品田高宏 (Takahiro Shinada) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター教授

学位: 経営学(2007年10月早稲田大学)
工学(2000年3月早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 201501096608852967
researchmap会員ID: 7000010913

外部リンク: http://www.cies.tohoku.ac.jp/

研究キーワード

研究分野

経歴

2014年10月 - 現在

東北大学, 国際集積エレクトロニクス研究開発センター, 副センター長・教授
2012年4月 - 2014年9月

国立研究開発法人産業技術総合研究所, 主幹
2009年4月 - 2012年3月

早稲田大学高等研究所准教授
2007年4月 - 2009年3月

早稲田大学生命医療工学研究所准教授
2006年4月 - 2007年3月

早稲田大学生命医療工学研究所助教授
2004年7月 - 2006年3月

早稲田大学生命医療工学研究所講師
2004年4月 - 2004年6月

早稲田大学ナノテクノロジー研究所講師
2002年4月 - 2004年3月

日本学術振興会特別研究員
2000年4月 - 2002年3月

早稲田大学理工学部助手
2001年7月 - 2001年9月

ドイツルール大学固体物理研究所客員研究員

学歴

委員歴

受賞

2002年9月

応用物理学会講演奨励賞, 応用物理学会
2000年9月

Best Poster Award, 13th International Conference on Ion Implantation Technology
1998年6月

Student Award, International Conference on Ion Implantation Technology

論文

Detecting nuclear spins in an organosilane monolayer using nitrogen-vacancy centers for analysis of precursor self-assembly on diamond surface

Yuki Ueda, Yuto Miyake, Akirabha Chanuntranont, Kazuki Otani, Masato Tsugawa, Daiki Saito, Shuntaro Usui, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takahiro Shinada …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 62(SG) 2023年6月
Electroluminescence of Er:O-doped nano pn diode in silicon-on-insulator and its current-voltage characteristics at room temperature

Takafumi Fujimoto, Keinan Gi, Stefano Bigoni, Michele Celebrano, Marco Finazzi, Giorgio Ferrari, Takahiro Shinada, Enrico Prati, Takashi Tanii

2020 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2020 123-124 2020年6月1日
Single Ion implanted silicon devices towards few photons emission regime for space quantum communications

Enrico Prati, Takahiro Shinada, Takashi Tanii

Optics InfoBase Conference Papers 2020年
Resonant photocurrent at 1550 nm in an erbium low-doped silicon transistor at room temperature

Enrico Prati, Michele Celebrano, Lavinia Ghirardini, Marco Finazzi, Giorgio Ferrari, Takahiro Shinada, Keinan Gi, Yuki Chiba, Ayman Abdelghafar, Maasa Yano …

2019 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2019 2019年6月1日
Room Temperature Resonant Photocurrent in an Erbium Low-Doped Silicon Transistor at Telecom Wavelength

Michele Celebrano, Lavinia Ghirardini, Marco Finazzi, Giorgio Ferrari, Yuki Chiba, Ayman Abdelghafar, Maasa Yano, Takahiro Shinada, Takashi Tanii, Enrico Prati

Nanomaterials 9(3) 416-416 2019年3月11日
GeVn complexes for silicon-based room-temperature single-atom nanoelectronics

Simona Achilli, Nicola Manini, Giovanni Onida, Takahiro Shinada, Takashi Tanii, Enrico Prati

Scientific Reports 8(1) 2018年12月1日
Lithographically engineered shallow nitrogen-vacancy centers in diamond for external nuclear spin sensing

Ryosuke Fukuda, Priyadharshini Balasubramanian, Itaru Higashimata, Godai Koike, Takuma Okada, Risa Kagami, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Moriyoshi Haruyama, Keisuke Yamada …

New Journal of Physics 20(8) 2018年8月
Deterministic single-ion implantation method for quantum processing in silicon and diamond

Takahiro Shinada, Enrico Prati, Takashi Tanii

Integrated Nanodevice and Nanosystem Fabrication: Breakthroughs and Alternatives 3-26 2017年1月1日
Deterministic doping to silicon and diamond materials for quantum processing

Takahiro Shinada, Enrico Prati, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Fedor Jelezko, Junnichi Isoya

16th International Conference on Nanotechnology - IEEE NANO 2016 888-890 2016年11月21日
Opportunity of single atom control for quantum processing in silicon and diamond

Takahiro Shinada, Prati Enrico, Syuto Tamura, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima, Liam P. McGuinness, Lachlan Rogers, Boris Naydenov …

2014 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2014 2015年12月4日
Investigation of the silicon vacancy color center for quantum key distribution

Yan Liu, Petr Siyushev, Youying Rong, Botao Wu, Liam Paul McGuinness, Fedor Jelezko, Syuto Tamura, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda …

OPTICS EXPRESS 23(26) 32961-32967 2015年12月査読有り
Fluorescence Polarization Switching from a Single Silicon Vacancy Colour Centre in Diamond

Yan Liu, Gengxu Chen, Youying Rong, Liam Paul McGuinness, Fedor Jelezko, Syuto Tamura, Takashi Tanii, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Takeshi Ohshima …

Scientific Reports 5 2015年7月23日
Fluorescence Polarization

Y. Liu, G. Chen, Y. Rong, L. P. McGuinness, F. Jelezko, S. Tamura, T. Tanii, T. Teraji, S. Onoda, T. Ohshima …

Scientific Report 5 12244 2015年7月23日査読有り
Single ion implantation of Ge donor impurity in silicon transistors

E. Prati, Y. Chiba, M. Yano, K. Kumagai, M. Hori, G. Ferrari, T. Shinada, T. Tanii

2015 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 2015年査読有り
Array of bright silicon-vacancy centers in diamond fabricated by low-energy focused ion beam implantation

Syuto Tamura, Godai Koike, Akira Komatsubara, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Liam P. McGuinness, Lachlan Rogers, Boris Naydenov, E. Wu, Liu Yan …

Applied Physics Express 7(11) 115201 2014年11月1日
Array of bright silicon-vacancy centers in diamond fabricated by low-energy focused ion beam implantation

Syuto Tamura, Godai Koike, Akira Komatsubara, Tokuyuki Teraji, Shinobu Onoda, Liam P. McGuinness, Lachlan Rogers, Boris Naydenov, E. Wu, Liu Yan …

APPLIED PHYSICS EXPRESS 7(11) 2014年11月
In situ modification of cell-culture scaffolds by photocatalytic decomposition of organosilane monolayers

Hideaki Yamamoto, Takanori Demura, Mayu Morita, Sho Kono, Kohei Sekine, Takahiro Shinada, Shun Nakamura, Takashi Tanii

Biofabrication 6(3) 2014年
Atomic scale devices: advancements and directions

Enrico Prati, Takahiro Shinada

2014 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM) 2014年査読有り招待有り
Reduction of threshold voltage fluctuation in field-effect transistors by controlling individual dopant position

Masahiro Hori, Keigo Taira, Akira Komatsubara, Kuninori Kumagai, Yukinori Ono, Takashi Tanii, Tetsuo Endoh, Takahiro Shinada

Applied Physics Letters 101(1) 013503-013503 2012年7月2日
Anderson-Mott transition in arrays of a few dopant atoms in a silicon transistor

Enrico Prati, Masahiro Hori, Filippo Guagliardo, Giorgio Ferrari, Takahiro Shinada

NATURE NANOTECHNOLOGY 7(7) 443-447 2012年7月査読有り

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MISC

ダイヤモンド上マイクロ波照射用銅めっき導波路の作製による単一NVセンターを用いたODMR計測の時間安定性向上

津川雅人, 齋藤悠太, 上田優樹, 大谷和毅, 齋藤美紀子, 品田高宏, 谷井孝至

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 69th 2022年
イオン注入による単一不純物欠陥の規則的配列形成とその応用-ダイヤモンド中浅い単一NVセンターの配列形成-

谷井孝至, 品田高宏, 寺地徳之, 小野田忍, 大島武, MCGUINNESS Liam P., JELEZKO Fedor, LIU Yan, WU E, 加田渉 …

応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 66th 220-220 2019年
イオン注入を用いたSiVセンターの作製と生成収率のエネルギー依存性評価

加賀美理沙, 東又格, 岡田拓真, 寺地徳之, 小野田忍, 春山盛善, 春山盛善, 大島武, 品田高宏, 加田渉 …

応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 77th 1253-1253 2016年
Enhancing Single-Ion Detection Efficiency by Applying Substrate Bias Voltage for Deterministic Single-Ion Doping

Masahiro Hori, Takahiro Shinada, Keigo Taira, Akira Komatsubara, Yukinori Ono, Takashi Tanii, Tetsuo Endoh, Iwao Ohdomari

APPLIED PHYSICS EXPRESS 4(4) 046501 2011年4月
Modulation of Viability of Live Cells by Focused Ion-Beam Exposure

Takahiro Shinada, Takayuki Akimoto, Yanwei Zhu, Hisa Goke, Iwao Ohdomari

BIOTECHNOLOGY AND BIOENGINEERING 108(1) 222-225 2011年1月
Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance

Takahiro Shinada, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Keigo Taira, Akira Komatsubara, Takashi Tanii, Tetsuo Endoh, Iwao Ohdomari

2010 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - TECHNICAL DIGEST 592-595 2010年
Performance enhancement of semiconductor devices by control of discrete dopant distribution

M. Hori, T. Shinada, K. Taira, N. Shimamoto, T. Tanii, T. Endo, I. Ohdomari

NANOTECHNOLOGY 20(36) 365205 2009年9月
A reliable method for the counting and control of single ions for single-dopant controlled devices

T. Shinada, T. Kurosawa, H. Nakayama, Y. Zhu, M. Hori, I. Ohdomari

NANOTECHNOLOGY 19(34) 345202 2008年8月
Enhancement of field emission characteristics of tungsten emitters by single-walled carbon nanotube modification

D Ferrer, T Tanii, Matsuya, I, G Zhong, S Okamoto, H Kawarada, T Shinada, Ohdomari, I

APPLIED PHYSICS LETTERS 88(3) 2006年1月
Development of liquid-metal-ion source low-energy ion gun/high-temperature ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope combined system

M Uchigasaki, T Kamioka, T Hirata, T Shimizu, F Lin, T Shinada, Ohdomari, I

REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS 76(12) 2005年12月
Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays

Takahiro Shinada, Shintaro Okamoto, Takahiro Kobayashi, Iwao Ohdomari

Nature 437(7062) 1128-1131 2005年10月20日
Enhancing semiconductor device performance using ordered dopant arrays

T Shinada, S Okamoto, T Kobayashi, Ohdomari, I

NATURE 437(7062) 1128-1131 2005年10月
Selective growth of carbon nanostructures on nickel implanted nanopyramid array

D Ferrer, T Shinada, T Tanii, J Kurosawa, G Zhong, Y Kubo, S Okamoto, H Kawarada, Ohdomari, I

APPLIED SURFACE SCIENCE 234(1-4) 72-77 2004年7月
Improvement of focused ion-beam optics in single-ion implantation for higher aiming precision of one-by-one doping of impurity atoms into nano-scale semiconductor devices

T Shinada, H Koyama, C Hinoshita, K Imamura, Ohdomari, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 41(3A) L287-L290 2002年3月
Simple nanostructuring on silicon surface by means of focused beam patterning and wet etching

M Koh, S Sawara, T Shinada, T Goto, Y Ando, Ohdomari, I

APPLIED SURFACE SCIENCE 162 599-603 2000年8月
Flat-band voltage control of a back-gate MOSFET by single ion implantation

T Shinada, A Ishikawa, C Hinoshita, M Koh, Ohdomari, I

APPLIED SURFACE SCIENCE 162 499-503 2000年8月
Simple fabrication of high density concave nanopyramid array (NPA) on Si surface

S Sawara, M Koh, T Goto, Y Ando, T Shinada, Ohdomari, I

APPLIED SURFACE SCIENCE 159 481-485 2000年6月
New process for Si nanopyramid array (NPA) fabrication by ion-beam irradiation and wet etching

M KoH, S Sawara, T Goto, Y Ando, T Shinada, Ohdomari, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS 39(4B) 2186-2188 2000年4月
Reduction of fluctuation in semiconductor conductivity by one-by-one ion implantation of dopant atoms

T Shinada, A Ishikawa, C Hinoshita, M Koh, Ohdomari, I

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS 39(4A) L265-L268 2000年4月
Nano-fabrication of CDW and its negative resistance phenomenon

H Kubota, T Sumita, S Takami, T Shinada, Ohdomari, I

JOURNAL DE PHYSIQUE IV 9(P10) 175-177 1999年12月

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書籍等出版物

Single Atom Nanoelectronics

Editors E. Prati, T. Shinada (担当:編者(編著者))

Pan Stanford Publishing 2012年 (ISBN: 9789814316316)
テクノカレント：半導体テクノロジーのトレンド－微細化から等価的微細化と多様化へ

世界経済情報サービス 2008年

講演・口頭発表等

Single ion implantation of Ge donor impurity in silicon transistors

E. Prati, Y. Chiba, M. Yano, K. Kumagai, M. Hori, G. Ferrari, T. Shinada, T. Tanii

2015 Silicon Nanoelectronics Workshop 2015年6月14日
Atomic Scale Devices: Advancements and Directions

E. Prati, T. Shinada

2014 International Electron Devices Meeting (IEDM) 2014年12月15日
Methodology of single atom control for quantum processing in silicon and diamond

T. Shinada, E. Prati, S. Tamura, Y. Fukui, G. Koike, T. Tanii, T. Teraji, S. Onoda, T. Ohshima, L. P. McGuinness, L. Rogers, B. Naydenov, E. Wu, F. Jelezko, J. Isoya

16th Takayanagi Kenjiro Memorial Symposium 2014年11月11日
Opportunity of Single Atom Control for Quantum Processing in Silicon

T. Shinada, P. Enrico, S. Tamura, T. Tanii, T. Teraji, S. Onoda, T. Ohshima, L.P. McGuinness, L. Rogers, B. Naydenov, F. Jelezko, J. Isoya

2014 Silicon Nanoelectronics Workshop 2014年6月8日
Comparison of Self-Heating Effect (SHE) in Short-Channel Bulk and Ultra-Thin BOX SOI MOSFETs: Impacts of Doped Well, Ambient Temperature, and SOI/BOX Thicknesses on SHE

T. Takahashi, T. Matsuki, T. Shinada, Y. Inoue, K. Uchida

2013 International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013年12月
Quantum transport in deterministically implanted single-donors in Si FETs

T. Shinada, M. Hori, F. Guagliardo, G. Ferrari, A. Komatubara, K. Kumagai, T. Tanii, T. Endo, Y. Ono, E. Prati

2011 International Electron Devices Meeting (IEDM) 2011年12月
単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価

電気学会電子デバイス研究会 2011年
ドーパント位置制御による電界効果トランジスタの相互コンダクタンス評価

第58回応用物理学関連連合講演会 2011年
低エネルギー集束イオンビームによる細胞活性の修飾

第58回応用物理学関連連合講演会 2011年
Performance evaluation of MOSFETs with discrete dopant distribution by one-by-one doping method

T. Shinada, M. Hori, Y. Ono, K. Taira, A. Komatsubara, T. Tanii, T. Endoh, I. Ohdomari

2010 International Electron Devices Meeting (IEDM) 2010年12月
基板バイアス印加による単一イオン個数制御性の検証

第71回応用物理学会学術講演会 2010年
Enhancement of Electron Transport Property in FET with Asymmetric Ordered Dopant Distribution

18th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT2010) 2010年
Performance evaluation of transistors with discrete dopants by single-ion doping method

21st International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry (CAARI2010) 2010年
Modulation of viability of live cells by focused ion-beam implantation

17th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM2010) 2010年
Evaluation of Singularity by applying substrate bias in single ion implantation method

2010年
Improving Single Dopant Detection Efficiency by Controlling Substrate Bias in Single Ion Implantation Method

TECHCON2010 2010年
Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance

International Electron Device Meeting (IEDM) 2010年
Functional modification of living cells by focused gold-ion implantation

10th International Conference on Atomically Controlled Srufaces, Interfaces, and Nanostructures (ACSIN2009) 2009年
離散的ドーパント位置のデバイス特性に及ぼす影響調査

第70回応用物理学会学術講演会 2009年
シングルイオン注入法の基板バイアス印加による単一性改善に関する研究

第70回応用物理学会学術講演会 2009年

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所属学協会

Works(作品等)

共同研究・競争的資金等の研究課題

決定論的ドーパントデバイスの確率的情報処理・量子計算／計測応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2023年4月 - 2028年3月

品田賢宏, 大矢剛嗣, 谷井孝至, 河野行雄
決定論的ドーピング法に基づく量子物性制御とその確率的情報処理・量子計測への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2018年4月 - 2023年3月

品田賢宏, 谷井孝至, 大矢剛嗣, 河野行雄, 井上耕治, 清水康雄
決定論的ドーピング法に基づく単電子等価回路設計プロセスと確率的情報処理への応用

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2016年4月 - 2019年3月

品田賢宏, 大矢剛嗣, 浅井哲也, 谷井孝至
決定論的ドーピング法による量子物性制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2013年4月 - 2017年3月

品田賢宏, 谷井孝至, 井上耕治, 田部道治, 磯谷順一
イオンビームによる細胞へのドーピングと細胞機能修飾

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究 2012年4月 - 2014年3月

品田賢宏, 朝日透
単一不純物原子が制御されたナノデバイス製造技術の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2007年 - 2008年

品田賢宏
不純物原子の規則配列を有する半導体デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2006年 - 2008年

品田賢宏
半導体一次元量子構造を用いた高速デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2005年 - 2008年

堀越佳治, 大泊巌, 三浦道子, 品田賢宏, 河原塚篤, 西永慈郎, 大泊巌, 三浦道子, 品田賢宏, 河原塚篤, 小野満恒二
単一原子の個数と位置が制御された新しい半導体の創製とその応用

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 2005年 - 2007年

大泊巌, 堀越佳治, 品田賢宏
イオン注入法を利用したナノ構造スピンデバイスに関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2004年 - 2005年

堀越佳治, 大泊巌, 品田賢宏, 小野満恒二
One-by-oneドーピング法による特性ゆらぎのない極微半導体デバイスの実現

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2002年 - 2002年

品田賢宏
シングルイオン注入法による半導体電気的特性ゆらぎ抑制に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2000年 - 2002年

大泊巌, 豊島義明, 品田賢宏
ナノスケール表面改質のためのイオン照射下高温STM観察

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 1999年 - 2001年

大泊巌, 品田賢宏, 嶋田一義
Functional modification of cells by single-ion implantation
Control of semiconductor device performance by single-ion implantation
単一イオン注入法による細胞機能修飾
単一イオン注入法による半導体ナノ物性制御

品田高宏

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研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

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