堀田昌宏 (Masahiro Horita) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学准教授

学位: 博士（工学）(京都大学)

連絡先: horitanagoya-u.jp
研究者番号: 50549988
J-GLOBAL ID: 201501015326654950
researchmap会員ID: 7000011447

研究キーワード

研究分野

経歴

2018年10月 - 現在

名古屋大学, 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部, 准教授
2018年10月 - 現在

名古屋大学, 大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学, 准教授
2018年10月 - 2038年3月

名古屋大学, 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部, 教員
2015年5月 - 2018年9月

京都大学大学院, 工学研究科電子工学専攻, 特定助教
2015年5月 - 2018年9月

京都大学, 工学研究科電子工学専攻, 特任助教
2009年4月 - 2015年4月

奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教
2008年4月 - 2009年3月

日本学術振興会, 特別研究員(DC2)

学歴

2006年4月 - 2009年3月

京都大学, 工学研究科, 電子工学専攻

委員歴

2026年4月 - 現在

応用物理学会応用電子物性分科会, 幹事
2026年1月 - 現在

第9回ウルトラワイドギャップ材料およびデバイスに関する国際ワークショップ, プログラム委員会庶務
2025年4月 - 現在

ワイドギャップ半導体学会, 企画副査
2025年1月 - 現在

第13回窒化物半導体国際ワークショップ, プログラム庶務委員
2021年4月 - 2025年3月

ワイドギャップ半導体学会, 企画幹事
2024年1月 - 2024年12月

2024年国際固体素子・材料コンファレンス, 論文総務
2019年9月 - 2024年3月

第14回窒化物半導体国際会議, プログラム庶務委員
2023年1月 - 2023年12月

2023年国際固体素子・材料コンファレンス, 論文総務
2022年1月 - 2022年12月

2022年国際固体素子・材料コンファレンス, 論文総務
2021年1月 - 2021年12月

プログラム委員
2019年1月 - 2019年12月

2019年国際固体素子・材料コンファレンス, 実行委員
2018年10月 - 2019年3月

第37,38回電子材料シンポジウム, 実行委員

受賞

論文

128

Characterization of deep levels formed by intrinsic defects in homoepitaxially grown GaN

Horita Masahiro, Suda Jun

Proceedings of SPIE. Photonics West 2026 2026年3月5日査読有り招待有り筆頭著者責任著者
Behavior of excess donor-like defects induced by implantation of various ion species and subsequent annealing in n-type GaN layers

Iguchi, H., Horita, M., Kataoka, K., Narita, T., Kachi, T., Suda, J.

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 65(3) 2026年2月16日査読有り
Extremely small trap concentrations in high-purity n-type GaN grown by quartz-free hydride vapor phase epitaxy

Hirayama, Y., Horita, M., Kaneki, S., Fujikura, H., Suda, J.

APPLIED PHYSICS EXPRESS 19(2) 2026年2月1日査読有り
Avalanche durability of high-voltage GaN p-n diodes with tunnel junctions as anode contacts

Narita, T., Tomita, K., Horita, M., Osada, K., Takeuchi, T.

APPLIED PHYSICS LETTERS 127(24) 2025年12月15日査読有り
Vacancy-Type Defects in n-Type GaN Fabricated by Low-Dose Ion Implantation Studied by a Monoenergetic Positron Beam

Uedono, A., Iguchi, H., Horita, M., Suda, J., Shima, K., Chichibu, SF, Ishibashi, S.

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 263(3) 2025年9月22日査読有り
Ultra-high-pressure annealing with a carbon capping layer as an activation method for Mg-ion-implanted GaN

Sumida, K., Sahashi, J., Sierakowski, K., Sochacki, T., Lu, S., Horita, M., Bockowski, M., Kachi, T., Suda, J.

APPLIED PHYSICS EXPRESS 18(9) 2025年9月1日査読有り
Depth Analyses of Acceptor and Compensating Donor Concentrations in Mg-Ion-Implanted GaN with Ultra-High-Pressure Annealing

Sumida, K., Kataoka, K., Narita, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 262(9) 2025年9月査読有り
Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes Fabricated by Using Channeled Implantation of Mg Ions and Ultrahigh-Pressure Annealing

Kitagawa, K., Matys, M., Uesugi, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 72(8) 4036-4041 2025年8月査読有り
Estimation of net acceptor activation ratio of channeled-implanted Mg from breakdown voltage analysis of vertical GaN p-n junction diodes with junction termination extension

Kitagawa, K., Uesugi, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64(7) 2025年7月1日査読有り
High Mg activation with suppressed Mg diffusion during ultra-high-pressure annealing via sequential nitrogen-ion implantation in Mg-ion-implanted GaN

Sumida, K., Kataoka, K., Narita, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.

APPLIED PHYSICS EXPRESS 18(6) 2025年6月1日査読有り
Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-Implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes

Kitagawa K., Uesugi T., Horita M., Kachi T., Suda J.

Proceedings of the International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics 341-344 2025年査読有り
Analysis of Acceptor Activation and Lateral Diffusion of Channeled-implanted Mg Atoms in Vertical GaN Junction Barrier Schottky Diodes

Kitagawa, K., Uesugi, T., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.

2025 37TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON POWER SEMICONDUCTOR DEVICES AND ICS, ISPSD 341-344 2025年査読有り
Free electron mobility limited by fixed charges and trapped electrons in 4H-SiC (1120) and (1100) MOSFETs annealed in NO

Ito, K., Tanaka, H., Horita, M., Suda, J., Kimoto, T.

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 64(1) 2025年1月1日査読有り
Engineered interface charges and traps in GaN MOSFETs providing high channel mobility and E-mode operation

Narita, T., Ito, K., Iguchi, H., Kikuta, D., Kanechika, M., Tomita, K., Iwasaki, S., Kataoka, K., Kano, E., Ikarashi, N. …

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63(12) 2024年12月2日査読有り
Transport Properties in GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Almost Free of Interface Traps with AlSiO/AlN/p-Type GaN Gate Stack

Narita, T., Ito, K., Tomita, K., Iguchi, H., Iwasaki, S., Horita, M., Kano, E., Ikarashi, N., Kikuta, D.

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS 18(12) 2024年12月査読有り
Impact of Coulomb scattering due to trapped electrons on Hall mobilities in 4H-SiC (11(2)over-bar0) and (1(1)over-bar00) MOSFETs annealed in NO

Ito, K., Horita, M., Suda, J., Kimoto, T.

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63(11) 2024年11月1日査読有り
A distinctive bound exciton line induced by electron-beam irradiation and subsequent annealing of an unintentionally doped GaN layer

Iguchi, H., Kataoka, K., Horita, M., Narita, T., Yamada, S., Tomita, K., Kachi, T., Suda, J.

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 63(11) 2024年11月1日査読有り
Influence of fixed charges and trapped electrons on free electron mobility at 4H-SiC(0001)/SiO₂ interfaces with gate oxides annealed in NO or POCl₃

Ito, K., Tanaka, H., Horita, M., Suda, J., Kimoto, T.

APPLIED PHYSICS EXPRESS 17(8) 2024年8月1日査読有り
Nitrogen-displacement-related recombination centers generated by electron beam irradiation in n-type and p-type homoepitaxial GaN layers

Endo, M., Horita, M., Suda, J.

APPLIED PHYSICS EXPRESS 17(1) 2024年1月1日査読有り
High Hall electron mobility in the inversion layer of 4H-SiC (0001)/SiO₂ interfaces annealed in POCl₃

Ito, K., Horita, M., Suda, J., Kimoto, T.

APPLIED PHYSICS EXPRESS 16(7) 2023年7月1日査読有り

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主要な講演・口頭発表等

196

サブバンドギャップ光照射ICTSによるn型GaN中電子トラップの光イオン化断面積比の評価

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
低濃度Mgイオン注入および超高圧アニールを行った p 型GaN層に存在するトラップの評価

板倉ほの香, 堀田昌宏, 加地徹, 須田淳

第73回応用物理学春季学術講演会 2026年3月16日
Characterization of deep levels formed by intrinsic defects in homoepitaxially grown GaN

Horita, M., Suda, J.

SPIE Photonics West 2026 2026年1月20日
イオン注入および超高圧アニールによる高濃度MgドープGaNコンタクトの電気的特性

Yamanaka, D., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.

第44回電子材料シンポジウム 2025年10月17日
Mg ドープp型GaNエピタキシャル成長層にイオン注入および超高圧アニールを行った時の注入イオン種が実効アクセプタ密度におよぼす影響

Itakura, H., Horita, M., Kachi, T., Suda, J.

第44回電子材料シンポジウム 2025年10月17日
GaN中点欠陥の評価と点欠陥が電子デバイスへ与える影響

堀田昌宏, 須田淳

GaNコンソーシアム電子デバイスWGサマースクール 2025年9月22日招待有り
低ドーズSi, Al, Nイオン注入GaNのルミネッセンス評価

嶋紘平, 堀田昌宏, 須田淳, 石橋章司, 上殿明良, 秩父重英

第86回応用物理学秋季学術講演会 2025年9月9日
電子線照射を活用したGaNの真性欠陥トラップ評価

堀田昌宏, 須田淳

応用物理学会結晶工学分科会第163回研究会 2025年6月18日招待有り
窒化ガリウム中の点欠陥と深い準位の評価

堀田昌宏, 須田淳

応用物理学会先進パワー半導体分科会第29回研究会 2025年3月11日招待有り
Identification of deep levels originating from nitrogen interstitials in n-type GaN

Endo, M., Suda, J., Horita, M.

12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024年11月7日
Characterization of Extrinsic and Intrinsic Point Defects in Homoepitaxial GaN

Suda, J., Horita, M.

12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024年11月7日招待有り
Electron traps with extremely long capture time constant related to threading dislocations in n-type GaN with oxygen ion implantation and annealing

Hayashi, K., Horita, M., Tanaka, R., Takashima, S., Ueno, K., Suda, J.

12th International Workshop on Nitride Semiconductors 2024 2024年11月5日
GaNパワーデバイス研究開発の最新動向

堀田昌宏, 須田淳

第88回半導体・集積回路技術シンポジウム 2024年8月26日招待有り
酸素イオン注入n型GaNで観測される実効ドナー密度変動と長い捕獲時定数を持つトラップの関係性

林慶祐, 堀田昌宏, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 須田淳

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
ホモエピタキシャル成長n型GaN中の格子間窒素が形成する2つの準位の特定

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
ホモエピタキシャル成長n 型GaNにおいて電子線照射によりE_C − 1 eV 付近に形成される窒素変位関連トラップの熱アニール挙動

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月24日
Hall-effect Measurement of Homoepitaxial N-type GaN with Nitrogen-displacement-related Point Defects Formed by Electron Beam Irradiation

Kojima, C., Horita, M., Suda, J.

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月17日
Evaluation of recombination centers originating from nitrogen-displacement-related defects in homoepitaxial n-type and p-type GaN

Endo, M., Horita, M., Suda, J.

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月17日
Characterization of nitrogen-displacement-related traps in GaN

Horita, M., Suda, J.

14th International Conference on Nitride Semiconductors 2023年11月14日招待有り
[講演奨励賞受賞記念講演] 電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN中の再結合中心の評価

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月22日招待有り
Thermal annealing behavior of nitrogen-displacement-related defects in homoepitaxial n-type GaN

Endo, M., Horita, M., Suda, J.

The 32nd International Conference on Defects in Semiconductors 2023年9月14日
ホモエピタキシャル成長GaN 中の窒素原子変位に関連した再結合中心の評価

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2023年6月16日
GaN中のN変位関連欠陥が形成するトラップの評価

堀田昌宏, 須田淳

第15回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2023年6月15日招待有り
GaN pn接合の容量過渡分光法においてフィリングパルス0 V印加にもかかわらず観測される少数キャリアシグナルの起源

清水威杜, 大橋拓斗, 冨田一義, 堀田昌宏, 須田淳

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
137 keVの電子線照射で意図的に窒素関連欠陥準位を導入したn型GaNのホール効果測定

小島千寛, 堀田昌宏, 須田淳

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
電子線照射により窒素変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p-n接合ダイオードの再結合電流解析

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月17日
GaN中点欠陥が形成するトラップの評価

堀田昌宏, 須田淳

ワイドギャップ半導体学会第9回研究会 2022年12月16日招待有り
Si concentration dependence of nitrogen-related electron traps introduced by electron beam irradiations to homoepitaxial n-type GaN

M. Endo, M. Horita, J. Suda

International Workshop on Nitride Semiconductors 2022 2022年10月12日
N極性面上低温成膜Ge添加GaNスパッタ膜の電気的特性評価

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月23日
ホモエピタキシャル成長p型GaN中の窒素原子変位関連欠陥により形成されるホールトラップ

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月11日
Correlation between concentrations of iron and EC – 0.6 eV electron trap in n-type GaN grown by MOVPE

M. Horita, T. Narita, K. Kachi, J. Suda

20th International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy 2022年7月14日
Investigation of Electron Traps in Homoepitaxial n-type GaN Grown by MOVPE

Masahiro Horita, Jun Suda

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 2021年11月6日
Nitrogen-displacement-related Hole Traps in N-type GaN with Electron Beam Irradiations in the Energy Range from 100 to 400 keV

Meguru Endo, Masahiro Horita, Kazutaka Kanegae, Jun Suda

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021
Nitrogen-displacement-related hole traps in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN

Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda

The 40th Electronic Materials Symposium 2021年10月11日
Nitrogen-displacement-related hole traps introduced by electron beam irradiations in MOVPE-grown homoepitaxial p-type GaN

Meguru Endo, Masahiro Horita, Jun Suda

31st International Conference on Defects in Semiconductors 2021年7月26日 31st International Conference on Defects in Semiconductors Conference Committees
酸素イオン注入によりn型GaN中に形成される電子トラップ

柴田優一, 堀田昌宏, 田中亮, 高島信也, 上野勝典, 須田淳

第68回応用物理学会春季学術講演会
Hole Traps Introduced by Electron Beam Irradiation in Homoepitaxial n-type GaN and Its Irradiation Energy Dependence

M. Endo, M. Horita, K. Kanegae, J. Suda

第39回電子材料シンポジウム
MOVPE成長n型GaNに存在するE3トラップの起源検討

堀田昌宏, 成田哲生, 加地徹, 須田淳

第81回応用物理学会秋季学術講演会
電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの照射エネルギー依存性

遠藤彗, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

第65回応用物理学会春季学術講演会
Evaluation of hole traps introduced by electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

M. Endo, K. Kanegae, M. Horita, J. Suda

第38回電子材料シンポジウム
Nitrogen and gallium displacement related deep levels introduced by electron-beam irradiation in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN

M. Horita, J. Suda

第38回電子材料シンポジウム
電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成されるホールトラップの評価

遠藤彗, 鐘ヶ江一孝, 堀田昌宏, 須田淳

第80回応用物理学会秋季学術講演会
GaN -MOSFETのHall測定

上野勝典, 松山秀昭, 田中亮, 高島信也, 江戸雅晴, 堀田昌宏, 須田淳, 中川清和

第66回応用物理学会春季学術講演会
ホモエピタキシャル成長n型GaN中に2 MeV電子線照射により形成される深い準位

堀田昌宏, 成田哲生, 加地徹, 上杉勉, 須田淳

第66回応用物理学会春季学術講演会
電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動

遠藤彗, 堀田昌宏, 須田淳

第66回応用物理学会春季学術講演会
DLTSおよびHall測定による GaNエピ層の欠陥準位評価

堀田昌宏, 須田淳

第6回パワーデバイス用Siおよび関連半導体材料に関する研究会招待有り
Deep levels introduced by electron beam irradiation in the energy range from 100 keV to 2 MeV in MOVPE-grown homoepitaxial n-type GaN

M. Horita, T. Narita, T. Kachi, T. Uesugi, J. Suda

招待有り
Energy dependence of deep level formation by electron-beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

M. Horita, J. Suda

第37回電子材料シンポジウム
マルチウェハリアクタによって4インチサファイア基板上にMOVPE成長した低ドープn型GaNの実効ドナー密度分布

坂尾佳祐, 堀田昌宏, 須田淳, 朴冠錫, 山岡優哉, 矢野良樹, 松本功

第79回応用物理学会秋季学術講演会
電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の形成エネルギーしきい値

堀田昌宏, 須田淳

第79回応用物理学会秋季学術講演会

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所属学協会

2023年12月 - 現在

結晶工学分科会
2023年12月 - 現在

応用電子物性分科会
2021年4月 - 現在

ワイドギャップ半導体学会
2016年12月 - 現在

先進パワー半導体分科会
2006年11月 - 現在

日本結晶成長学会
2004年1月 - 現在

応用物理学会

主要な共同研究・競争的資金等の研究課題

III族窒化物半導体の欠陥科学: 点欠陥物理と単一光子源の究明

若手活性化支援事業 2025年7月 - 2026年3月

堀田昌宏
窒化ガリウム欠陥科学構築に向けた空孔型および格子間原子型欠陥の物理究明

若手活性化支援事業 2024年7月 - 2025年3月

堀田昌宏
窒化ガリウム欠陥科学構築に向けた空孔型および格子間原子型欠陥の物理究明

若手活性化支援事業 2023年10月 - 2024年3月

堀田昌宏

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社会貢献活動

半導体結晶中に電子線照射で生成した点欠陥の評価

講師

株式会社NHVコーポレーション 2025年7月23日