Okamoto Dai

J-GLOBAL         Last updated: Aug 8, 2019 at 02:57
 
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Name
Okamoto Dai
URL
http://power.bk.tsukuba.ac.jp/
Affiliation
University of Tsukuba
Section
Faculty of Pure and Applied Sciences
Job title
Assistant Professor
Degree
Master of Engineering(Nara Institute of Science and Technology), Ph.D.(Nara Institute of Science and Technology)
Research funding number
50612181

Research Areas

 
 

Academic & Professional Experience

 
Apr 2009
 - 
Mar 2011
JSPS Research Fellow (DC2), Japan Society for the Promotion of Science
 
Apr 2011
 - 
Jun 2015
Research Scientist, Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
 

Awards & Honors

 
Feb 2010
IEEE Kansai Section Student Paper Award, IEEE
 
May 2010
IEEE IMFEDK Best Paper Award, IEEE
 

Published Papers

 
SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫;増田健良;染谷満;岡本大;原田信介;矢野, 裕司;米澤喜幸;奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集   227-228   Nov 2018
pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本, 宏樹;岡本, 大;染谷, 満;木内, 祐治;岡本, 光央;畠山, 哲夫;原田, 信介;岩室, 憲幸;矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集   105-106   Nov 2018
Hall効果測定によるpチャネル4H-SiC MOSFETのチャネル輸送機構の解明
周, 星炎;岡本, 大;畠山, 哲夫;染谷, 満;原田, 信介;岡本, 光央;張, 旭芳;岩室, 憲幸;矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会 第5回講演会 予稿集   101-102   Nov 2018
Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X., Zhang;D., Okamoto;T., Hatakeyama;M., Sometani;S., Harada;N., Iwamuro;矢野, 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会 予稿集   221-224   Jan 2019
SiC MOSFETの負荷短絡試験におけるゲート漏れ電流と破壊メカニズムの評価解析
大川 雅貴;飯嶋竜司;岡本大;矢野 裕司;岩室 憲幸
平成31年電気学会全国大会 講演論文集   22-23   Mar 2019

Books etc

 
Compound Semiconductor
An, Junjie;Namai, Masaki;Tanabe, Mikiko;Okamoto, Dai;Yano, Hiroshi;Iwamuro, Noriyuki (Part:Contributor, Making a debut: the p-type SiC MOSFET)
Angel Business Communications publication   Jun 2017   

Conference Activities & Talks

 
SiC酸化膜界面の基礎物性解明に向けて
矢野, 裕司;岡本大;梅田享英;櫻井岳暁;蓮沼隆
SIP「次世代パワーエレクトロニクス」公開シンポジウム   28 Mar 2019   
SiO2/SiC界面の移動度及び伝導帯近傍の界面準位密度に対する面方位の効果
畠山哲夫;増田健良;染谷満;岡本大;原田信介;矢野, 裕司;米澤喜幸;奥村元
先進パワー半導体分科会 第5回講演会   6 Nov 2018   
Interface Characterization of Nitrided a- and m-Face 4H-SiC MOS Structures Using Distributed Circuit Model
X., Zhang;D., Okamoto;T., Hatakeyama;M., Sometani;S., Harada;N., Iwamuro;矢野, 裕司
電子デバイス界面テクノロジー研究会 -材料・プロセス・デバイス特性の物理- 第24回研究会   25 Jan 2019   
Interface Trap Densities near the Band Edge of SiO2/4H-SiC (0_338(_)), (112(_)0) and {0001} and their Impacts on Electron Transport
Hatakeyama, T.;Masuda, T.;Sometani, M.;Okamoto, D.;Harada, S.;Yano, Hiroshi;Yonezawa, Y.;Okumura, H.
12th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM2018)   2 Sep 2018   
pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析
根本, 宏樹;岡本, 大;染谷, 満;木内, 祐治;岡本, 光央;畠山, 哲夫;原田, 信介;岩室, 憲幸;矢野, 裕司
先進パワー半導体分科会第5回講演会   6 Nov 2018