深見 俊輔
フカミ シュンスケ (Shunsuke Fukami)
更新日: 04/23
その他
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2015年4月 - 2015年4月本研究では極微細世代(30nm以下)での電流誘起磁壁移動を実現する新方式を提案し、微細ナノ磁性体の新たな物理を開拓する。またそこで確立した知見をもとに3次元磁壁移動デバイスの世界初の動作実証へと発展させる。
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2015年4月 - 2015年4月本研究では、スピン軌道相互作用に由来するトルク―スピン軌道トルク―を用いた新しい磁化制御方式の基礎物理を確立し、それを用いた3端子磁気メモリ素子の実用化のための基盤技術を構築する。