2013年
High-Temperature Isothermal Capacitance Transient Spectroscopy Study on Inductively Coupled Plasma Etching Damage for p-GaN Surfaces
Jpn. J. Appl. Phys.
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- 巻
- 52
- 号
- 開始ページ
- 11NH03
- 終了ページ
- 記述言語
- 英語
- 掲載種別
- 研究論文（学術雑誌）
低濃度Mgドープp-GaNのショットキー接合を高温ICTS法で評価した。Ga空孔によるアクセプタ型欠陥が認められたが、これはアニールで60%の減少、更に、ICPエッチングにより減少できることを見出した。また、エッチングによる表面準位の増加や水素吸着の効果などの考察している。