黒澤昌志 (Masashi Kurosawa) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻物質デバイス機能創成学准教授

連絡先: kurosawanagoya-u.jp
研究者番号: 40715439
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-9151-0820
J-GLOBAL ID: 201601002222058488
Researcher ID: F-4737-2010
researchmap会員ID: 7000018539

研究室：https://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nanoeledev/index.html
科研費学術変革(B) 14族ナノシート科学の創成：https://14ns.mystrikingly.com
応用物理学会東海地区若手チャプター：https://jsap-tokai-yrc.mystrikingly.com
応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会：https://jsap-sangaku-cryst.mystrikingly.com

研究分野

経歴

2022年6月 - 現在

名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻准教授
2017年4月 - 2022年5月

名古屋大学大学院工学研究科物質科学専攻講師
2017年1月 - 2020年3月

名古屋大学, 高等研究院, 講師
2015年12月 - 2019年3月

科学技術振興機構(JST) 戦略的創造研究推進事業さきがけ研究者
2017年1月 - 2017年3月

名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻講師
2015年10月 - 2016年12月

名古屋大学未来材料・システム研究所材料創製部門特任講師
2015年5月 - 2016年12月

名古屋大学, 高等研究院, 特任講師
2015年5月 - 2015年9月

名古屋大学エコトピア科学研究所グリーンコンバージョン部門特任講師
2015年4月 - 2015年4月

名古屋大学, 高等研究院, 研究員
2015年4月 - 2015年4月

名古屋大学エコトピア科学研究所グリーンコンバージョン部門研究機関研究員
2012年4月 - 2015年3月

日本学術振興会特別研究員(PD)
2009年4月 - 2012年3月

日本学術振興会特別研究員(DC1)

学歴

委員歴

2025年6月 - 現在

日本セラミックス協会多結晶材料情報学研究会, 世話人(アウトリーチ担当)
2025年4月 - 現在

応用物理学会東海地区若手チャプター, 副代表(会計補佐)
2025年 - 現在

Materials Science Platform–Chubu Symposium, 運営委員
2023年4月 - 現在

応用物理学会半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会, 広報幹事
2018年 - 現在

応用物理学会東海地区若手チャプター, メンバー
2018年 - 現在

応用物理学会フォノンエンジニアリング研究会, 実行委員
2025年4月 - 2027年3月

応用物理学会東海支部, 企画幹事補佐
2025年 - 2026年

The 9th International Symposium on Advanced Science and Technology of Silicon and Related Materials, 実行委員(広報・ホームページ担当)
2023年1月 - 2025年3月

応用物理学会東海地区若手チャプター, 代表
2022年6月 - 2025年3月

応用物理学会東海支部東海ニューフロンティアリサーチワークショップ, 代表
2025年 - 2025年

The 10th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-X) and the International Conference on Silicon Epitaxy and International SiGe Technology and Device Meeting (ICSI/ISTDM 2025), Steering Committee
2025年 - 2025年

第85回応用物理学会秋季学術講演会, 現地実行委員
2025年 - 2025年

JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop, 実行委員(委員長)
2024年 - 2024年

第1回半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ, 実行委員
2021年4月 - 2023年3月

応用物理学会東海支部, 庶務幹事補佐
2023年 - 2023年

SSDM2023, 実行委員(総務補佐)
2022年1月 - 2022年12月

応用物理学会東海地区若手チャプター, 副代表
2022年 - 2022年

ISCSI-IX, 実行委員
2021年1月 - 2021年12月

応用物理学会東海地区若手チャプター, 副代表庶務、web担当
2021年 - 2021年

第82回応用物理学会秋季学術講演会, 現地実行委員

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受賞

論文

155

Effect of mesa geometry on leakage current in Ge1-xSnx-based p-n junction diodes

Kei Yamamoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 65, No. 5, pp. 06SP26-1〜7 2026年3月25日査読有り
Mid-Wave Infrared Photodetectors using Strain-Relaxed Ge0.8Sn0.2 Epitaxial Layers on Ge Substrate Grown by Sputtering Method

Rahmat Hadi Saputro, Tomo Tanaka, Hiroyuki Ishii, Kousaku Goto, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Tatsuro Maeda

Materials Science in Semiconductor Processing Volume 209, July 2026, 110627-1〜7 2026年3月23日査読有り
Formation of two-dimensional-like Ge1-ySny ultra-thin crystal by segregation method

Shigehisa Shibayama, Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 65, No. 5, pp. 05SP26-1〜6 2026年3月11日査読有り
High-operating-temperature short-wave infrared detector featuring Ge0.93Sn0.07 thin film with simple pn junction structures

Tomo Tanaka, Rahmat Hadi Saputro, Hiroyuki Ishii, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Tatsuro Maeda

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 65, No. 1, pp. 01SP15-1〜5 2026年1月14日査読有り
Effects of mechanical activation on CaSi2 thin film synthesis via close-spaced evaporation toward flat Si nanosheet films

Ryota Takagaki, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Masashi Kurosawa, Kosuke O. Hara

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 64, No. 11, pp. 11SP12-1〜5 2025年11月12日査読有り
Room temperature operation of Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny resonant tunneling diode featured with H2-introduction during molecular beam epitaxy

Shota Torimoto, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

ACS Applied Electronic Materials Vo. 7, Issue 16, pp. 7688-7696 2025年8月15日査読有り
Epitaxial growth of germanium ultra-thin films on Ag(100) thin films on Ge(100) substrates prepared by atomic segregation epitaxy

Masaki Ohno, Akio Ohta, Yuichiro Ando, Sho-ichi Takakura, Masashi Nakatake, Masashi Kurosawa, Junji Yuhara

Physica Status Solidi (RRL) Vol. 20, Issue 2, pp. 2500186-1〜6 2025年8月10日査読有り
Surface Passivation Technique for Ge1−xSnx‐Based Diodes by GeO2 Atomic Layer Deposition with Postoxidation Annealing

Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama

ACS Applied Electronic Materials Vol. 7, Issue 15, pp. 6908-6915 2025年8月3日査読有り
First-principles investigation of phase transition from zincblende to L10 at high temperature in Si0.5Sn0.5 alloys

Yuki Nagae, Masashi Kurosawa, Kenji Shiraishi, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 64, No. 2, pp. 021004-1〜7 2025年2月10日査読有り
Ge0.75Sn0.25 on insulator metal-semiconductor-metal photodetector by layer transfer technique

Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 64, No. 1, pp. 01SP11-1〜7 2025年1月15日査読有り
Emergence of negative differential resistance through hole resonant tunneling in GeSn/GeSiSn double barrier structure

Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

IEEE Journal of the Electron Devices Society Vol. 13, pp. 79-85 2025年1月13日査読有り
Epitaxial growth of Ge1−xSnx thin film with Sn composition of 50% and possibility of Ge-Sn ordered bonding structure formation

Shigehisa Shibayama, Kaito Shibata, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka

Applied Physics Express Vol. 17, No. 11, pp. 115503-1〜4 2024年11月26日査読有り
Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer

S. Shibayama, S. Mori, Y. Kato, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka

ECS Transactions Vol. 114, No. 2, pp. 215-224 2024年10月査読有り
Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-rich SiSn Thin Film

H. Ishizaki, R. Yokogawa, Y. Ito, M. Kurosawa, A. Ogura

ECS Transactions Vol. 114, No. 2, pp. 225-232 2024年10月査読有り
Synthesis and characterization of CaSi2 films for hydrogenated 2D Si nanosheets

Ryota Takagaki, Chiaya Yamamoto, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Masashi Kurosawa, Kosuke O. Hara

Journal of Vacuum Science and Technology A Vol. 42, Issue 5, pp. 053404-1〜7 2024年8月2日査読有り
Tensile-strained Ge1−xSnx layers on Si(001) substrate by solid phase epitaxy featuring seed layer introduction

T. Hiraide, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka

Japanese Journal of Applied Physics Vol. 63, No. 4, pp.045505-1〜7 2024年4月18日査読有り
Planar-type SiGe thermoelectric generator with double cavity structure

S. Koike, R. Yanagisawa, L. Jalaber, R. Anufriev, M. Kurosawa, T. Mori, M. Nomura

Applied Physics Letters Vol. 124, Issue 12, pp. 123902-1〜6 2024年3月18日査読有り
Ge1-xSnx layers with x~0.25 on InP(001) substrate grown by low-temperature molecular beam epitaxy reaching 70 oC and in-situ Sb doping

S. Shibayama, K. Takagi, M. Sakshita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka

Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 176, pp. 108302-1〜8 2024年3月18日査読有り
Layer transfer of epitaxially grown Ge-lattice-matched Si27.8Ge64.2Sn8 films

T. Maeda, H. Ishii, W. H. Chang, S. Zhang, S. Shibayama, M. Kurosawa, O. Nakatsuka

Materials Science in Semiconductor Processing Vol. 176, pp. 108304-1〜7 2024年3月14日査読有り
Effect of nanostructuring on thermoelectric performance of SiGe thin films

S. Koike, R. Yanagisawa, M. Kurosawa, R. Jha, N. Tsujii, T. Mori, M. Nomura

Japanese Journal of Applied Physics Voi. 62, No. 9, pp. 095001-1〜4 2023年9月1日査読有り

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書籍等出版物

共晶系で生じる析出現象を応用したIV族系ナノシート形成技術

黒澤昌志, 大田晃生

「ポストグラフェン材料の創製と用途開発最前線」－二次元ナノシートの物性評価、構造解析、合成、成膜プロセス技術、応用展開－（柚原淳司監修）, エヌ・ティー・エス 2020年4月22日 (ISBN: 9784860436575)