MISC

2018年

反転層チャネルダイヤモンドMOSFET~ウェットアニール処理による高品質ダイヤモンドMOS界面の形成~

電子情報通信学会技術研究報告
  • 松本翼
    • ,
  • 加藤宙光
    • ,
  • 牧野俊晴
    • ,
  • 小倉政彦
    • ,
  • 竹内大輔
    • ,
  • 猪熊孝夫
    • ,
  • 山崎聡
    • ,
  • 徳田規夫
巻
118
号
110(SDM2018 16-26)
リンク情報
J-GLOBAL
https://jglobal.jst.go.jp/detail?JGLOBAL_ID=201802255203259796
ID情報
  • ISSN : 0913-5685
  • J-Global ID : 201802255203259796
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