2014年4月 - 2016年3月
ソース端ドナー原子のエネルギーフィルタ効果を用いたSiナノトランジスタ
日本学術振興会 若手研究(B) 若手研究(B)
数ドナー原子は輸送特性を制御したナノスケールSiトランジスタを作製した。ノンドープチャネルを有するトランジスタでは、ソース端付近に拡散ドナー原子はパスとして動作する可能性がある。単一電子トンネリング(SET)は、~100Kまで観察することができる。
選択的にドープされたチャネルトランジスタでは、チャネルの中心で強く結合ドナー原子は、支配的な量子ドット(QD)を形成することができる。狭いチャネルデバイスの場合は、SET動作があっても、室温まで観察される。
QDの位置も体系的中心とソース端との間で変更された。高温動作のために最適化された条件は、このように次の段階として同定することができる。
選択的にドープされたチャネルトランジスタでは、チャネルの中心で強く結合ドナー原子は、支配的な量子ドット(QD)を形成することができる。狭いチャネルデバイスの場合は、SET動作があっても、室温まで観察される。
QDの位置も体系的中心とソース端との間で変更された。高温動作のために最適化された条件は、このように次の段階として同定することができる。
- ID情報
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- 課題番号 : 26820127
- 体系的課題番号 : JP26820127