富樫理恵 (Rie Togashi) - マイポータル

基本情報

所属: 上智大学理工学部機能創造理工学科准教授

学位: 博士（工学）(東京農工大学)

研究者番号: 50444112
J-GLOBAL ID: 201801000291501271
researchmap会員ID: 7000023348

2006-2018、国立大学法人東京農工大学大学院工学研究院、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関するエピタキシャル成長および理論解析について研究
2018-現在　上智大学理工学部機能創造理工学科、III族窒化物半導体、III族酸化物半導体結晶に関する結晶成長、デバイス応用、理論解析について研究

(研究テーマ)
III族酸化物半導体結晶成長
前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長
III族窒化物半導体成長

研究キーワード

研究分野

受賞

論文

Voltage-tunable RGB emission from a single self-assembled InGaN nanocolumn LED

Hiroto Sekiguchi, Hayato Katagiri, Kota Hoshino, Rie Togashi, Katsumi Kishino

Japanese Journal of Applied Physics 64(2) 028004-028004 2025年2月1日査読有り
Plasma-free anisotropic selective-area etching of β-Ga ₂ O ₃ using forming gas under atmospheric pressure

Takayoshi Oshima, Rie Togashi, Yuichi Oshima

Science and Technology of Advanced Materials 25(1) 2378683 2024年7月29日査読有り
Red Emission of Well‐Ordered InGaN/GaN Nanocolumn Arrays on Si (111) Substrates Grown via Nanotemplate Selective‐Area Growth

Kota Hoshino, Rie Togashi, Katsumi Kishino

physica status solidi (b) 2400064-1-2400064-8 2024年4月25日査読有り
Bottom-up vertical GaN nanocolumn Schottky barrier diodes with extremely high packing density grown by molecular beam epitaxy

Hiroyuki Shimada, Hironobu Kariyazono, Yohei Nakagawa, Shinji Terao, Kentaro Takayanagi, Koichiro Akasaka, Shunsuke Ishizawa, Koichi Morozumi, Tsutomu Asakawa, Rie Togashi …

Japanese Journal of Applied Physics 63(2) 02SP67-02SP67 2024年1月23日査読有り
GaInNのRF-MBE結晶成長と赤色発光デバイス応用

山口智広, 名西憓之, 佐々木拓生, 高橋正光, 赤川広海, 尾沼猛儀, 本田徹, 富樫理恵, 岸野克巳

日本結晶成長学会誌 51(2) 51-2-06 2024年査読有り招待有り
マイクロLED（μLED）ディスプレイに向けたInGaN/GaNナノコラムの進展

岸野克巳, 富樫理恵, 大音隆男

日本結晶成長学会誌 51(2) 2024年査読有り招待有り
Improving the luminous efficiency of red nanocolumn μ-LEDs by reducing electrode size to ϕ2.2 μm

Katsumi Kishino, Ai Mizuno, Tatsuya Honda, Jumpei Yamada, Rie Togashi

Applied Physics Express 17(1) 014004-014004 2023年12月28日査読有り
Plasmonic red-light-emission enhancement by honeycomb-latticed InGaN/GaN ordered fine nanocolumn arrays

Takao Oto, Aoto Aihara, Kai Motoyama, Shunsuke Ishizawa, Koichi Okamoto, Rie Togashi, Katsumi Kishino

Applied Physics Express 16 115001 2023年11月1日査読有り
InGaN/GaN superlattice underlayer for fabricating of red nanocolumn μ-LEDs with (10-11) plane InGaN/AlGaN MQWs

Jumpei Yamada, Ai Mizuno, Tatsuya Honda, Keigo Yoshida, Rie Togashi, Ichirou Nomura, Tomohiro Yamaguchi, Tohru Honda, Katsumi Kishino

Nanotechnology 34(43) 435201-435201 2023年8月14日査読有り
Thermodynamic analysis of molecular beam epitaxy of group-III sesquioxides

Rie Togashi, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62(5) 2023年5月査読有り筆頭著者責任著者
Thermodynamic analysis of β-Ga2O3 growth by molecular beam epitaxy

Rie Togashi, Haruka Ishida, Ken Goto, Masataka Higashiwaki, Yoshinao Kumagai

Japanese Journal of Applied Physics 2022年10月19日査読有り筆頭著者責任著者
Investigation of etching characteristics of HVPE-grown c-In2O3 layers by hydrogen-environment anisotropic thermal etching

Rie Togashi, Ryo Kasaba, Ken Goto, Yoshinao Kumagai, Akihiko Kikuchi

Journal of Crystal Growth 575 126338-126338 2021年12月査読有り筆頭著者責任著者
Comparison of surface plasmon polariton characteristics of Ag- and Au-based InGaN/GaN nanocolumn plasmonic crystals

Takao Oto, Masato Namazuta, Shotaro Hayakawa, Koichi Okamoto, Rie Togashi, Katsumi Kishino

Applied Physics Express 14(10) 105002-105002 2021年10月1日査読有り
Investigation of halide vapor phase epitaxy of In2O3 on sapphire (0001) substrates

Hidetoshi Nakahata, Rie Togashi, Ken Goto, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 563 126111 2021年6月査読有り
Growth of twin-free c-In2O3(111) thick layers on c-plane sapphire substrates by halide vapor phase epitaxy

Ken Goto, Akane Mori, Hidetoshi Nakahata, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai

Jpn. J. Appl. Phys. 2021年査読有り
Photonic band characterization in InGaN/GaN nanocolumn arrays with triangular and honeycomb lattices by angle-resolved micro-photoluminescence measurements

Takao Oto, Masato Okamura, Yuzo Matsui, Kai Motoyama, Shunsuke Ishizawa, Rie Togashi, Katsumi Kishino

Japanese Journal of Applied Physics 60(6) 060904-060904 2021年査読有り
高充填率・規則配列InGaNナノコラムの発光色変化メカニズム

成田一貴, 大音隆男, 富樫理恵, 岸野克巳

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2018.2 3288-3288 2018年9月5日
Comparison of O2 and H2O as oxygen source for homoepitaxial growth of β-Ga2O3 layers by halide vapor phase epitaxy

Keita Konishi, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Masataka Higashiwaki, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Bo Monemar, Yoshinao Kumagai

Journal of Crystal Growth 492 39-44 2018年6月15日査読有り
Nanocolumns LEDs for monolithic micro-LED display

Katsumi Kishino, Kazuki Narita, Ai Yanagihara, Takao Oto, Rie Togashi

Proceedings of the International Display Workshops 2 566-568 2018年査読有り
Electronic properties of the residual donor in unintentionally doped β-Ga2O3

N.T. Son, K. Goto, K. Nomura, Q. T. Thieu, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, M. Higashiwaki, A. Koukitu …

Journal of Applied Physics 120(23) 235703-1-235703-8 2016年12月査読有り

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MISC

酸化ガリウムパワーデバイスの最新技術

東脇正高, WONG Man Hoi, 小西敬太, 佐々木公平, 佐々木公平, 後藤健, 後藤健, 野村一城, THIEU Quang Tu, 富樫理恵 …

電子情報通信学会技術研究報告 115(402(ED2015 112-120)) 13‐18 2016年1月13日
HVPE法によるSiドープn形AlN基板作製と縦型ショットキーバリアダイオード試作への適用

寺尾真人, 山本玲緒, 山本玲緒, 木下亨, 永島徹, 小幡俊之, 高島信也, 富樫理恵, 村上尚, SCHLESSER Raoul …

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 45th ROMBUNNO.20PS15 2015年10月19日
Siドープ酸化ガリウム厚膜のHVPEホモエピタキシャル成長

野村一城, 後藤健, 後藤健, 佐々木公平, 佐々木公平, THIEU Quang Tu, 富樫理恵, 村上尚, 東脇正高, 倉又朗人 …

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 45th ROMBUNNO.19PB08 2015年10月19日
HVPE成長したGa₂O₃ショットキーバリアダイオードのデバイス特性温度依存性

小西敬太, 佐々木公平, 佐々木公平, 後藤健, 後藤健, 野村一城, THIEU Quang Tu, THIEU Quang Tu, 富樫理恵, 村上尚 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.16P-4C-7 2015年8月31日
HVPE法によるn型AlN基板作製と縦型ショットキーダイオードへの適用

山本玲緒, 山本玲緒, 木下亨, 永島徹, 小幡俊之, 高島信也, 富樫理恵, 熊谷義直, SCHLESSER Raoul, COLLAZO Ramon …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.13P-1D-13 2015年8月31日
ハライド気相成長法によるSiドープn形β‐Ga₂O₃(001)厚膜のホモエピタキシャル成長

野村一城, 後藤健, 後藤健, 佐々木公平, 佐々木公平, THIEU Quang Tu, THIEU Quang Tu, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.16P-4C-5 2015年8月31日
III族酸化物結晶の熱的安定性の比較

富樫理恵, 野村一城, 江口千尋, 木佐貫裕美, 後藤健, 後藤健, THIEU Quang Tu, THIEU Quang Tu, 村上尚, 熊谷義直 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.15A-1B-8 2015年8月31日
フィールドプレート電極終端構造を設けたβ‐Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード

佐々木公平, 佐々木公平, 東脇正高, 後藤健, 野村一城, THIEU Quang Tu, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, MONEMAR Bo …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.16P-4C-8 2015年8月31日
HVPE成長したドリフト層を有するGa₂O₃ショットキーバリアダイオード

東脇正高, 佐々木公平, 佐々木公平, 小西敬太, 後藤健, 野村一城, THIEU Quang Tu, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 76th ROMBUNNO.16P-4C-6 2015年8月31日
Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>Schottky barrier diodes with n^--Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf>drift layers grown by HVPE

Masataka Higashiwaki, Kohei Sasaki, Kohei Sasaki, Ken Goto, Kazushiro Nomura, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar …

Device Research Conference - Conference Digest, DRC 2015-August 29-30 2015年8月3日
水素・窒素気流中におけるβ‐Ga₂O₃の熱的安定性の熱力学的検討

富樫理恵, 野村一城, 江口千尋, 蕗澤孝紘, 後藤健, 村上尚, 熊谷義直, 倉又朗人, 山腰茂伸, 纐纈明伯

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.13P-D1-2 2015年2月26日
III‐Cl・III‐Cl₃混在ハライド気相成長によるIII族窒化物特異構造の形成

熊谷義直, 富樫理恵, THIEU Q.‐T, 村上尚, MONEMAR Bo, 纐纈明伯

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.14P-B1-1 2015年2月26日
ハライド気相成長法によるβ‐Ga₂O₃基板上ホモエピタキシャル成長

野村一城, 後藤健, 佐々木公平, 河原克明, THIEU Quang Tu, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 東脇正高, 倉又朗人 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 62nd ROMBUNNO.13P-D1-6 2015年2月26日
一酸化窒素を用いた常圧CVD法によるZnO:N薄膜の成長

淺川倫太郎, 神崎直人, 林田真由子, 廣江昭彦, KANG Song‐Yun, 富樫理恵, 村上尚, 柏木勇作, 熊谷義直, 纐纈明伯

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 44th ROMBUNNO.07AD03 2014年11月6日
HVPE法を用いたβ‐Ga₂O₃結晶成長の熱力学解析

野村一城, 後藤健, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 倉又朗人, 山腰茂伸, 纐纈明伯

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 44th ROMBUNNO.07AD02 2014年11月6日
水素・窒素雰囲気下におけるGa₂O₃分解の検討

富樫理恵, 野村一城, 江口千尋, 蕗澤孝紘, 後藤健, 村上尚, 熊谷義直, 倉又朗人, 山腰茂伸, 纐纈明伯

結晶成長国内会議予稿集(CD-ROM) 44th ROMBUNNO.07AD01 2014年11月6日
前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長

小島千恵, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17P-C5-13 2014年9月1日
ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析

野村一城, 後藤健, 富樫理恵, 村上尚, 熊谷義直, 倉又朗人, 山腰茂伸, 纐纈明伯

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.19P-A12-8 2014年9月1日
AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因

東城俊介, 田中凌平, 額賀俊成, 富樫理恵, 永島徹, 木下亨, MOODY Baxter, 村上尚, COLLAZO Ramon, 熊谷義直 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 75th ROMBUNNO.17P-C5-9 2014年9月1日
前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価

富樫理恵, 斉藤広伸, 藤田直人, 今井亮太, 村上尚, 熊谷義直, 纐纈明伯

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 61st ROMBUNNO.19P-E13-4 2014年3月3日