ひずみ場によりイオン伝導性固体の導電特性が変化する現象を能動的に制御することで，携帯型電子機器用の電源として開発が進んでいるμSOFCの特性を向上させ，低温作動特性を付与することを目的とし，ひずみ場の制御手法とその影響の評価を行った。圧縮と引張両方向のひずみ場を導入したセルを評価した結果，引張性のひずみ場を界面から生じる熱応力などで加えることで電解質抵抗が低減される可能性が示唆された。合わせて，ひずみ場を導入可能な構造を持つμSOFCの設計，試作も行った。