査読有り 2018年5月 Incident ion dose evolution of damaged layer thickness in Si substrate exposed to Ar and He plasmas Jpn. J. Appl. Phys. T. Hamano, K. Eriguchi 巻 57 号 開始ページ 06JD02 終了ページ 記述言語 英語 掲載種別 研究論文(学術雑誌) エクスポート BibTeX RIS