堀田昌宏 (Masahiro Horita) - マイポータル

基本情報

所属: 名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学准教授

学位: 博士（工学）(京都大学)

研究者番号: 50549988
J-GLOBAL ID: 201501015326654950
researchmap会員ID: 7000011447

研究キーワード

研究分野

経歴

2018年10月 - 現在

名古屋大学, 大学院工学研究科電子工学専攻情報デバイス工学, 准教授
2018年10月 - 2038年3月

名古屋大学, 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター未来デバイス部, 教員
2015年5月 - 2018年9月

京都大学大学院, 工学研究科電子工学専攻, 特定助教
2009年4月 - 2015年4月

奈良先端科学技術大学院大学, 物質創成科学研究科, 助教
2008年4月 - 2009年3月

日本学術振興会, 特別研究員(DC2)

学歴

2006年4月 - 2009年3月

京都大学, 工学研究科, 電子工学専攻

論文

The origin of carbon-related carrier compensation in p-type GaN layers grown by MOVPE

Narita Tetsuo, Tomita Kazuyoshi, Tokuda Yutaka, Kogiso Tatsuya, Horita Masahiro, Kachi Tetsu

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 124(21) 2018年12月7日
Phonon-assisted optical absorption due to Franz-Keldysh effect in 4H-SiC p-n junction diode under high reverse bias voltage

Maeda Takuya, Chi Xilun, Horita Masahiro, Suda Jun, Kimoto Tsunenobu

APPLIED PHYSICS EXPRESS 11(9) 2018年9月
Characterization of carrier concentration and mobility of GaN bulk substrates by Raman scattering and infrared reflectance spectroscopies

Kanegae Kazutaka, Kaneko Mitsuaki, Kimoto Tsunenobu, Horita Masahiro, Suda Jun

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 57(7) 2018年7月
Accurate method for estimating hole trap concentration in n-type GaN via minority carrier transient spectroscopy

Kazutaka Kanegae, Masahiro Horita, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

Applied Physics Express 11(7) 2018年7月1日
Franz-Keldysh effect in GaN p-n junction diode under high reverse bias voltage

Takuya Maeda, Tetsuo Narita, Masakazu Kanechika, Tsutomu Uesugi, Tetsu Kachi, Tsunenobu Kimoto, Masahiro Horita, Jun Suda

Applied Physics Letters 112(25) 2018年6月18日
Sources of carrier compensation in metalorganic vapor phase epitaxy-grown homoepitaxial n-type GaN layers with various doping concentrations

Naoki Sawada, Tetsuo Narita, Masakazu Kanechika, Tsutomu Uesugi, Tetsu Kachi, Masahiro Horita, Tsunenobu Kimoto, Jun Suda

Applied Physics Express 11(4) 2018年4月1日
Temperature dependence of barrier height in Ni/n-GaN Schottky barrier diode

Takuya Maeda, Masaya Okada, Masaki Ueno, Yoshiyuki Yamamoto, Tsunenobu Kimoto, Masahiro Horita, Jun Suda

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10(5) 2017年5月査読有り
Solution-derived SiO2 gate insulator formed by CO2 laser annealing for polycrystalline silicon thin-film transistors

Daisuke Hishitani, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hiroshi Ikenoue, Yukiharu Uraoka

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(5) 2017年5月査読有り
Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations

Masahiro Horita, Shinya Takashima, Ryo Tanaka, Hideaki Matsuyama, Katsunori Ueno, Masaharu Edo, Tokio Takahashi, Mitsuaki Shimizu, Jun Suda

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(3) 2017年3月査読有り
Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

Horita Masahiro, Suda Jun

2017 IEEE INTERNATIONAL MEETING FOR FUTURE OF ELECTRON DEVICES, KANSAI (IMFEDK) 86-87 2017年
Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage (vol 9, 091002, 2016)

Takuya Maeda, Masaya Okada, Masaki Ueno, Yoshiyuki Yamamoto, Masahiro Horita, Jun Suda

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9(10) 2016年10月査読有り
Franz-Keldysh effect in n-type GaN Schottky barrier diode under high reverse bias voltage

Takuya Maeda, Masaya Okada, Masaki Ueno, Yoshiyuki Yamamoto, Masahiro Horita, Jun Suda

APPLIED PHYSICS EXPRESS 9(9) 2016年9月査読有り
Interfacial atomic site characterization by photoelectron diffraction for 4H-AlN/4H-SiC(11(2)over-bar0) heterojunction

Naoyuki Maejima, Masahiro Horita, Hirosuke Matsui, Tomohiro Matsushita, Hiroshi Daimon, Fumihiko Matsui

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 55(8) 2016年8月査読有り
Reliability Improvement of Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors by Less Hydroxyl-Groups Siloxane Passivation

Chaiyanan Kulchaisit, Yasuaki Ishikawa, Mami N. Fujii, Haruka Yamazaki, Juan Paolo Soria Bermundo, Satoru Ishikawa, Takaaki Miyasako, Hiromitsu Katsui, Kei Tanaka, Ken-ichi Hamada …

JOURNAL OF DISPLAY TECHNOLOGY 12(3) 2016年3月査読有り
Characterization of N-Type and P-Type GaN Layers Grown on Free-Standing GaN Substrates

Suda Jun, Horita Masahiro

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) . 2016年査読有り
High Pressures Water Vapor Annealing for Atomic-Layer-Deposited Al2O3 on GaN

Yoshitugu Koji, Horita Masahiro, Uenuma Mustunori, Ishikawa Yasuaki, Uraoka Yukiharu

2016 COMPOUND SEMICONDUCTOR WEEK (CSW) INCLUDES 28TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON INDIUM PHOSPHIDE & RELATED MATERIALS (IPRM) & 43RD INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON COMPOUND SEMICONDUCTORS (ISCS) . 2016年査読有り
Current Collapse Reduction in AlGaN/GaN HEMTs by High-Pressure Water Vapor Annealing

Joel T. Asubar, Yohei Kobayashi, Koji Yoshitsugu, Zenji Yatabe, Hirokuni Tokuda, Masahiro Horita, Yukiharu Uraoka, Tamotsu Hashizume, Masaaki Kuzuhara

IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES 62(8) 2423-2428 2015年8月査読有り
Thermo-stable carbon nanotube-TiO2 nanocompsite as electron highways in dye-sensitized solar cell produced by bio-nano-process

Ippei Inoue, Hirofumi Yamauchi, Naofumi Okamoto, Kenichi Toyoda, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Hisashi Yasueda, Yukiharu Uraoka, Ichiro Yamashita

NANOTECHNOLOGY 26(28) 2015年7月査読有り
Floating gate memory with charge storage dots array formed by Dps protein modified with site-specific binding peptides

Hiroki Kamitake, Mutsunori Uenuma, Naofumi Okamoto, Masahiro Horita, Yasuaki Ishikawa, Ichro Yamashita, Yukiharu Uraoka

NANOTECHNOLOGY 26(19) 2015年5月査読有り
Analysis of self-heating phenomenon in oxide thin-film transistors under pulsed bias voltage

Kise Kahori, Tomai Shigekazu, Yamazaki Haruka, Urakawa Satoshi, Yano Koki, Wang Dapeng, Furuta Mamoru, Horita Masahiro, Fujii Mami, Ishikawa Yasuaki …

2015 22nd International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices (AM-FPD) 249-251 2015年査読有り

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講演・口頭発表等

Characterization of lightly-doped n- and p-type homoepitaxial GaN on free-standing substrates

Horita M

IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai 2017年7月31日 IMFEDK 2017 - 2017 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai

共同研究・競争的資金等の研究課題

高圧水中レーザーアニールによる窒化ガリウム超臨界水低温酸化手法の創出

日本学術振興会科学研究費助成事業萌芽研究 2015年4月 - 2016年3月

堀田昌宏
積層構造レーザーアニールによる非晶質基板上単結晶ゲルマニウム薄膜の低温形成

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(B) 2011年4月 - 2013年3月

堀田昌宏
同一ポリタイプ4H-AlN/4H-SiCヘテロ界面の電子デバイス応用に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(スタートアップ) 2009年9月 - 2011年3月

堀田昌宏
炭化珪素基板上高品質無極性面III族窒化物の成長と電子・光デバイス応用に関する研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特別研究員奨励費 2008年4月 - 2009年3月

堀田昌宏