三谷祐一郎 (YUICHIRO MITANI) - マイポータル

基本情報

所属: 東京都市大学理工学部電気電子通信工学科教授

研究者番号: 60732641
J-GLOBAL ID: 202001000577309082
researchmap会員ID: R000006376

研究キーワード

研究分野

経歴

2020年4月 - 現在

東京都市大学, 理工学部電気電子通信工学科, 教授
2019年10月 - 2020年3月

キオクシア株式会社, メモリ技術研究所、デバイス技術センター新規メモリ開発部, グループ長
2019年4月 - 2019年9月

東芝メモリ株式会社, メモリ技術研究所、デバイス技術センター新規メモリ開発部, グループ長
2017年10月 - 2019年3月

東芝メモリ株式会社, メモリ技術研究所、デバイス技術センター新規メモリ開発部, 主幹
2012年7月 - 2017年9月

株式会社東芝, 研究開発センターＬＳＩ基盤技術ラボラトリ, 研究主幹
2006年7月 - 2012年6月

株式会社東芝, 研究開発センターＬＳＩ基盤技術ラボラトリ, 主任研究員
1999年4月 - 2006年6月

株式会社東芝, 研究開発センターＬＳＩ基盤技術ラボラトリ, 研究主務
1997年4月 - 1999年3月

株式会社東芝, 先端半導体デバイス研究所研究開発グループ（研究第二担当）
1995年4月 - 1997年3月

株式会社東芝ＵＬＳＩ研究所, 研究開発グループ（研究第四担当）
1992年4月 - 1995年3月

株式会社東芝 ULSI研究所

学歴

- 2009年1月

東京大学, 工学部, 工学博士（論文博士）
1990年4月 - 1992年3月

東北大学, 大学院工学研究科, 材料物性学専攻
1986年4月 - 1990年3月

東北大学, 工学部, 材料物性学科
1983年4月 - 1986年3月

東京都立西高等学校

委員歴

2022年5月 - 現在

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY -, Program Committee Vice Chairperson
2020年6月 - 現在

IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM), Semiconductor Devices sub-committee
2020年4月 - 現在

International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC), Nanodevices Technical Committee member
2009年5月 - 現在

IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), Reliability Session Chair
2020年10月 - 2024年4月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Memory Reliability Technical Committee member
2022年4月 - 2023年4月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Technical Program Committee Chair (TPC Chair), Memory Reliability
2015年10月 - 2023年4月

IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW), Subcommittee member
2021年4月 - 2022年4月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Memory Reliability Technical Committee vice-chair
2010年1月 - 2017年1月

応用物理学会協賛ゲートスタック研究会, 実行・プログラム委員
2014年4月 - 2015年4月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Transistor Reliability Physics Subcommittee
2014年1月 - 2015年1月

応用物理学会協賛ゲートスタック研究会, プログラム委員長
2014年1月 - 2015年1月

応用物理学会協賛電子デバイス界面テクノロジー研究会, 実行委員長
2013年6月 - 2014年12月

IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), CMOS Reliability and Yield subcommittee member
2012年5月 - 2013年5月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Gate Dielectrics Subcommittee
2010年5月 - 2011年5月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Gate Dielectrics Subcommittee Chair
2008年4月 - 2010年4月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Device Dielectric Breakdown Subcommittee
2007年5月 - 2008年5月

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS), Dielectrics Subcommittee
2005年5月 - 2008年5月

IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT), Ultra-thin gate dielectric reliability subcommittee member
2004年9月 - 2008年3月

応用物理学会協賛ゲートスタック研究会, 半導体Aプログラム編集委員
2004年9月 - 2007年1月

応用物理学会, 半導体A企画運営委員兼プログラム編集委員長

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受賞

2023年11月

Young Researcher Award, International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY -

Tatsuya Suzuki, Yohei Miyaki, Yuichiro Mitani
2017年11月

Young Award, Experimental Evidence of Trap Level Modulation in SiN Thin Film by Hydrogen Annealing, 2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY –

H. Seki, Y. Kamimuta, Y. Mitani
2017年4月

功績賞, IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT)

三谷祐一郎

論文

120

三次元フラッシュメモリ技術とニューラルネットワーク応用

三谷祐一郎

電子情報通信学会誌 107(4) 296-303 2024年4月招待有り筆頭著者
Effects of plasma oxidation and plasma nitridation on chemical bonding state of AlScN evaluated by AR-HAXPES

Tomoya Tsutsumi, Kazuki Goshima, Yoshiharu Kirihara, Tatsuki Okazaki, Akira Yasui, Kuniyuki Kakushima, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP66-04SP66 2024年4月1日査読有り
Resistive switching memory using buckybowl sumanene-inserted bilayer graphene

Eito Ashihara, Ryoichi Kawai, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP35-04SP35 2024年4月1日査読有り最終著者責任著者
Impact of hydrogen plasma treatment on fluorine-contained silicon nitride films

Takumi Kobayashi, Haruto Omata, Kiyokazu Nakagawa, Yuichiro Mitani

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP47-04SP47 2024年4月1日査読有り最終著者責任著者
Study on the relation between interface trap creation and MOSFET degradation under channel hot carrier stressing at cryogenic temperatures

Tatsuya Suzuki, Yohei Miyaki, Yuichiro Mitani

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP22-04SP22 2024年3月22日査読有り最終著者責任著者
Stacked structure dependence on resistive switching characteristics in sumanene molecular memory

Ryoichi Kawai, Eito Ashihara, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

Japanese Journal of Applied Physics 63(4) 04SP05-04SP05 2024年3月18日査読有り最終著者責任著者
Study on Interface Trap and Fixed Charge Generation under Channel Hot Carrier Stressing at Low Temperature Using Device Simulation

Yohei Miyaki, Tatsuya Suzuki, Yuichiro Mitani

2023 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) 2023年11月16日査読有り最終著者責任著者
Fabrication of metal/oxide/fluorographene/oxide/silicon capacitors and their charge trapping properties

Rino Kawashima, Hiroshi Nohira, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

Japanese Journal of Applied Physics 62(SG) SG1035-SG1035 2023年3月23日査読有り最終著者
Re-consideration of Influence of Fluorine on SiO2 and SixNy Reliabilities

Yuichiro Mitani

2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM) 2021年4月8日査読有り招待有り筆頭著者
Further Investigation on Mechanism of Trap Level Modulation in Silicon Nitride Films by Fluorine Incorporation

Harumi Seki, Yasushi Nakasaki, Yuichiro Mitani

2020 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2020年4月査読有り最終著者
Dramatic Improvement of Vfb Shift and Gmmax with Ultra-thin and Ultra-low-leakage SiN-based SiON Gate Dielectrics

Kouichi Muraoka, D. Matsushita, Y. Nakasaki, K. Kato, S. Kikuchi, K. Sakuma, Y. Mitani, K. Eguchi, Mariko Takayanagi

ECS Transactions 6(3) 313-327 2019年12月19日査読有り責任著者
Impact of Deuterium and Fluorine Incorporation on Weibull Distribution of Dielectric Breakdown in Gate Dielectrics

Yuichiro Mitani, Hideki Satake, Akira Toriumi

ECS Transactions 19(2) 227-242 2019年12月18日査読有り招待有り筆頭著者
(Invited) A Study of Dielectric Breakdown Mechanisms in MG/HK MISFETs: From the Viewpoint of TDDB Statistics

Izumi Hirano, Koichi Kato, Yasushi Nakasaki, Shigeto Fukatsu, Motoyuki Sato, Seiji Inumiya, Masakazu Goto, Katsuyuki Sekine, Yuichiro Mitani

ECS Transactions 33(3) 507-519 2019年12月17日査読有り招待有り最終著者責任著者
Metal-Assisted Solid-Phase Crystallization Process for Vertical Monocrystalline Si Channel in 3D Flash Memory

Hidenori Miyagawa, Makoto Fujiwara, Yuichiro Mitani, Tomoyuki Obu, Hideaki Aochi, Haruka Kusai, Riichiro Takaishi, Tomoya Kawai, Yuuichi Kamimuta, Toshiya Murakami …

Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM 2019-December 2019年12月査読有り
Investigation of Switching-Induced Local Defects in Oxide-Based CBRAM Using Expanded Analytical Model of TDDB

Reika Ichihara, Shosuke Fujii, Marina Yamaguchi, Yoko Yoshimura, Yuichiro Mitani, Masumi Saitoh

IEEE Transactions on Electron Devices 66(5) 2165-2171 2019年5月査読有り責任著者
Evaluation of electron traps in SiNx by discharge current transient spectroscopy: verification of validity by comparing with conventional DLTS

Harumi Seki, Kazuhiko Yamamoto, Yuichiro Mitani

Japanese Journal of Applied Physics 58(SB) SBBK02-SBBK02 2019年4月1日査読有り最終著者
Random Telegraph Noise after Hot Carrier Injection in Tri-gate Nanowire Transistor

Kensuke Ota, Reika Ichihara, Masamichi Suzuki, Masumi Saitoh, Yuichiro Mitani

2019 Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, EDTM 2019 169-171 2019年3月査読有り
Experimental evidence of trap level modulation in silicon nitride thin films by hydrogen annealing

Harumi Seki, Yuuichi Kamimuta, Yuichiro Mitani

Japanese Journal of Applied Physics 57(6) 06KB04-06KB04 2018年6月1日査読有り最終著者
Study on mechanism of thermal curing in ultra-thin gate dielectrics

Yuichiro Mitani, Yusuke Higashi, Yasushi Nakasaki

IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings 2018-March 3A.41-3A.48 2018年5月25日査読有り
Experimental Evidence of Trap Level Modulation in SiN Thin Film by Hydrogen Anneal-ing

H. Seki, Y. Kamimuta, Y. Mitani

2017 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY 128-129 2017年11月査読有り最終著者責任著者

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MISC

脳型学習LSIのための金属酸化物デバイスのスパイク時間依存可塑性

丸亀孝生, 市原玲華, 野村久美子, 安田心一, 三谷祐一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2017.2 2981-2981 2017年8月25日
ディープラーニングハードウェアの低消費電力化に寄与する学習時メモリーエラー解析手法

丸亀孝生, 西義文, 三谷祐一郎

東芝レビュー 72(2) 38-39 2017年責任著者
PUFによる個体認証セキュリティ技術へのランダムテレグラフノイズの適用

陳ジィエジィ, 棚本哲史, 三谷祐一郎

東芝レビュー 71(2) 23-26 2016年最終著者
NiSi/Siショットキー障壁を変調する硫黄不純物の電子状態解析

丸亀孝生, 吉木昌彦, 西義史, 加藤弘一, 三谷祐一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 2839-2839 2014年3月3日
不純物・欠陥によるS原子ペアーのショットキー障壁変調への影響

加藤弘一, 丸亀孝生, 西義史, 三谷祐一郎

応用物理学会学術講演会講演予稿集 2014.1 2840-2840 2014年3月3日
微細電界効果トランジスタにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こす欠陥機構の解明

陳ジィエジィ, 平野泉, 三谷祐一郎

東芝レビュー 68(8) 27-30 2013年最終著者
次世代LSIに向けたメタルゲート電極/高誘電率ゲート絶縁膜の高信頼化技術

深津茂人, 平野泉, 三谷祐一郎

東芝レビュー 65(7) 28-32 2010年最終著者
重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明

三谷祐一郎, 佐竹秀喜

東芝レビュー 57(11) 31-34 2002年筆頭著者
極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案

佐竹秀喜, 三谷祐一郎

東芝レビュー 55(10) 58-61 2000年最終著者
単結晶浮遊ゲート電極を用いた不揮発性メモリセルの検討

齋田繁彦, 神林茂, 三谷祐一郎, 水島一郎, 小池三夫, 間博顕, 小澤良夫

電子情報通信学会総合大会講演論文集 1996(2) 296-296 1996年3月11日

書籍等出版物

薄膜作製応用ハンドブック

権田, 俊一, 酒井, 忠司, 田畑, 仁, 八瀬, 清志, 宮崎, 照宣 (担当:分担執筆, 範囲:第4編薄膜技術の応用と展望第1章電子デバイス第1節 LSI 5. 3 次元フラッシュメモリ用薄膜)

エヌ・ティー・エス 2020年2月 (ISBN: 9784860436315)

講演・口頭発表等

116

Re-consideration of Correlation between Interface and Bulk Trap Generations using Cryogenic Measurement

Y.Mitani, T. Suzuki, Y. Miyaki

2024 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) 2024年4月17日
大容量フラッシュメモリ技術とその応用

三谷祐一郎

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日招待有り
SiN膜に含まれる水素の化学結合状態と分布に与える水素プラズマ処理の影響のAR-HAXPES評価

桐原芳治, 小俣晴人, 保井晃, 中川清和, 三谷祐一郎, 野平博司

第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024年2月1日
C軸配向AlScNを用いた固相成長ポリシリコンチャネルの結晶制御

野秋元, 堤智也, 桐原芳治, 岡崎樹, 石川亮佑, 角嶋邦之, 三谷祐一郎

第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024年2月1日
水素プラズマ処理によるALD-SiO2膜中トラップエネルギー準位の深化

藤田雄輝, 中川清和, 三谷祐一郎

第29回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2024年2月1日
Study on Interface Trap and Fixed Charge Generation under Channel Hot Carrier Stressing at Low Temperature Using Device Simulation

Yohei Miyaki, Tatsuya Suzuki, Yuichiro Mitani

2023 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2023年11月17日
Demonstration of Resistive switching memory devices using Buckybowls Sumanene inserted Bilayer Graphene

Eito Ashihara, Ryouichi Kawai, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023) 2023年11月17日
Study on Resistive Switching Mechanism in Metal/Graphene/Sumanene/Graphene/N+ Si Nonvolatile Memory

Ryoichi Kawai, Eito Ashihara, Ryosuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

36th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2023) 2023年11月17日
Impact of Plasma Nitridation on Resistive Switching in AlScN Ferroelectric Tunnel Junction Memory

Kazuki Goshima, Tatsuki Okazaki, Yoshiharu Kirihara, Tomoya Tsutsumi, Kuniyuki Kakushima, Hiroshi Nohira, Yuichiro Mitani

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - 2023年10月24日
Evaluation of the Effect of Plasma Oxidation and Nitriding on AlScN by AR-HAXPES

Tomoya Tsutsumi, Kazuki Goshima, Yoshiharu Kirihara, Tatsuki Okazaki, Akira Yasui, Kuniyuki Kakushima, Yuichiro Mitani, Hiroshi Nohira

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - 2023年10月24日
Depassivation of Fluorine in Silicon Nitride Films by Hydrogen Radical Treatment

Takumi Kobayashi, Haruto Omata, Kiyokazu Nakagawa, Yuichiro Mitani

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY 2023年10月24日
Degradation on nMOSFET and Interface Trap Creation under Channel Hot Carrier Stressing at Cryogenic Temperature

Tatsuya Suzuki, Yohei Miyaki, Yuichiro Mitani

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - 2023年10月24日
水素ラジカルを用いたシリコン窒化膜中水素量の制御

小俣晴人, 中川清和, 三谷祐一郎

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月4日
AlScN強誘電体トンネル接合の伝導特性に及ぼす酸素プラズマ界面層の影響

岡崎樹, 堤智也, 桐原芳治, 五島一樹, 角嶋邦之, 野平博司, 三谷祐一郎

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月3日
Study on Fluorographene Charge Trapping layer for Nonvolatile Memory Applications

Yuichiro Mitani, R. Kawashima, R. Ishikawa, H. Nohira

The 2022 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2022年11月29日招待有り
Carrier trapping characteristics of fluorographene for nonvolatile memory applications

Rino Kawashima, Hiroshi Nohira, Ryousuke Ishikawa, Yuichiro Mitani

35th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC 2022) 2022年11月10日
フッ化グラフェンを用いた不揮発性メモリの電荷捕獲特性

川島理乃, 野平博司, 石川亮佑, 三谷祐一郎

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月23日
Ge/Si積層構造の結晶化プロセスとその課題

坂根健斗, 野秋元, 三谷祐一郎

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の信頼性に及ぼすフッ素の影響の相違

三谷祐一郎

電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 2021年10月21日招待有り
Re-Consideration of Influence of Fluorine on SiO2 and SixNy Reliabilities

Yuichiro Mitani

The 2021 IEEE Electron Devices Technology and. Manufacturing (EDTM) Conference 2021年4月11日招待有り

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担当経験のある科目(授業)

2022年4月 - 現在

電磁気学応用 (東京都市大学)
2021年4月 - 現在

電磁気学基礎演習 (東京都市大学)
2020年4月 - 現在

SD-PBL(2) (東京都市大学)
2020年4月 - 現在

SD-PBL(1) (東京都市大学)
2020年4月 - 現在

電気磁気学(2)演習 (東京都市大学)
2020年4月 - 現在

エレクトロニクス工学/集積回路工学 (東京都市大学)
2020年4月 - 現在

電気磁気学(1)演習 (東京都市大学)
2020年4月 - 現在

ナノエレクトロニクス特論 (東京都市大学)
2022年4月 - 2023年3月

物質科学特論B (奈良先端科学技術大学院大学)
2020年4月

先端デバイス特論 (東京都市大学)

所属学協会

2018年1月 - 現在

IEEE
1995年2月 - 現在

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

原子状水素を用いたシリコン窒化薄膜のナノ欠陥制御と信頼性向上に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 基盤研究(C) 2022年4月 - 2025年3月

三谷祐一郎
マイクロ波励起プラズマ処理によるシリコン窒化膜中水素濃度分布制御と電圧駆動型固体素子ニューロンの開発

国立研究開発法人科学技術振興機構研究成果展開事業（研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）） 2022年10月 - 2024年3月

三谷祐一郎
趙微粒子制御クリーニング基礎技術

技術研究組合超先端電子技術開発機構委託業務 1999年 - 2000年

三谷祐一郎, 佐竹秀喜, 伊藤仁, 鳥海明

産業財産権

US9983818 Individual identification device, storage device, individual identification system, method of individual identification, and program product

Chen Jiezhi, Mitani Yuichiro, Tanamoto Tetsufumi, Takao Marukame
特許6290057 復号装置、復号方法およびメモリシステム

西義史, 丸亀孝生, 三谷祐一郎
特許6282535 メモリシステムおよび制御方法

陳ジィエジィ, 三谷祐一郎
特許6239471 認証システム、認証装置および認証方法

棚本哲史, 丸亀孝生, 安田心一, 三谷祐一郎, 藤田忍
US9794073 Information processing system and semiconductor device

Chen Jiezhi, Tanamoto Tetsufumi, Mitani Yuichiro
US9755064 Semiconductor device and method for manufacturing the same

Ohash Teruyuki, Mitani Yuichiro, Shimizu Tatsuo, Iijima Ryosuke
US9698236 Semiconductor device and method for manufacturing the same

Matsushita Daisuke, Mitani Yuichiro
US9672103 Decoding device, decoding method, and memory system

Nishi Yoshifumi, Marukame Takao, Mitani Yuichiro
特許6151203 演算制御装置、それを備えたメモリシステム、および、情報処理装置

陳ジィエジィ, 松澤一也, 丸亀孝生, 三谷祐一郎
US9665426 Semiconductor device and reading method

Chen Jiezhi, Takahashi Kuniharu, Nagashima Hiroyuki, Mitani Yuichiro, Matsudera Katsuki, Kanebako Kazunori
特許6129654 認証装置、認証方法およびプログラム

棚本哲史, 丸亀孝生, 安田心一, 三谷祐一郎, 新保淳, 岸達也
特許6129699 個体識別装置、記憶装置、個体識別システム、その方法、およびプログラム

陳ジィエジィ, 三谷祐一郎, 棚本哲史, 丸亀孝生
特許6121857 メモリシステムおよび制御方法

丸亀孝生, 松澤一也, 西義史, 陳ジィエジィ, 東悠介, 三谷祐一郎
特許6104676 メモリシステム、制御システムおよび寿命予測方法

陳ジィエジィ, 棚本哲史, 三谷祐一郎, 丸亀孝生
US9584149 Comparator, AD converter, and wireless communication device

Suzuki Masamichi, Mitani Yuichiro
US9570181 Memory system

Marukame Takao, Matsuzawa Kazuya, Nishi Yoshifumi, Chen Jiezhi, Higashi Yusuke, Mitani Yuichiro
特許6071524 不揮発性半導体記憶装置

平野泉, 三谷祐一郎, 宮田正靖, 中崎靖, 加藤弘一, 松下大介, 高島章, 諸田美砂子
US9530855 Semiconductor device with polycrystalline silicon film

Suzuki Masamichi, Higashi Yusuke, Takaishi Riichiro, Tomita Mitsuhiro, Sakuma Kiwamu, Mitani Yuichiro
特許6034183 半導体記憶装置

丸亀孝生, 栗田貴宏, 佐々木勇輝, 陳ジィエジィ, 東悠介, 三谷祐一郎
US9460316 Authentication device, authentication method, and computer program product

Tanamoto Tetsufumi, Marukame Takao, Yasuda Shinichi, Mitani Yuichiro, Shimbo Atsushi, Kishi Tatsuya

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学術貢献活動

IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Session Chair

パネル司会・セッションチェア等, 査読

IEEE 2022年4月1日 - 2024年4月19日
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Session Vice-Chair

パネル司会・セッションチェア等

IEEE 2021年4月1日 - 2022年3月31日
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) Memory Reliability Session Sub-committee

査読

IEEE 2020年4月1日 - 2021年3月31日
IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) General Chair

企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

IEEE 2016年5月 - 2017年5月
IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Conference Chair

企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

IEEE 2015年5月 - 2016年5月
IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Treasurer

企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

IEEE 2014年5月 - 2015年5月
IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Workshop Moderator

パネル司会・セッションチェア等

IEEE 2014年6月 - 2014年6月
IEEE International Conference on IC Design & Technology (ICICDT) Secretary

企画立案・運営等, パネル司会・セッションチェア等, 査読

IEEE 2013年5月 - 2014年5月

社会貢献活動

IEEE EDS Japan Joint Chapter Secretary

運営参加・支援, その他

IEEE EDS 2018年1月 - 2020年1月

三谷祐一郎

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

学術貢献活動

社会貢献活動

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