MA Yitao

J-GLOBAL         Last updated: Feb 6, 2018 at 03:23
 
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Name
MA Yitao
E-mail
mrmytcies.tohoku.ac.jp
URL
http://db.tohoku.ac.jp/whois/e_detail/aadc76dfab4bbd8dc7fe57642a37add3.html
Affiliation
Tohoku University
Section
Center for Innovative Integrated Electronic Systems
Job title
Researcher
Degree
(PhD)(工学)(The University of Tokyo)

Research Areas

 
 

Education

 
 
 - 
Mar 2011
電子情報工学専攻, Graduate School, Division of Engineering, The University of Tokyo
 
 
 - 
Mar 2008
電子工学専攻, Graduate School, Division of Engineering, The University of Tokyo
 
 
 - 
Mar 2006
Faculty of Engineering, Osaka University
 

Published Papers

 
Tetsuo Endoh, Kazushi Kinoshita, Takuji Tanigami, Yoshihisa Wada, Kota Sato, Kazuya Yamada, Takashi Yokoyama, Noboru Takeuchi, Kenichi Tanaka, Nobuyoshi Awaya, Keizou Sakiyama, and Fujio Masuoka
IEEE Transactions on Electron Devices   Vol.50(No.4) 945-951   Apr 2003   [Refereed]
Highly Efficient and Compact CMOS DC-DC Converter with Novel Transistor Layout of 60 nm Multi-pillar TypeVertical Body Channel MOSFET
K. Itoh and T. Endoh
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)      Sep 2017   [Refereed]
Sub 1 V 60 nm Vertical Body Channel MOSFET Based 6T SRAM Array with Wide Noise Margin and Excellent Power Delay Product
R.Ogasawara and T.Endoh
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)      Sep 2017   [Refereed]
Cross Point Type 1T-1MTJ STT-MRAM Cell with 60 nm Multi-pillar Vertical Body Channel MOSFET under 55 nm p-MTJ and Its Beyond for High Density STT-MRAM
T.Sasaki and T.Endoh
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)      Sep 2017   [Refereed]
A Study of Validation of an Evaluation Model of Accurate Thermal Stability Factor for MTJs Using Its Thermal Dependency
T.Saito and T.Endoh
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2017)      Sep 2017   [Refereed]

Misc

 
遠藤 哲郎
Top Researchers      Aug 2017
遠藤 哲郎
日経テクノロジーオンライン      Jun 2017

Conference Activities & Talks

 
STT-MRAM and MTJ/CMOS Hybrid NV-Logic for Ultra Low Power Systems
遠藤哲郎
ナノデバイス科学研究会--第3回実用スピントロニクス新分野創成研究会   19 Aug 2016   
CIESコンソーシアムにおける産学連携
遠藤哲郎
シリコン超集積化システム第165委員会第82回研究会   22 Jul 2016   
High Performance STT-MRAM and 3D NAND Memory with Spintronics and Vertical MOSFET Technology
遠藤哲郎
SEMICON WEST 2016   13 Jul 2016   
3次元構造技術とスピントロニクス技術による 半導体メモリの新展開
遠藤哲郎
創発物性科学研究センターコロキウム   25 May 2016   
Novel High Performance NV-Working Memory with Spintronics and Vertical MOSFET Technology
遠藤哲郎
2016 MRS Spring Meeting&Exhibit   28 Mar 2016   

Social Contribution

 
超省エネの磁気メモリー開発-日の丸半導体 復活挑む
[Informant]  日経産業新聞  23 Jun 2016
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センターにて展開している磁気メモリのニュースが日経産業新聞に取り上げられた。
半導体FPGA、高速処理・省電力で 東北大・NECが開発
[Informant]  日本経済新聞  20 Jun 2016
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センターにて展開している半導体FPGAに関するニュースが日経産業新聞に取り上げられた。
消費電力1/100メモリー開発-磁気素子、処理速く-
[Informant]  日経産業新聞  15 Jun 2016
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センターおよび、副センター長を務める省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンターにて展開している磁気メモリのニュースが日経産業新聞に取り上げられた。
STT-MRAMでセル面積を30%縮小する新技術を実証(日経テクノロジーonline)
[Informant]  日経テクノロジーonline  19 May 2016
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センターの活動に関するニュースが日経テクノロジーonlineに取り上げられた。
2Mb STT-MRAMのセル面積を歩留り維持し30%縮小(NEWS EXPRESS)
[Informant]  NEWS EXPRESS  19 May 2016
遠藤がセンター長を務める国際集積エレクトロニクス研究開発センターの活動に関するニュースがNEWS EXPRESSに取り上げられた。