後藤高寛 (Takahiro GOTOW) - マイポータル

基本情報

所属: 国立研究開発法人産業技術総合研究所電子光基礎技術研究部門研究員

学位: 博士(工学)(東京大学)

研究者番号: 70827914
J-GLOBAL ID: 201701016873688615
researchmap会員ID: B000271853

研究キーワード

研究分野

経歴

2023年4月 - 現在

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光基礎技術研究部門
2019年7月 - 2023年3月

東京工業大学, 工学院, 助教
2018年4月 - 2019年6月

情報通信研究機構, 未来ICT研究所フロンティア創造総合研究室, 研究員
2017年4月 - 2018年3月

日本学術振興会, 特別研究員(DC2)

学歴

2015年4月 - 2018年3月

東京大学大学院, 工学系研究科, 電気系工学専攻
2013年4月 - 2015年3月

東京理科大学, 基礎工学専攻, 電子応用工学専攻
2009年4月 - 2013年3月

東京理科大学, 基礎工学部, 電子応用工学科

論文

Characterization of InN Grown Directly on Sapphire Substrate Using Plasma-Enhanced Metal Organic Chemical Vapor Deposition

Takahiro Gotow, Naoto Kumagai, Tetsuji Shimizu, Hisashi Yamada, Toshihide Ide, Tatsuro Maeda

Crystal Research and Technology 59(7) 2024年7月
Dependence of process damage on GaN channel thickness in AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors with back-barrier layers

Yoshikaze Ito, Seita Tamai, Takuya Hoshi, Takahiro Gotow, Yasuyuki Miyamoto

Japanese Journal of Applied Physics 62(SC) SC1048-SC1048 2023年2月6日
Wet etching for isolation of N-polar GaN HEMT structure by electrodeless photo-assisted electrochemical reaction

T. Aota, A. Hayasaka, I. Makabe, S. Yoshida, T. Gotow, Y. Miyamoto

Japanese Journal of Applied Physics 60(SC) SCCF06-SCCF06 2021年3月8日
Comparative studies of structural and photoluminescence properties between tensile-strained In0.39Ga0.61As and GaAs0.64Sb0.36 layers grown on InP (0 0 1) substrates

M. Mitsuhara, T. Gotow, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

Journal of Crystal Growth 555 125970-125970 2021年2月
Simulation of the Short Channel Effect in GaN HEMT with a Combined Thin Undoped Channel and Semi-Insulating Layer

Yasuyuki MIYAMOTO, Takahiro GOTOW

IEICE Transactions on Electronics E103.C(6) 304-307 2020年6月1日
Performance enhancement of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical tunneling field-effect transistors with abrupt source impurity profile

Takahiro Gotow, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 126(21) 2019年12月
Improved Electron Transport Properties of Ga_1–xIn_xSb Quantum Well Channel Using Strained‐Al_0.40In_0.60Sb/Al_1–yIn_ySb Stepped Buffer

Mizuho Hiraoka, Yuki Endoh, Koki Osawa, Naoyuki Kishimoto, Takuya Hayashi, Ryuto Machida, Issei Watanabe, Yoshimi Yamashita, Shinsuke Hara, Takahiro Gotow …

physica status solidi (a) 217(3) 2019年11月12日
Improvement of p-type GaAs0.51Sb0.49 metal-oxide-semiconductor interface properties by using ultra thin In0.53Ga0.47As interfacial layers

T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

Joural of Applied Physics 125(214504) 2019年6月査読有り
Drive current enhancement of Si MOSFETs by using anti-ferroelectric gate insulators

Yamaguchi Masashi, Gotow Takahiro, Takenaka Mitsuru, Takagi Shinichi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 58 2019年4月1日査読有り
材料エンジニアリングによるトンネル電界効果トランジスタの高性能化

高木信一, 加藤公彦, 安大煥, 後藤高寛, 松村亮, 高口遼太郎, 竹中充

電子情報通信学会和文論文誌Ｃ招待論文 J102-C(3) 61-69 2019年3月査読有り招待有り
Tunneling FET Device technology for ultra-low power integrated circuits

Shinichi Takagi, Kimihiko Kato, Dae Hwan Ahn, Takahiro Gotow, Ryotaro Takaguchi, Tae Eon Bae, Kasidit Toprasertpong, Mitsuru Takenaka

ECS Transactions 92(4) 59-69 2019年査読有り
Ultra-low power III-V-based MOSFETs and Tunneling FETs

Shinichi Takagi, Dae-Hwan Ahn, Takahiro Gotow, Chiaki Yokoyama, Chih-Yu Chang, Kiyoshi Endo, Kimihiko Kato, Mitsuru Takenaka

ECS Transactions 85(8) 27-37 2018年
MOS Device technology using alternative channel materials for low power logic LSI

S. Takagi, K. Kato, W.-K. Kim, K. Jo, R. Matsumura, R. Takaguchi, D.-H. Ahn, T. Gotow, M. Takenaka

European Solid-State Device Research Conference 2018-September 6-11 2018年査読有り
Effects of impurity and composition profiles on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical tunnel field effect transistors

Takahiro Gotow, Manabu Mitsuhara, Takuya Hoshi, Hiroki Sugiyama, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 122(17) 174503 2017年11月査読有り
Surface cleaning and pure nitridation of GaSb by in-situ plasma processing

Takahiro Gotow, Sachie Fujikawa, Hiroki I. Fujishiro, Mutsuo Ogura, Wen Hsin Chang, Tetsuji Yasuda, Tatsuro Maeda

AIP ADVANCES 7(10) 105117 2017年10月査読有り
MOS interface defect control in Ge/III-V gate stacks

S. Takagi, M. Ke, C.-Y. Chang, C. Yokoyama, M. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, S.-H. Yoon, M. Takenaka

ECS Transactions 80(1) 109-118 2017年10月査読有り招待有り
Low power Tunneling FET technologies using Ge/III-V materials

S. Takagi, D.-H. Ahn, M. Noguchi, S.-H. Yoon, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, T.-E. Bae, T. Katoh, R. Matsumura …

ECS Transactions 80(4) 115-124 2017年10月査読有り招待有り
III-V-based low power CMOS devices on Si platform

S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, M. Noguchi, K. Nishi, S. H. Kim, M. Yokoyama, C. Y. Chang, S. H. Yoon, C. Yokoyama …

2017 IEEE International Conference on IC Design and Technology, ICICDT 2017 1-4 2017年7月26日査読有り
Tunneling MOSFET technologies using III-V/Ge materials

S. Takagi, D. H. Ahn, M. Noguchi, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, M. Takenaka

2016 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 19.5.1-19.5.4 2016年査読有り
Effects of HCl treatment and predeposition vacuum annealing on Al2O3/ GaSb / GaAs metal–oxide–semiconductor structures

T. Gotow, S. Fujikawa, H. I. Fujishiro, M. Ogura, T. Yasuda, T. Maeda

Japanese Journal of Applied Physics 54(2) 1-21201 2015年2月査読有り

もっとみる

MISC

反強誘電体薄膜をゲート絶縁膜に用いたMOSFETの電気特性

山口大志, 後藤高寛, 竹中充, 高木信一

第65回応用物理学会春季学術講演会 18p-G203-4 2018年3月
III-V/Ge-based tunneling MOSFET

S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, K. Nishi, T. E. Bae, T. Katoh, R. Matsumura, R. Takaguchi, K. Kato, M. Takenaka

2017 5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems, E3S 2017 - Proceedings 2018- 1-3 2018年1月3日査読有り
ソース不純物濃度がGaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの電気特性に与える影響

後藤高寛, 満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

第64回応用物理学会春季学術講演会 16p-412-6 2017年3月
Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術

高木信一, 安大煥, 野口宗隆, 後藤高寛, 西康一, 金閔洙, 竹中充

電子情報通信学会SDM研究会・応用物理学会シリコンテクノロジー分科会共催研究集会, 機械振興会館 2017年1月査読有り招待有り
極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

後藤高寛, 満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

電子デバイス界面テクノロジー研究会 - 材料・プロセス・デバイス特性の物理 - 83-86 2017年1月査読有り
極薄InGaAs界面層を有するGaAsSb MOS界面特性の評価

後藤高寛, 満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

第77回応用物理学会秋季学術講演会 15-p-B9-6 2016年9月
GaAsSb/InGaAs 縦型トンネルFETの動作実証

後藤高寛, 満原学, 星拓也, 杉山弘樹, 竹中充, 高木信一

第63回応用物理学会春季学術講演会 20p-S422-12 2016年3月
GaSb表面の純窒化プロセスの検討

後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎

第62回応用物理学会春季学術講演会 14a-A24-7 2015年3月
窒素プラズマ処理を施したAl2O3/GaSb MOS構造の特性評価

後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎

第75回応用物理学会秋季学術講演会 19p-A17-2 2014年9月
Al2O3/GaSb/ MOS界面構造における絶縁膜堆積前処理の検討

後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎

第61回応用物理学会春季学術講演会 18p-D8-11 2014年3月
GaAs上GaSb MOS構造の作製

後藤高寛, 原紳介, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎

第60回応用物理学会春季学術講演会 28a-G2-11 2013年3月
GaSbショットキー接合型メタルS/D pMOSFETsの動作実証

後藤高寛, 後藤高寛, 藤川紗千恵, 藤代博記, 小倉睦郎, 安田哲二, 前田辰郎, 前田辰郎

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 74th 2013年

講演・口頭発表等

Improvement of ION and S.S. values of p-GaAs0.51Sb0.49/In0.53Ga0.47As hetero-junction vertical TFETs by using abrupt source impurity profile

T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

2018 International Conference on Solid State Device and Materials 2018年9月
Performance enhancement of Si MOSFETs using anti-ferroelectric thin films as gate insulators

Masashi Yamaguchi, Takahiro Gotow, Mitsuru Takenaka, Shinichi Takagi

2018 International Conference on Solid State Device and Materials 2018年9月
Ultra-Low Power III-V-Based Mosfets and Tunneling FETs

S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, M. Takenaka

233rd Electrochemical Society (ECS) Meeting, H02 - Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices 18 2018年5月招待有り
III-V/Ge-based tunneling MOSFET

S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, K. Nishi, T.-E. Bae, T. Katoh, R. Matsumura, R. Takaguchi, K. Kato, M. Takenaka

5th Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop (E3S) 2017年10月
Low Power Tunneling FET Technologies Using Ge/IIIV Materials

S. Takagi, D. H. Ahn, M. Noguchi, S. Yoon, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, T. E. Bae, T. Katoh, R. Matsumura, M. Takenaka

232nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, G03: Semiconductor Process Integration 10 2017年9月招待有り
Mos Interface Defect Control in Ge/IIIV Gate Stacks

S. Takagi, M. Ke, C. Y. Chang, C. Yokoyama, M. Yokoyama, T. Gotow, K. Nishi, M. Takenaka

232nd Electrochemical Society (ECS) Meeting, D01: Semiconductors, Dielectrics, and Metals for Nanoelectronics 15 2017年9月招待有り
III-V-based low power CMOS devices on Si platform

S. Takagi, D. H. Ahn, T. Gotow, M. Noguchi, K. Nishi, S. Kim, M. Yokoyama, C. Chang, S. Yoon, C. Yokoyama, M. Takenak

International Conference on IC Design and Technology (ICICDT) 2017年5月
Tunneling MOSFET technologyies using III-V/Ge materials

S. Takagi, D. H. Ahn, M. Noguchi, T. Gotow, K. Nishi, M. Kim, M. Takenaka

62nd International Electron Devices Meeting 2016年12月
Improvement of GaAsSb MOS interface properties by using ultrathin InGaAs interfacial layers

T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

48th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2016年12月
Effects of impurity and composition profile steepness on electrical characteristics of GaAsSb/InGaAs hetero-junction vertical TFETs

T. Gotow, M. Mitsuhara, T. Hoshi, H. Sugiyama, M. Takenaka, S. Takagi

2016 International Conference on Solid State Device and Materials 2016年9月
Demonstration of Ni-GaSb metal S/D GaSb pMOSFETs with vacuum annealing on GaAs substrates

T. Gotow, S. Fujikawa, H. I. Fujishiro, M. Ogura, T. Yasuda, T. Maeda

44th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2013年12月

共同研究・競争的資金等の研究課題

再成長技術を駆使した横型ナノシートチャネルトンネルFETの作製と解析

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究 2021年4月 - 2024年3月

後藤高寛
化合物半導体横方向ヘテロ接合の創成とその電子デバイスへの応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2021年4月 - 2024年3月

宮本恭幸, 福田浩一, 菅原聡, 後藤高寛, 荒井昌和

後藤高寛

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

論文

MISC

講演・口頭発表等

共同研究・競争的資金等の研究課題

その他

メニュー