メサ構造縦型GaN p-nダイオードにおいて、電界緩和フィールドプレート電極下の絶縁膜の誘電率を最適化することによってメサ周辺部での電界集中を緩和し耐圧を向上できることを理論的に示した。また、シミュレーション結果から、最適とされた誘電率に近いCeO2を絶縁膜に用いることで、ダイードのアバランシェ耐量を向上することができた。