手賀直樹 (Naoki Tega) - マイポータル

基本情報

Understanding short-term BTI behavior through comprehensive observation of gate-voltage dependence of RTN in highly scaled high-κ / metal-gate pFETs

H. Miki, M. Yamaoka, N. Tega, Z. Ren, M. Kobayashi, C. P. D'Emic, Y. Zhu, D. J. Frank, M. A. Guillorn, D. G. Park …

Digest of Technical Papers - Symposium on VLSI Technology 148-149 2011年
Hysteretic drain-current behavior due to random telegraph noise in scaled-down FETs with high-κ/metal-gate stacks

Hiroshi Miki, Naoki Tega, Zhibin Ren, Christopher P. D'Emic, Yu Zhu, David J. Frank, Michael A. Guillorn, Dae-Gyu Park, Wilfried Haensch, Kazuyoshi Torii

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 28.1.4 2010年

3次元SiC-MOSFETにおける不純物層設計技術

久本大, 手賀直樹, 谷和樹, 須藤建瑠, 毛利友紀

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 2019年
SiCトレンチ型DMOS(TED MOS)のチャネル特性に関する研究

手賀直樹, 久本大, 島明生, 嶋本泰洋

電子情報通信学会技術研究報告 116(296(SDM2016 79-89)) 2016年
オン抵抗とゲート電荷量を改善したSiCトレンチ型DMOS (TED MOS)の開発 (電子デバイス半導体電力変換合同研究会・パワーデバイス・パワーエレクトロニクスとその実装技術)

手賀直樹, 吉元広行, 久本大, 渡辺直樹, 清水悠佳, 佐藤慎太郎, 毛利友紀, 石垣隆士, 松村三江子, 小西くみこ …

電気学会研究会資料. SPC = The papers of technical meeting on semiconductor power converter, IEE Japan 2015(169) 87-92 2015年10月30日
ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

三木浩史, 手賀直樹, 山岡雅直, Frank D. J., Bansal A., 小林正治, Cheng K., D'Emic C. P., Ren Z., Wu S. …

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 112(421) 31-34 2013年1月30日