MISC

査読有り
2007年

Annealing-induced interfacial reactions between gate electrodes and HfO2/Si gate stacks studied by synchrotron radiation photoemission spectroscopy

AIP Conference Proceedings
  • H. Takahashi
    • ,
  • J. Okabayashi
    • ,
  • S. Toyoda
    • ,
  • H. Kumigashira
    • ,
  • M. Oshima
    • ,
  • K. Ikeda
    • ,
  • G.L. Liu
    • ,
  • Z. Liu
    • ,
  • K. Usuda
巻
879
号
開始ページ
1569
終了ページ
1572
記述言語
英語
掲載種別
DOI
10.1063/1.2436365
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.1063/1.2436365
ID情報
  • DOI : 10.1063/1.2436365
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