論文

査読有り 国際誌
2019年4月

Impact of damage-free wet etching process on fabrication of high breakdown voltage GaN p–n junction diodes

Jpn. J. Appl. Phys.
  • Naomi Asai
    • ,
  • Hiroshi Ohta
    • ,
  • Fumimasa Horikiri
    • ,
  • Yoshinobu Narita
    • ,
  • Takehiro Yoshida
    • ,
  • Tomoyoshi Mishima
巻
58
号
開始ページ
SCCD05
終了ページ
記述言語
英語
掲載種別
研究論文（学術雑誌）
DOI
10.7567/1347-4065/ab0401
リンク情報
DOI
https://doi.org/10.7567/1347-4065/ab0401
ID情報
  • DOI : 10.7567/1347-4065/ab0401
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