長澤弘幸 (Hiroyuki Nagasawa) - マイポータル

基本情報

学位: 工学博士(東海大学)

通称等の別名: Hiroyuki Nagasawa
J-GLOBAL ID: 201401006813709992
researchmap会員ID: 7000006972

研究キーワード

経歴

東北大学電気通信研究所, 研究員

MISC

パワーエレクトロニクスの発展を担うSiC

長澤弘幸

CISTEC Journal 安全保障貿易情報センター 161 99-116 2016年
パワーエレクトロニクスの発展を担うSiC

Hiroyuki Nagasawa

CISTEC Journal,安全保障貿易情報センター 161 99-116 2016年
Controlling planar defects in 3C–SiC: Ways to wake it up as a practical semiconductor

Hiroyuki Nagasawa, Ramya Gurunathan, Maki Suemitsu

Materials Science Forum 821-823 108-114 2015年
High quality graphene formation on 3C-SiC/4H-AIN/Si heterostructure

Sai Jiao, Yuya Murakami, Hiroyoki Nagasawa, Hirokazu Fukidome, Isao Makabe, Yasunori Tateno, Takashi Nakabayashi, Maki Suemitsu

Materials Science Forum 806 89-93 2015年
Persistent Conductivity in n-type 3C-SiC Observed at Low Temperatures

S. Beljakowa, M. Hauck, M. Bockstedte, F. Fromm, M. Hundhausen, H. Nagasawa, H. B. Weber, G. Pensl, M. Krieger

SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2013, PTS 1 AND 2 778-780 265-+ 2014年
Core element effects on dislocation nucleation in 3C-SiC: Reaction pathway analysis

Yu Sun, Satoshi Izumi, Shinsuke Sakai, Kuniaki Yagi, Hiroyuki Nagasawa

COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE 79 216-222 2013年11月
Excess carrier lifetime and strain distributions in a 3C-SiC wafer grown on an undulant Si substrate

Masashi Kato, Atsushi Yoshida, Masaya Ichimura, Hiroyuki Nagasawa

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 210(9) 1719-1725 2013年9月
Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates

S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, M. Suemitsu

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ＩＣＳＣＲＭ2013） 2013年
Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates

S. Jiao, H. Fukidome, H. Nagasawa, S. Filimonov, M. Tateno, I. Makabe, T. Nakabayashi, M. Suemitsu

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM2013) 2013年

講演・口頭発表等

Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年
Si(110)上3C-SiC(111)薄膜の結晶方位回転成長機構

第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年
SiCエピタキシャル成長技術とポリタイプ積層

第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年
SiCエピタキシャル成長技術とポリタイプ積層

第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年
What is 'Killer Defect' in 3C-SiC

IUMRS-ICA 2014年
Si(111)基板上に炭素との固相反応で生成したSiC薄膜の評価

第61回応用物理春季学術講演会 2014年
What is 'Killer Defect' in 3C-SiC

IUMRS-ICA 2014年
Si(111)基板上に炭素との固相反応で生成したSiC薄膜の評価

第61回応用物理春季学術講演会 2014年
Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it upDevelop 3C-SiC as a Practical Semiconductor

ECSCRM2014 2014年
Controlling Planar Defects in 3C–SiC: Ways to Wake it upDevelop 3C-SiC as a Practical Semiconductor

ECSCRM2014 2014年
3C-SiC/Si(111)ヘテロエピタキシャル界面から発生する積層欠陥の抑制 Suppression of stacking faults generated at 3C-SiC/Si(111) hetero-interface

SiC及び関連半導体研究第22回講演会 2013年
Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM 評価・17p-B3-17

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年
Si(110)基板上3C-SiC(111)回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM 評価・17p-B3-17

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年
Si(110)基板上3C-SiC(111)結晶方位回転エピ膜の断面TEM評価 Cross-sectional TEM Observation of Rotatedly Grown 3C-SiC(111) Film on Si(110) Substrates

SiC及び関連半導体研究第22回講演会 2013年
微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価 Cross-sectional TEM Observation of 3C-SiC(111) thin films on vicinal Si(111) substrates

SiC及び関連半導体研究第22回講演会 2013年
Si(110)基板上3C-SiC(111)結晶方位回転エピ膜の断面TEM評価 Cross-sectional TEM Observation of Rotatedly Grown 3C-SiC(111) Film on Si(110) Substrates

SiC及び関連半導体研究第22回講演会 2013年
微傾斜Si(111)基板上3C-SiC(111)薄膜の断面TEM評価 Cross-sectional TEM Observation of 3C-SiC(111) thin films on vicinal Si(111) substrates

SiC及び関連半導体研究第22回講演会 2013年
Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates ・Th-P-50p.346

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ＩＣＳＣＲＭ2013） 2013年
Niシリサイドを用いたSi基板上エピタキシャルグラフェンの低温形成・16p-P7-9 Low-temperature Formation of Epitaxial Graphene On Silicon Substrate Using Ni silicidation

2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会 2013年
Epitaxial Graphene Formation on 3C-SiC(111)/4H-AlN(0001) Double Layer Stacking on Si(111) Substrates ・Th-P-50p.346

The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials （ＩＣＳＣＲＭ2013） 2013年

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