馬奕涛 (Yitao Ma) - マイポータル

基本情報

所属: 東北大学電気通信研究所助教

学位: (PhD)(工学)(東京大学)

J-GLOBAL ID: 201501000618448998
researchmap会員ID: 7000012551

研究キーワード

研究分野

学歴

主要な論文

A free-extendible and ultralow-power nonvolatile multi-core associative coprocessor based on MRAM with inter-core pipeline scheme for large-scale full-adaptive nearest pattern searching

Y. Ma, S. Miura, H. Honjo, S. Ikeda, T. Endoh

Japanease Journal of Applied Physics 2020年2月査読有り
12.1 An FPGA-Accelerated Fully Nonvolatile Microcontroller Unit for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology Achieving 47.14μW Operation at 200MHz

Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi …

Digest of Technical Papers - IEEE International Solid-State Circuits Conference 2019-February 202-204 2019年3月6日
A 47.14-µW 200-MHz MOS/MTJ-Hybrid Nonvolatile Microcontroller Unit Embedding STT-MRAM and FPGA for IoT Applications.

Masanori Natsui, Daisuke Suzuki, Akira Tamakoshi, Toshinari Watanabe, Hiroaki Honjo, Hiroki Koike, Takashi Nasuno, Yitao Ma, Takaho Tanigawa, Yasuo Noguchi …

J. Solid-State Circuits 54(11) 2991-3004 2019年査読有り
A Fully Nonvolatile Microcontroller Unit with Embedded STT-MRAM and FPGA-Based Accelerator for Sensor-Node Applications in 40nm CMOS/MTJ-Hybrid Technology

M. Natsui, D. Suzuki, A. Tamakoshi, T. Watanabe, H. Honjo, H. Koike, T. Nasuno, Y. Ma, T. Tanigawa, Y. Noguchi …

IEEE Journal of Solid State Circuits 54(11) 2991-3004 2019年査読有り

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主要なMISC

A Neuron Circuit Based on Spintronic Device: Novel Approach of Brain-Inspired VLSIs for Next-Generation Artificial Intelligence

Yitao Ma, Tetsuo Endoh

Tohoku University Research News of Engineering 2014年10月25日

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共同研究・競争的資金等の研究課題

p-MTJに基づく超低電力不揮発ニューロモーフィックアーキテクチャの確立

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(C) 2019年4月 - 2022年3月

馬奕涛

社会貢献活動

超省エネの磁気メモリー開発-日の丸半導体復活挑む

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日経産業新聞 2016年6月23日
半導体ＦＰＧＡ、高速処理・省電力で東北大・ＮＥＣが開発

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日本経済新聞 2016年6月20日
消費電力1/100メモリー開発-磁気素子、処理速く-

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日経産業新聞 2016年6月15日
2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30％縮小(Yahoo Japan)

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Yahoo Japan 2016年5月19日
2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30％縮小(EE Times Japan)

情報提供

EE Times Japan 2016年5月19日
2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30％縮小(NEWS EXPRESS)

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NEWS EXPRESS 2016年5月19日
STT-MRAMでセル面積を30％縮小する新技術を実証(日経テクノロジーonline)

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日経テクノロジーonline 2016年5月19日
STT-MRAMでセル面積を30％縮小する新技術を実証(Nikkei BP net)

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Nikkei BP net 2016年5月18日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent (Sci24.com)

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Sci24.com 2016年5月18日
STT-MRAMでセル面積を30％縮小する新技術を実証(イプロス製造業)

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イプロス製造業 2016年5月18日
東北大、２メガビット磁気ランダムアクセスメモリー（STT－MRAM）の実証実験に成功

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日経プレスリリース 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent (Science Daily)

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Science Daily 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent ((e)Science News)

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(e)Science News 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent(worldwidenews365)

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worldwidenews365 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent(globalnewsmagzine)

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globalnewsmagzine 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent(regator)

情報提供

regator 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent(newsreality)

情報提供

newsreality 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent(Heart Glows)

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Heart Glows 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent(NEWS UNITED)

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NEWS UNITED 2016年5月17日
New Technology Reduces 30 Percent Chip Area Of STT MRAM While Increasing Memory Bit yield by 70 percent(I Want Hololens)

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I Want Hololens 2016年5月17日

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