MISHIMA Tomoyoshi

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Name
MISHIMA Tomoyoshi
Affiliation
Hosei University
Section
Research Center of Ion Beam Technology
Job title
Professor
Degree
Doctor of Engineering(Tokyo Institute of Technology)
Research funding number
50760948

Research Areas

 
 

Academic & Professional Experience

 
Apr 1983
 - 
Mar 2003
Central Research Laboratory, Hitachi LTD.
 
Apr 1989
 - 
Apr 1990
Philips NAT Lab.
 
Apr 2003
 - 
Mar 2013
部長, 先端電子材料研究部, Hitachi Cable LTD. Tech. Res. Lab.
 
Apr 2013
 - 
Mar 2015
Hitachi Metals LTD, Cable Materials Research Lab.
 

Education

 
Apr 1974
 - 
Mar 1978
電気電子工学科, Faculty of Engineering, Tokyo Institute of Technology
 
Apr 1978
 - 
Mar 1980
Dept. of Physical Electronics, Graduate School, Division of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
 
Apr 1980
 - 
Mar 1983
Dept. of Physical Electronics, Graduate School, Division of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
 

Awards & Honors

 
Sep 2011
応用物理学会 フェロー表彰, 応用物理学会
 

Published Papers

 
Wafer-Level Donor Uniformity Improvement by Substrate Off-Angle Control for Vertical GaN-on-GaN Power Switching Devices
Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Toshio Kitamura, Hiroshi Ohta, Tohru Nakamura, and Tomoyoshi Mishima
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   30(4) 486-493   Oct 2017   [Refereed]
Mapping of ion-implanted n-SiC schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy
Shingo Murase, Tomoyoshi Mishima, Tohru Nakamura, Kenji Shiojima
Materials Science in Semiconductor Processing   70 86-91   Oct 2017   [Refereed]
Hiroshi Ohta, Kentaro Hayashi, Tohru Nakamura, Tomoyoshi Mishima
IEEE CAT. No.CFO16567-PRT      Jun 2017   [Refereed]
Kentaro Hayashi, Hiroshi Ohta, hirohumi Tsuge, Tohru Nakamura, and Tomoyoshi Mishima
IEEE CAT. No.CFO16567-PRT      Jun 2017   [Refereed]
Wafer-level nondestructive inspection of substrate off-angle and net donor concentration of the n--drift layer in vertical GaN-on-GaN Schottky diodes
Fumimasa Horikiri, Yoshinobu Narita, Takehiro Yoshida, Toshio Kitamura, Hiroshi Ohta, Tohru Nakamura, and Tomoyoshi Mishima
Jpn. J. Appl. Phys.   56 061001   May 2017   [Refereed]

Misc

 
II-VI族半導体のMBE
高橋清
応用物理学会誌   51(8) 947-949   1982   [Refereed]
これまでに筆者らによる低電圧動作ZnSe EL素子を中心とする総合的なⅡ-Ⅵ族半導体のMBE技術に対する総合的な招待報告。CdS、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、および、ZnSeTe混晶のMBEについて述べた。
分子線エピタクシーによるAu/ZnSe:Mn/n-Ge DC エレクトロルミネセンス素子
王 全坤、高橋 清
応用物理学会誌   51(3) 372-375   1982   [Refereed]
ZnSeに対する格子整合度はGaAsよりもGeの方が良いため、今回はGe基板を用いてMnドープZnSeで直流EL素子を試作した。GaAs基板の場合よりもいっそうの高性能が期待されたが、閾電圧の最小値はGaAs基板での4Vに対して6Vとやや高かった。それでも従来の多結晶蒸着膜の1/3程度と低い。ミスフィット転位欠陥密度は下がるはずであるが、非極性基板のため相境界を多く含んでいたことが考えられる。

Books etc

 
Technology of Gallium Nitride Crystal Growth
Y. Ohshima et al.
Springer   Apr 2010   ISBN:978-3-642-04828-9
GaN自立基板の製造方法に関して、筆者らが開発したボイド形成剥離(VAS)法を中心に、プロセスや剥離のメカニズム、転位欠陥低減のミクロな様子、および、得られた基板の機械的・電気的・光学的特性について解説した。
超高速エレクトロニクス
中村徹
コロナ社   Nov 2003   ISBN:4-339-01878-3
電子情報通信学会の教科書シリーズの1冊であり、電気系の大学院生や初級レベルの技術者向けに、高周波デバイスの基礎から応用について解説している。中村先生がSiデバイスについて、三島は化合物半導体デバイスについて、材料の基礎・トランジスタの高周波化の基本・各種デバイスの現状と展望に関して、図面を多用し分かり易く述べている。
自動車エレクトロニクス
笹山隆生他
山海堂   Sep 1997   ISBN:4-381-10078-6
光デバイス、高周波デバイスへの応用をターゲットにした分子線エピタキシー技術について解説している。特に大口径・多数枚同時成長を可能とするチャンバー・真空排気・分子線源などの要素技術の現状、および、得られているエピタキシャル結晶の現状と展望について述べている。
光・マイクロ波半導体応用技術
阿部浩之、三村高志、茅根直樹 他
サイエンスフォーラム   Feb 1996   
光デバイス、高周波デバイスへの応用をターゲットにした分子線エピタキシー技術について解説している。特に大口径・多数枚同時成長を可能とするチャンバー・真空排気・分子線源などの要素技術の現状、および、得られているエピタキシャル結晶の現状と展望について述べている。
分子線エピタキシー技術
高橋清
工業調査会   Jan 1984   ISBN:4-7693-1036-6
各種Ⅲ-V族化合物半導体の分子線エピタキシー技術について基礎から応用まで解説している。成長パラメータによる結晶品質の変化、各種評価技術、ドーピング制御技術の状況について、GaAs、AlGaAs、GaP、InAsなどを対象に述べている。

Conference Activities & Talks

 
Evaluation of GaN Epitaxial Layers grown on Free-standing GaN Substrates by Fabrications of p-n Diodes
Kazuki Nomoto, Tohru Nakamura
2015 MRS Spring Meeting & Exhibit   7 Apr 2015   MRS

Association Memberships

 
 

Research Grants & Projects

 
未来のあるべき社会・ライフスタイルを創造する技術イノベーション事
環境省: 
Project Year: Apr 2014 - Mar 2018

Patents

 
特開2008-235438 : 成膜方法及び成膜装置