三好実人 (Makoto Miyoshi) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋工業大学大学院工学研究科教授
: (兼任)極微デバイス次世代材料研究センターセンター長
: (兼任)窒化物半導体マルチビジネス創生センターセンター長

学位: 博士（工学）(2006年3月名古屋工業大学)

連絡先: miyoshi.makotonitech.ac.jp
研究者番号: 30635199
ORCID iD: https://orcid.org/0000-0001-9583-1891
J-GLOBAL ID: 201501052776292759
Researcher ID: AAY-7799-2021
researchmap会員ID: 7000010758

外部リンク: http://miyoshi.web.nitech.ac.jp/index.html

研究キーワード

研究分野

経歴

2012年4月 - 現在

名古屋工業大学, 大学院工学研究科／極微デバイス次世代材料研究センター, 教授
2020年4月 - 2021年3月

北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 客員教授
2011年3月 - 2012年1月

信越半導体株式会社, 半導体磯部研究所, 主任研究員
1992年4月 - 2011年2月

日本ガイシ株式会社, 研究開発本部, 主任研究員

学歴

1990年4月 - 1992年3月

大阪大学, 基礎工学研究科, 物理系物性学分野
1986年4月 - 1990年3月

大阪大学, 基礎工学部, 物性物理工学科

受賞

2025年4月

Top Viewed Article, DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate, Physica Status Solidi (a) Applications and Materials Science

Makoto Miyoshi, Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa
2025年1月

論文発表奨励賞, GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ電子デバイス (ED) 研究専門委員会

井上諒星, 小嶋智輝, 間瀬晃, 江川孝志, 三好実人
2024年1月

論文発表奨励賞, 四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ電子デバイス (ED) 研究専門委員会

滝本将也, 間瀬晃, 小嶋智輝, 江川孝志, 三好実人
2023年11月

Outstanding Poster Award, High-efficiency GaInN-based photovoltaic cells on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system, 14th International Conference on Nitride Semiconductors, ICNS-14

Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2023年3月

IOP Outstanding Reviewer Awards 2022, IOP publishing

Makoto Miyoshi
2022年10月

The Best Poster Presentation, AlGaInN/GaN HEMTs on single-crystal AlN substrate, International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN 2022

Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi
2022年6月

教員評価優秀賞, 名古屋工業大学

三好実人
2022年4月

IOP Outstanding Reviewer Awards 2021, IOP publishing

Makoto Miyoshi
2022年3月

The 2022 Best Short Presentation Awards, Effect of a Thin AlN Layer Inserted into the GaN Drift Layers on Reverse Breakdown Behavior for Fully Vertical GaN-on-Si Schottky Barrier Diodes, The ISPlasma Prize 2022

Akira Mase, Pradip Dalapati, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa
2021年9月

Editor's Pick Article, Improved epilayer qualities and electrical characteristics for GaInN multiple-quantum-well photovoltaic cells and their operation under artificial sunlight and monochromatic light illuminations, AIP Advances

Makoto Miyoshi, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Pradip Dalapati, Takashi Egawa
2019年1月

論文発表奨励賞, 歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET, 電子情報通信学会エレクトロニクスソサエティ電子デバイス (ED) 研究専門委員会

細見大樹, 古岡啓太, 陳珩, 斉藤早紀, 久保俊晴, 江川孝志, 三好実人
2018年6月

教員評価優秀賞, 名古屋工業大学

三好実人
2017年

Editor's Choice, Effect of well layer thickness on quantum and energy conversion efficiencies for InGaN/GaN multiple quantum well solar cell, Solid-State Electronics

Makoto Miyoshi, Tatsuya Tsutsumi, Tomoki Kabata, Takuma Mori, Takashi Egawa
2015年

Spotlights, Nearly lattice-matched InAlN/AlGaN two-dimensional electron gas heterostructures grown by metalorganic chemical vapor deposition, Applied Physics Express

Makoto Miyoshi, Shu Fujita, Takashi Egawa

論文

113

AlN/AlGaN heterojunction field-effect transistors with a high-AlN-mole-fraction Al0.72Ga0.28N channel grown on a single-crystal AlN substrate by metalorganic chemical vapor deposition

Yoshinobu Kometani, Tomoyuki Kawaide, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Japanese Journal of Applied Physics 65(11) 111003-1-111003-5 2024年11月査読有り最終著者責任著者
Improved performance of InGaN/GaN multiple-quantum-wells photovoltaic devices on free-standing GaN substrates with TMAH treatment

Nan Hu, Takahiro Fujisawa, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Solar Energy Materials and Solar Cells 275(15) 113025-1-113025-7 2024年7月8日査読有り最終著者責任著者
Characterizations of the sub-bandgap optical absorption in an undoped-GaN and a 90-nm-thick Al1-xInxN thin film on a sapphire substrate grown by MOCVD

Kouki Noda, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kana Shibata, Youna Tsukada, Daichi Imai, Tetsuya Takeuchi, Makoto Miyoshi, Takao Miyajima

Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics 261(11) 2400029-1-2400029-7 2024年5月19日査読有り
Current collapse suppression in AlGaInN/GaN HEMTs with thin unintentionally doped GaN channel and AlN back barrier grown on single-crystal AlN substrate

Tomoyuki Kawaide, Yoshinobu Kometani, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Applied Physics Letters 124(18) 18210-1-18210-4 2024年5月1日査読有り最終著者責任著者
Over 43%-power-efficiency GaInN-based photoelectric transducer on free-standing GaN substrate for optical wireless power transmission system

Takahiro Fujisawa, Nan Hu, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Semiconductor Science and Technology 39(4) 045010-1-045010-6 2024年2月27日査読有り最終著者責任著者
Characterization of dislocations induced by Vickers indentation in GaN for explaining size ratios of dislocation patterns

Yukari Ishikawa, Yoshihiro Sugawara, Yongzhao Yao, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Journal of Materials Science 59(7) 2974-2987 2024年2月19日査読有り
Sub-bandgap optical absorption processes in 300-nm-thick Al1-xInxN alloys grown on a c-plane GaN/sapphire template

Daichi Imai, Yuto Murakami, Hayata Toyoda, Kouki Noda, Kyosuke Masaki, Kazutoshi Kubo, Mayu Nomura, Takao Miyajima, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi

Journal of Applied Physics 135(3) 035703-1-035703-8 2024年1月17日査読有り
Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-heterojunction bipolar transistors with different-hole-concentration p-base layers

Akira Mase, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Yutaka Nikai, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Journal of Vacuum Science & Technology B 41(5) 052206-1-052206-6 2023年9月6日査読有り最終著者責任著者
Improved reverse-bias breakdown behavior in fully-vertical GaN-on-Si Schottky barrier diodes with a thin AlN layer within the GaN drift layer

Akira Mase, Pradip Dalapati, Ryosuke Hayafuji, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

Semiconductor Science and Technology 38(9) 095005-1-095005-6 2023年8月3日査読有り
Current-driven degradation dynamics in GaN/InGaN multi-quantum-wells UV photodetectors fabricated with a high-quality Al2O3 passivation film

Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Vaccum 213 112159-1-112159-6 2023年5月5日査読有り最終著者責任著者
DC and pulse I-V characteristics of strain-engineered AlGaInN/GaN HEMTs fabricated on single-crystal AlN substrate

Makoto Miyoshi, Sakura Tanaka, Tomoyuki Kawaide, Akiyoshi Inoue, Takashi Egawa

Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 220(16) 2200733-1-2200733-5 2023年1月22日査読有り筆頭著者責任著者
Growth and microstructure analyses of semipolar AlInN epitaxial layers on a fully relaxed semipolar {11-22} GaInN/GaN/m-plane sapphire template

Makoto Miyoshi, Takahiro Fujisawa, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Tetsuya Takeuchi, Narihito Okada, Kazuyuki Tadatomo

Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics 260(8) 2200492-1-2200492-8 2023年1月4日査読有り筆頭著者責任著者
High temperature characteristics of GaN/InGaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Analysis of photovoltaic and carrier transit time properties

Pradip Dalapati, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Journal of Vacuum Science & Technology B 40(6) 062210-1-062210-7 2022年11月18日査読有り最終著者責任著者
Room-temperature nonradiative recombination lifetimes in c-plane Al1-xInxN epilayers nearly and modestly lattice-matched to GaN (0.11 ≤ x ≤ 0.21)

L. Y. Li, K. Shima, M. Yamanaka, T. Egawa, T. Takeuchi, M. Miyoshi, S. Ishibashi, A.Uedono, S. F. Chichibu

Journal of Applied Physics 132(16) 163102-1-163102-10 2022年10月25日査読有り
Current-induced degradation behaviors of InGaN/GaN multiple-quantum-well UV photodetectors: Role of electrically active defects

Pradip Dalapati, Abdulaziz Almalki, Sultan Alhassan, Saud Alotaibi, Maryam Al Huwayz, Taiki Nakabayashi, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi, Mohamed Henini

Sensors and Actuators: A. Physical 347 113935-1-113935-8 2022年10月6日査読有り
Simulation analyses of carrier dynamics in npn-type GaN-HBTs with different-hole-concentration p-base layers

Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Masaya Takimoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

2022 Compound Semiconductor Week, CSW 2022 - Proceedings 2022年6月1日査読有り最終著者責任著者
The role of p-GaN layer thickness for the evaluation of high-performance and ultrafast GaInN/GaN multiple quantum wells UV photodetectors

Pradip Dalapati, Taiki Nakabayashi, Kosuke Yamamoto, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Optical Materials 127 112284-1-112284-9 2022年5月査読有り最終著者責任著者
Simulation study on novel GaN-based npn heterojunction bipolar transistors with a quaternary AlGaInN emitter and a two-dimensionally conductive base

Akira Mase, Yutaka Nikai, Yusuke Iida, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science 219(4) 2100397-1-2100397-5 2022年2月21日査読有り最終著者責任著者
High drain-current-density and high breakdown-field Al0.36Ga0.64N-channel heterojunction filed-effect transistors with a dual AlN/AlGaInN barrier layer

Akiyoshi Inoue, Sakura Tanaka, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

Japanese Journal of Applied Physics 61(SC) SC1039-1-SC1039-6 2022年2月16日査読有り最終著者責任著者
Near-bandgap optical properties of Al1-xInxN thin films grown on a c-plane freestanding GaN substrate

Hayata Toyoda, Yuto Murakami, Rino Miyata, Daichi Imai, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Takao Miyajima

Japanese Journal of Applied Physics 61(SA) SA1017-1-SA1017-5 2022年1月査読有り

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MISC

GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討

小嶋智輝, 石田颯汰朗, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 2024年11月28日責任著者
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価

井上諒星, 小嶋智輝, 間瀬晃, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 2024年11月28日責任著者
四元混晶AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを用いたGaN系HBTの作製

滝本将也, 間瀬晃, 小嶋智輝, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 2023年11月30日責任著者
単結晶AlN基板上の薄層UID-GaNチャネルを備えた AlGaInN/GaN HEMTの作製と特性評価

川出智之, 米谷宜展, 田中さくら, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 122 53-56 2023年11月30日責任著者
光無線給電システムに向けた自立GaN基板上GaInN系受光素子の作製と特性評価

藤澤孝博, Hu Nan, 小嶋智輝, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 122 57-60 2023年11月30日責任著者
極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価

加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告 123 20-23 2023年5月19日
半極性 {11-22}AlInN/GaInN の成長温度依存性

藤澤孝博, 中林泰希, 江川孝志, 三好実人, 竹内哲也, 岡田成仁, 只友一行

電子情報通信学会技術研究報告 122 81-84 2022年11月17日責任著者
光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製

伊藤滉朔, 小松祐斗, 渡久地政周, 井上暁喜, 田中さくら, 三好実人, 佐藤威友

電子情報通信学会技術研究報告 121(251) 91-94 2021年11月18日
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

李リヤン, 嶋紘平, 山中瑞樹, 小島一信, 江川孝志, 上殿明良, 石橋章司, 竹内哲也, 三好実人, 秩父重英

電子情報通信学会技術研究報告 121(261) 45-50 2021年11月18日
光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価

中林泰希, 山本皓介, Pradip Dalapati, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 121(261) 59-62 2021年11月18日最終著者責任著者
AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET

井上暁喜, 田中さくら, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 121(259) 79-82 2021年11月18日最終著者責任著者
選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET

井上暁喜, 原田紘希, 山中瑞樹, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 120(254) 25-28 2020年11月19日最終著者責任著者
光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討

山本皓介, Pradip Dalapati, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会技術研究報告 120(256) 17-20 2020年11月19日最終著者責任著者
エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究

中林泰希, 高田華果, 江川孝志, 三好実人, 竹内哲也

電子情報通信学会技術研究報告 120(256) 13-16 2020年11月19日最終著者責任著者
c面GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長と結晶及び光学特性評価

原田紘希, 三好実人, 江川孝志, 竹内哲也

電子情報通信学会技術研究報告 119(304) 53-56 2019年11月14日責任著者
c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係

山中瑞樹, 三好実人, 江川孝志, 竹内哲也

電子情報通信学会技術研究報告 118(330) 5-8 2018年11月29日責任著者
ALD-Al₂O₃/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果

古岡啓太, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告 118(330) 45-48 2018年11月22日
サファイア基板ならびにAlN/サファイアテンプレート上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW太陽電池の特性比較 (電子部品・材料)

森拓磨, 太田美希, 原田紘希, 加藤慎也, 三好実人, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 117(332) 39-44 2017年11月30日責任著者
XPSおよびESRを用いたAlGaN上ALD-Al₂O₃膜の化学状態に対する膜厚および熱処理効果の評価

久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告 117(331) 73-76 2017年11月23日
MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用 (電子デバイス)

森拓磨, 三好実人, 江川孝志

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(356) 55-59 2016年12月12日責任著者

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書籍等出版物

月刊オプトロニクス2023年10月号特集注目! 光・レーザー光給電技術

三好実人 (担当:共編者(共編著者), 範囲:光無線給電の極限高効率を目指すGaN系光電変換デバイス)

オプトロニクス社 2023年10月

講演・口頭発表等

252

Photonic power converters based on InGaN, InGaP, CIGS and InGaAs for optical wireless power transmission

Shiro Uchida, Moeka Chiba, Junichi Suzuki, Reo Aoyama, Shuntaro Fujii, Makoto Miyoshi, Koichi Naniwae, Satoshi Kamiyama, Kouichi Akahane, Hironori Komaki

The 7th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT2025) 2025年4月24日招待有り
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価

井上諒星, 小嶋智輝, 間瀬晃, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会総合大会 2025年3月招待有り
単結晶AlN基板を用いて作製したN極性Al0.2Ga0.8NチャネルHFET

鈴木仁, 米谷宜展, 江川孝志, 三好実人

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月
光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子における結晶品質改善に向けた検討

石田颯汰朗, 小嶋智輝, 江川孝志, 三好実人

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月
多元系III族窒化物による分極整合エピタキシャル構造を用いた共鳴トンネルダイオードの検討

今泉輝, 間瀬晃, 江川孝志, 三好実人

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月
N-polar Al0.2Ga0.8N-channel HFETs fabricated on single-crystal AlN substrate

Hitoshi Suzuki, Yoshinobu Kometani, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年3月
Demonstration of GaN-based npn HBTs with a GaInN/GaN MQW structure as a p-type base region

Ryosei Inoue, Tomoki Kojima, Akira Mase, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年3月
Study on crystal quality improvement in GaInN/GaN MQW photoelectric transducers for OWPT systems

Sotaro Ishida, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2025) 2025年3月
GaInN/GaN MQW構造からなるp型ベース層を備えたGaN系HBTの作製と特性評価

井上諒星, 小嶋智輝, 間瀬晃, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024年11月29日
GaInN/GaN MQW光電変換素子における結晶品質及び性能改善に関する検討

小嶋智輝, 石田颯汰朗, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会 CPM/ED/LQE研究会 2024年11月28日
High-temperature operation of InGaN solar cells for optical wireless power transmission

J. Suzuki, S. Hayashi, S. Shibui, M. Koga, R. Takahashi, R. Aoyama, T. Noguchi, T. Fujisawa, T. Fukamachi, K. Naniwae, S. Ii, R. Watanabe, M. Miyoshi, T. Takeuchi, S. Kamiyama, S. Uchida

International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 (IWN 2024) 2024年11月4日
GaN の光熱偏向分光スペクトルと吸収係数の関係に関する考察

夏目果代子, 野田幸樹, 西畑陽貴, 今井大地, 三好実人, 竹内哲也, 宮嶋孝夫

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日
光無線給電用InGaN太陽電池の光学損失の検討

鈴木淳一, 高橋龍成, 金子優翔, 青山怜央, 古賀誠啓, 渋井駿昌, 野口尊央, 林駿希, 藤澤孝博, 伊井詩織, 渡邊琉加, 深町俊彦, 難波江宏一, 三好実人, 竹内哲也, 上山智, 内田史朗

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月18日
GaN系npn型HBTのベース層適用に向けたp型MQW構造の検討

井上諒星, 小嶋智輝, 間瀬晃, 江川孝志, 三好実人

第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月18日
Simulation study on GaN-based npn HBTs with MQW structured p-base region

Ryosei Inoue, Akira Mase, Tomoki Kojima, Takashi Egawa, Makoto Miyoshi

15th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2024)
Near-UV photoelectric transducers for OWPT systems based on GaInN multiple quantum-well structures

Makoto Miyoshi

The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024年4月25日招待有り
Wavelength dependence of temperature characteristics of InGaN photodetectors for optical wireless power supply

Junichi Suzuki, Shunki Hayashi, Shunsuke Shibui, Masahiro Koga, Ryusei Takahashi, Reo Aoyama, Takahiro Noguchi, Takahiro Fujisawa, Toshihiko Fukamachi, Koichi Naniwae, Shiori Ii, Ruka Watanabe, Makoto Miyoshi, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Shiro Uchida

The 6th Optical Wireless and Fiber Power Transmission Conference (OWPT 2024) 2024年4月
厚いNiパターンの凝集現象を利用したサファイア基板上微細幅転写フリーグラフェンの作製

加藤一朗, 久保俊晴, 三好実人, 江川孝志

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年4月
四元混晶n型AlGaInNエミッタとp型GaInNベースを備えたGaN系HBTの作製と特性評価

滝本将也, 間瀬晃, 小嶋智輝, 井上諒星, 江川孝志, 三好実人

電子情報通信学会総合大会 2024年3月招待有り
Fabrication of Transfer-Free Graphene FETs on Sapphire Substrates Utilizing the Agglomeration Phenomenon of the Thick Ni Pattern with Ultra-Fine Structure

Ichiro Kato, Toshiharu Kubo, Makoto Miyoshi, Takashi Egawa

16th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2024) 2024年3月4日

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所属学協会

応用物理学会

共同研究・競争的資金等の研究課題

次世代無線通信に向けた高周波GaN系バイポーラトランジスタの研究開発

総務省戦略的情報通信研究開発推進事業（SCOPE） 2023年5月 - 2026年3月

三好実人
窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発

日本学術振興会（JSPS）科学研究費補助金基盤研究(B) 2023年4月 - 2026年3月

佐藤威友
超ワイドギャップAlN系半導体を用いたパワートランジスタの開発

日本学術振興会（JSPS）科学研究費補助金基盤研究(B) 2021年4月 - 2024年3月

三好実人
移動体への光無線給電システムの研究開発

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）先導研究プログラム／エネルギー・環境新技術先導研究プログラム（エネ環） 2022年 - 2024年

上山智
次世代無線通信システムに資する新構造・窒化物系バイポーラトランジスタの開発

国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／産学共同（育成型） 2020年12月 - 2023年3月

三好実人
強力な酸化剤を用いた窒化物半導体ウェットエッチング技術の開発とトランジスタ応用

日本学術振興会（JSPS）科学研究費補助金基盤研究(B) 2020年4月 - 2023年3月

佐藤威友
極微細金属パターン付き基板による高性能低消費電力グラフェンFETの作製

日本学術振興会（JSPS）科学研究費補助金基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

久保俊晴
GaNパワーデバイスの高性能化と高機能電源回路の開発

公益財団法人科学技術交流財団知の拠点あいち重点研究プロジェクトⅢ期／近未来自動車技術開発プロジェクト 2019年 - 2021年

清水三聡
ワイドギャップ半導体による格子整合ヘテロ構造を利用した新規・ミリ波用バイポーラトランジスタの試験的研究

国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／機能検証フェーズ試験研究タイプ 2019年9月 - 2020年8月

三好実人
レーザーデバイス・システム領域

文部科学省省エネルギー社会の実現に資する次世代半導体研究開発 2017年 - 2020年

竹内哲也
超低損失・新規窒化物ヘテロ構造トランジスタの実現に向けたプロセス・設計基盤の構築

日本学術振興会（JSPS）科学研究費補助金基盤研究(C) 2016年4月 - 2019年3月

三好実人
ＧａＮ/Ｓｉベース半導体の確立とその社会実装

公益財団法人科学技術交流財団国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）委託事業研究成果展開事業（スーパークラスタープログラム） 2013年12月 - 2018年3月

江川孝志
次世代省エネパワーデバイス用大口径高耐圧・低欠陥 GaN エピタキシャルウエハの開発

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）戦略的省エネルギー技術革新プログラム／実用化開発 2014年9月 - 2017年2月

田中光浩
多元窒化物半導体ヘテロ構造を用いた超低損失パワーデバイスに関する研究

半導体理工学研究センター（STARC）アイデア・スカウト（IS） 2015年8月 - 2016年7月

三好実人
省エネ用縦型GaN/Siパワーデバイスに関する基盤技術開発

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）戦略的省エネルギー技術革新プログラム／省エネルギー技術開発事業の重要技術に係る周辺技術・関連課題の検討 2015年 - 2016年

江川孝志
半導体ハイブリッドMOS電極構造を用いた超高感度FET型ガスセンサの開発

国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）研究成果最適展開支援プログラム（A-STEP）／FSステージ探索タイプ 2013年8月 - 2014年3月

三好実人
ハイブリッドナノカーボン太陽電池の創成

国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）先端的低酸素化技術開発（ALCA） 2012年 - 2014年

堀勝

産業財産権

2022-128613 半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板

三好実人, 間瀬晃, 二階祐宇, 飯田悠介
2021-086878 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャル基板及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ

三好実人
2021-026922 半導体装置および半導体装置用エピタキシャル基板

三好実人, 間瀬晃, 二階祐宇, 飯田悠介
2019-021852 紫外線発光素子

三好実人, 江川孝志
6170893 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

三好実人, 倉岡義孝, 角谷茂明, 田中光浩
2017-084981 グラフェンデバイスおよびその製造方法

三好実人, 久保俊晴, 江川孝志
5937513 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法、および半導体素子

三好実人, 市村幹也, 前原宗太, 田中光浩
5782033 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、ＰＮ接合ダイオード素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

三好実人, 杉山智彦, 市村幹也, 田中光浩
5758880 半導体素子用エピタキシャル基板および半導体素子

三好実人, 市村幹也, 杉山智彦, 田中光浩
2015-102538 ワイドギャップの窒化物半導体を利用した高温動作が可能な高感度ガスセンサー

三好実人
5702058 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および、半導体素子用エピタキシャル基板の作製方法

三好実人, 倉岡義孝, 角谷茂明, 市村幹也, 杉山智彦, 田中光浩
5671168 半導体装置用エピタキシャル基板および半導体装置用エピタキシャル基板の製造方法

倉岡義孝, 三好実人, 角谷茂明, 田中光浩
5671127 半導体素子用エピタキシャル基板、半導体素子、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

三好実人, 角谷茂明, 市村幹也, 田中光浩
5662184 半導体素子用のエピタキシャル基板、および半導体素子用エピタキシャル基板の製造方法

角谷茂明, 市村幹也, 三好実人, 田中光浩
2014-199953 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法

杉山智彦, 角谷茂明, 三好実人, 田中光浩
特許5616443 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法

三好実人, 角谷茂明, 市村幹也, 前原宗太, 田中光浩
5616420 高周波用半導体素子形成用のエピタキシャル基板および高周波用半導体素子形成用エピタキシャル基板の作製方法

三好実人, 倉岡義孝, 角谷茂明, 市村幹也, 田中光浩
5596783 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法

三好実人, 角谷茂明, 市村幹也, 前原宗太, 田中光浩
5584276 半導体素子

三好実人, 倉岡義孝
5583610 半導体素子用エピタキシャル基板および半導体素子

倉岡義孝, 市村幹也, 三好実人, 田中光浩

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社会貢献活動

半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

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2024年8月1日 - 2024年8月1日
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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

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2017年8月1日 - 2017年8月1日
イノベーション・ジャパン2016 ～大学見本市～

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半導体ナノテクノロジー：日本を支える最先端技術

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三好実人

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