堀匡寛 (Masahiro Hori) - マイポータル

基本情報

所属: 静岡大学電子工学研究所 - 極限デバイス研究部門准教授

学位: 博士（工学）(2012年3月早稲田大学)
修士（工学）(2010年3月早稲田大学)
学士（工学）(2008年3月早稲田大学)

J-GLOBAL ID: 201601017090332396
researchmap会員ID: 7000014172

外部リンク: https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

2010年4月 - 2012年3月

早稲田大学, 先進理工学研究科, ナノ理工学専攻博士後期課程
2008年4月 - 2010年3月

早稲田大学, 先進理工学研究科, ナノ理工学専攻修士課程

委員歴

2025年4月 - 現在

応用物理学会東海支部, 応用物理学会東海支部幹事
2025年5月 - 2025年12月

2025年マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議論文委員（国際会議MNC2025）
2024年5月 - 2024年12月

2024年マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議論文委員（国際会議MNC2024）
2022年4月 - 2024年3月

応用物理学会, 応用物理学会機関誌企画・編集委員
2022年4月 - 2024年3月

応用物理学会, 機関誌企画・編集委員
2022年8月 - 2023年12月

2023年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員（国際会議SSDM2023）
2015年4月 - 2015年12月

応用物理学会, 2015年マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議現地委員（国際会議MNC2015）
2014年4月 - 2014年11月

応用物理学会, 応用物理学会北陸・信越支部学術講演会実行委員

受賞

2025年11月

DAN DASCALU PRIZE, International Conference on Physics of Advanced Materials (ICPAM-17)

M. Hori
2021年12月

令和3年度(第35回)高柳研究奨励賞, シリコン・トランジスタにおける磁気共鳴下のチャージポンピングに関する研究, 公益財団法人浜松電子工学奨励会

堀匡寛
2020年3月

第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞, 「Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会

ヒンマフィルダウス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡, 小野行徳
2020年3月

第11回応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞, 「Charge Pumping Under Spin Resonance in Si(100) Metal-Oxide-Semiconductor Transistors」, 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会

堀匡寛
2018年3月

第43回講演奨励賞, 応用物理学会

堀匡寛
2017年9月

第10回Poster Award, 応用物理学会

M.Hori, T.Tsuchiya, Y.Ono
2010年9月

TECHCON conference 2010, Best in Session Award, Semiconductor Research Corporation

M. Hori
2010年6月

Student Award

堀匡寛

論文

Electron thermometry for Si MOS inversion layer using proximity nano-transistor and its application to Joule-heating experiment

Hossain Md Nayem, Masahiro Hori, Katsuhiko Nishiguchi, Yukinori Ono

Applied Physics Letters 083501_1-6 2025年2月査読有り
Drag of electron–hole bilayer in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor at low temperature

N. Ahmed, M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono

Applied Physics Express 064003_1-5 2024年6月査読有り
Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces

Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono

Communications Physics 6(1) 1-11 2023年10月31日査読有り筆頭著者責任著者
Magnetometry of neurons using a superconducting qubit

Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono, Shiro Saito

Communications Physics 6(1) 1-6 2023年2月査読有り
Highly stable Fe/CeO₂ catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H₂S

Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, Choji Fukuhara

RSC Advances 13(17) 11525-11529 2023年査読有り
Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono

Applied Physics Express 14(10) 104003_1-4 2021年9月査読有り
Detection of arsenic donor electrons using gate-pulse-induced spin-dependent recombination in silicon transistors

Masahiro Hori, Yukinori Ono

Applied Physics Letters 118(26) 263504-263504 2021年6月30日査読有り筆頭著者
Coulomb-blockade transport in selectively-doped Si nano-transistors

A. Afiff, A.Samanta, A. Udhiarto, H. Sudibyo, M. Hori, Y. Ono, M. Tabe, D. Moraru

Applied Physics Express 12(8) 085004_1-5 2019年7月査読有り
Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes

Gaurang Prabhudesai, Manoharan Muruganathan, Le The Anh, Hiroshi Mizuta, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Michiharu Tabe, Daniel Moraru

Applied Physics Letters 114(24) 243502_1-5 2019年6月17日査読有り
Charge pumping under spin resonance in Si(100) metal-oxide-semiconductor transistors

M. Hori, Y. Ono

Physical Review Applied 11(6) 064064_1-12 2019年6月査読有り
Effect of dimensionality on the formation of dopant-induced quantum-dots in heavily doped Si Esaki diodes

Prabhudesai Gaurang, Manoharan Muruganathan, Hori Masahiro, Ono Yukinori, Mizuta Hiroshi, Tabe Michiharu, Moraru Daniel

JSAP Annual Meetings Extended Abstracts 2019.1 2841-2841 2019年2月25日
Electron aspirator using electron-electron scattering in nanoscale silicon

H.Firdaus, T.Watanabe, M.Hori, D.Moraru, Y.Takahashi, A.Fujiwara, Y.Ono

Nature Communications 9 4813_1-8 2018年12月査読有り
Detection of single holes generated by impact ionization in silicon

H.Firdaus, T.Watanabe, M.Hori, D.Moraru, Y.Takahashi, A. Fujiwara, Y.Ono

Applied Physics Letters 113(16) 163103_1-6 2018年10月査読有り
Detection and characterization of single near-interface oxide traps with the charge pumping method

Toshiaki Tsuchiya, Masahiro Hori, Yukinori Ono

Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA 2018- 2018年8月30日
Sensitive detection of holes generated by impact ionization in silicon

H. Firdaus, M. Hori, Y. Takahashi, A. Fujiwara, Y. Ono

2017 Silicon Nanoelectronics Workshop, SNW 2017 2017- 29-30 2017年12月29日
Real-time monitoring of charge-pumping process for SiO2/Si interface defect analysis

Masahiro Hori, Tokinobu Watanabe, Yukinori Ono

QiR 2017 - 2017 15th International Conference on Quality in Research (QiR): International Symposium on Electrical and Computer Engineering 2017- 52-56 2017年12月5日査読有り
Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors

Arup Samanta, Manoharan Muruganathan, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe, Daniel Moraru

APPLIED PHYSICS LETTERS 110(9) 093107_1-093107_5 2017年2月査読有り
Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS devices

Tokinobu Watanabe, Masahiro Hori, Toshiaki Tsuchiya, Akira Fujiwara, Yukinori Ono

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56(1) 011303_1-011303_5 2017年1月査読有り
Improvement of charge-pumping electrically detected magnetic resonance and its application to silicon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Masahiro Hori, Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono

APPLIED PHYSICS EXPRESS 10(1) 015701_1-015701_4 2017年1月査読有り
Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon-Interplay with Intervalley Phonon Emission

Yukinori Ono, Masahiro Hori, Gabriel P. Lansbergen, Akira Fujiwara

RECENT GLOBAL RESEARCH AND EDUCATION: TECHNOLOGICAL CHALLENGES 519 137-141 2017年査読有り

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MISC

超伝導磁束量子ビットによるシリコン中ビスマス不純物の磁化測定

樋田啓, 角柳孝輔, ABDURAKHIMOV Leonid V., 堀匡寛, 小野行徳, 齊藤志郎

日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 78(2) 2023年
超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定

樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, MAHBOOB Imran, 小野行徳, 齊藤志郎

日本物理学会講演概要集(CD-ROM) 78(1) 2023年
Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング (電子デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(471) 7-12 2017年2月24日
Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング (シリコン材料・デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472) 7-12 2017年2月24日
シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング (電子デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(469) 23-26 2016年3月3日
実時間チャージポンピングの精度評価 (シリコン材料・デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(443) 13-16 2015年2月5日
招待講演 Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象 (電子デバイス)

品田賢宏, 堀匡寛, GUAGLIARDO Filipo, 小野行徳, 熊谷国憲, 谷井孝至, PRATI Enrico

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(425) 1-5 2012年2月7日
ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの作製

小松原彰, 堀匡寛, 熊谷国憲, 谷井孝至, 寺地徳之, 磯谷順一, 品田賢宏

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 59th 2012年