非一様Poisson過程に従うスパイク列に対するスパイキングニューロンモデルの応答の理論的解析を行う.統計的に独立なスパイク列に対する膜電位の確率密度関数はGauss分布に近づく.その場合, 膜電位の分布に関する確率過程はGauss過程となる.Markov性を要請すると, 膜電位の確率密度関数や発火確率の計算が簡単化される.Markov性が成り立つ場合について膜電位の分布と発火確率の数値計算を行った.また決定論的な入力を加えることにより, 高密度の発火確率の上昇が引き起こされる.