内海淳志, 篠原勢, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd(1) 2002年
GaP_1-xN_xの発光特性の熱処理による改善

内海淳志, 黒木公治, 百瀬賢治, 篠原勢, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 49th(1) 2002年
Siに格子整合したGaP_1-xN_xの熱処理による発光特性の改善

内海淳志, 黒木公治, 百瀬賢治, 篠原勢, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 63rd(1) 2002年
GaP_1-xN_x/GaPおよびGaAs_1-xN_x/GaAsにおける歪み緩和過程

百瀬賢治, 藤本康弘, 内海淳志, 元村佳史, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 48th(1) 2001年
Siに格子整合した無転位GaAs_yP_1-x-yN_x/GaP_0.98N_0.02量子井戸構造の形成

藤本康弘, 内海淳志, 百瀬賢治, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 48th(1) 2001年
Sに基板に格子整合したGaP_1-xN_xの発光特性

内海淳志, 百瀬賢治, 篠原勢, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 62nd(1) 2001年
Si/GaP(N)/Si構造による成長層表面からの貫通転位の導入抑制

百瀬賢治, 元村佳史, 藤本康弘, 小島薫, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 47th(1) 2000年
Siに格子整合した無転位Si/GaPN/Si構造の作製

百瀬賢治, 藤本康弘, 元村佳史, 古川雄三, 米津宏雄

応用物理学会学術講演会講演予稿集 61st(1) 2000年
GaAs_xP_1-x/In_0.13Ga_0.87P/Si QW構造における貫通転位密度の低減と室温発光

藤本康弘, 百瀬賢治, 大島直樹, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 46th(1) 1999年
Si/GaP/Si構造によるGaP層の熱歪の抑制

百瀬賢治, 藤本康弘, 大島直樹, 米津宏雄

応用物理学関係連合講演会講演予稿集 46th(1) 1999年

所属学協会

2001年3月 - 現在

公益社団法人応用物理学会

産業財産権

WO2009-035095 エピタキシャルSiC単結晶基板及びエピタキシャルSiC単結晶基板の製造方法

百瀬賢治, 小田原道哉, 松沢圭一, 奥村元, 児島一聡, 石田夕起, 土田秀一, 鎌田功穂
特許第5273741号エピタキシャルSiC単結晶基板及びエピタキシャルSiC単結晶基板の製造方法

百瀬賢治, 小田原道哉, 松沢圭一, 奥村元, 児島一聡, 石田夕起, 土田秀一, 鎌田功穂
特許第4959763号 SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

百瀬賢治, 田島裕, 坂口泰之, 小田原道哉, 宮坂佳彦
特許第4887418号 SiCエピタキシャルウェハの製造方法

武藤大祐, 百瀬賢治, 小田原道哉
特許第5867913号炭化珪素膜のCVD装置

百瀬賢治, 小田原道哉, 松沢圭一, 奥村元, 児島一聡, 石田夕起, 土田秀一, 鎌田功穂
特許第5897834号 SiCエピタキシャルウェハの製造方法

影島慶明, 武藤大祐, 百瀬賢治, 宮坂佳彦
特許第5865625号エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法

影島慶明, 野口智之, 武藤大祐, 百瀬賢治
特許第5933202号エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法

影島慶明, 武藤大祐, 百瀬賢治
特許第5961357号 SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

百瀬賢治, 小田原道哉, 武藤大祐, 影島慶明
特許第5076020号 SiCエピタキシャルウェハ

武藤大祐, 百瀬賢治, 小田原道哉
特許第5124690号 SiCエピタキシャルウェハ

百瀬賢治, 田島裕, 坂口泰之, 小田原道哉, 宮坂佳彦
特許第6037671号 SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

宮坂晶, 田島裕, 影島慶明, 武藤大祐, 百瀬賢治
特許第5384714号 SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法

百瀬賢治, 田島裕, 坂口泰之, 小田原道哉, 宮坂佳彦
特許第5973344号成膜装置および膜の製造方法

武藤大祐, 百瀬賢治, 木村優介, 歌代智也, 高橋聖一, 栗林央知, 保田直樹
特許第5997042号 SiC膜成膜装置およびSiC膜の製造方法

武藤大祐, 百瀬賢治, 木村優介, 歌代智也, 高橋聖一
特許第6001443号成膜装置および膜の製造方法

武藤大祐, 百瀬賢治, 木村優介, 歌代智也, 高橋聖一, 栗林央知, 保田直樹
特許第6001444号成膜装置および膜の製造方法

武藤大祐, 百瀬賢治, 木村優介, 歌代智也, 高橋聖一, 栗林央知, 保田直樹
特許第6009347号成膜装置

武藤大祐, 百瀬賢治, 木村優介, 歌代智也, 高橋聖一, 栗林央知, 保田直樹
特許第6018909号ウェハホルダーおよびエピタキシャルウェハの製造装置

宮坂晶, 百瀬賢治
特許第6087620号成膜装置

武藤大祐, 百瀬賢治, 木村優介, 歌代智也, 高橋聖一, 栗林央知, 保田直樹

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