小野行徳 (Yukinori Ono) - マイポータル

基本情報

所属: 静岡大学電子工学研究所 - 極限デバイス研究部門教授

学位: 修士（工学）(1988年3月早稲田大学)
博士（工学）(1996年2月早稲田大学)

通称等の別名: handle00015953
J-GLOBAL ID: 201601005554734516
researchmap会員ID: 7000015236

外部リンク: https://wwp.shizuoka.ac.jp/nano/

研究キーワード

研究分野

経歴

2016年 - 現在

静岡大学, 電子工学研究所, 教授
2012年 - 2016年

富山大学大学院, 理工学研究部（工学）, 教授
2009年 - 2012年

日本電信電話株式会社, 物性科学基礎研究所, 主幹研究員
1999年 - 2009年

日本電信電話株式会社, 物性科学基礎研究所, 主任研究員
1996年 - 1997年

マサチューセッツ工科大学, 客員研究員
1988年

日本電信電話株式会社, LSI研究所, 研究員

学歴

委員歴

2017年 - 現在

応用物理学会, マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議組織委員会委員
2013年 - 現在

応用物理学会シリサイド系半導体と関連物質研究会幹事
2019年4月 - 2023年3月

日本学術振興会学術システム研究センター, 専門研究委員(プログラムオフィサー）
2019年2月 - 2019年12月

応用物理学会, 第32回マイクロプロセス・ナノテクノロジー国際会議組織委員会委員長
2011年1月 - 2011年12月

IEEE国際会議シリコンナノエレクトロニクスワークショップ, 組織委員長

受賞

2023年6月

第17回（2023年）応用物理学会フェロー, SiO2/Si系ナノデバイスにおける単電荷輸送の研究, 公益社団法人応用物理学会

小野行徳
2023年3月

感謝状, 日本学術振興会

小野行徳
2022年4月

第5期静岡大学研究フェロー, 国立大学静岡大学

小野行徳
2020年11月

令和2年度（第34回）高柳記念賞, シリコンナノ構造における電子・電子散乱制御とそのデバイス応用に関する研究, 公益社団法人浜松電子工学奨励会

小野行徳
2020年4月

令和２年度科学技術分野の文部科学大臣表彰科学技術賞研究部門, 電子電子散乱と電子流体のデバイス応用に関する先駆的研究, 文部科学省

小野行徳
2020年3月

応用物理学会シリコンテクノロジー分科会論文賞, ナノスケール・シリコンにおける電子・電子散乱を利用したエレクトロン・アスピレーター, 公益社団法人応用物理学会シリコンテクノロジー分科会

ヒンマフィルダウス, 渡邉時暢, 堀匡寛, ダニエルモラル, 高橋庸夫, 藤原聡, 小野行徳
2019年4月

第4期静岡大学研究フェロー, 国立大学法人静岡大学

小野行徳
2016年9月

第38回応用物理学会論文賞, Charge pumping current from single Si/SiO2 interface traps: Direct observation of Pb centers and fundamental trap-counting by the charge pumping method, 公益社団法人応用物理学会

T.Tsuciya, Y.Ono
2009年3月

物性科学基礎研究所所長表彰業績賞, 単一ドーパント・エレクトロニクスに関する先駆的研究, 日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所

小野行徳
2007年12月

先端技術総合技術研究所所長表彰研究開発賞, シリコンナノMOSFETを用いた単電子操作・検出技術の確立, 日本電信電話株式会社先端技術総合技術研究所

藤原聡, 西口克彦, 小野行徳, 山崎謙治

論文

141

Electrical control of transient formation of electron-hole coexisting system at silicon metal-oxide-semiconductor interfaces

Masahiro Hori, Jinya Kume, Manjakavahoaka Razanoelina, Hiroyuki Kageshima, Yukinori Ono

Communications Physics 6(1) 1-11 2023年10月31日査読有り最終著者
Highly stable Fe/CeO₂ catalyst for the reverse water gas shift reaction in the presence of H₂S

Ryo Watanabe, Fumiya Karasawa, Chikamasa Yokoyama, Kazumasa Oshima, Masahiro Kishida, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Shigeo Satokawa, Priyanka Verma, Choji Fukuhara

RSC Advances 13(17) 11525-11529 2023年4月査読有り
Magnetometry of neurons using a superconducting qubit

Hiraku Toida, Koji Sakai, Tetsuhiko F. Teshima, Masahiro Hori, Kosuke Kakuyanagi, Imran Mahboob, Yukinori Ono, Shiro Saito

Communications Physics 6(1) 1-6 2023年2月査読有り
Room-temperature single-electron tunneling in highly-doped silicon-on-insulator nanoscale field-effect transistors

T. Teja Jupalli, A. Debnath, G. Prabhudesai, K. Yamaguchi, P. Jeevan Kumar, Y. Ono, D. Moraru

Applied Physics Express 15(6) 065003_1-4 2022年5月査読有り
Critical conductance of two-dimensional electron gas in silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

M. Razanoelina, M. Hori, A. Fujiwara, Y. Ono

Applied Physics Express 14(10) 104003-1 2021年9月査読有り
Detection of arsenic donor electrons using gate-pulse-induced spin-dependent recombination in silicon transistors

Masahiro Hori, Yukinori Ono

Applied Physics Letters 118(26) 263504-263504 2021年6月30日査読有り最終著者
Characteristics of Si Single-Electron Transistor under Illumination

Y. Takahashi, M. Shinohara, A. T-Fukuchi, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa

ECS Transactions 92(4) 7-56 2019年10月査読有り
Coulomb-blockade transport in selectively-doped Si nano-transistors

Adnan Afiff, Arup Samanta, Arief Udhiarto, Harry Sudibyo, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Michiharu Tabe, Daniel Moraru

Applied Physics Express 12(8) 085004-1-5 2019年7月査読有り
Single-charge band-to-band tunneling via multiple-dopant clusters in nanoscale Si Esaki diodes

Gaurang Prabhudesai, Manoharan Muruganathan, Le The Anh, Hiroshi Mizuta, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Michiharu Tabe, Daniel Moraru

Applied Physics Letters 114(24) 243502_1-5 2019年6月17日査読有り
Charge pumping under spin resonance in Si(100) metal-oxide-semiconductor transistors

M.Hori, Y.Ono

Phys. Rev. Applied 11(6) 064064_1-12 2019年6月査読有り
Si Electron Nano-Aspirator towards Emerging Hydro-Electronics

Manjakavahoaka Razanoelina, Himma Firdaus, Yasuo Takahashi, Akira Fujiwara, Yukinori Ono

2019 SILICON NANOELECTRONICS WORKSHOP (SNW) 117-118 2019年
Electron Aspirator using Elecron-electron Scattering in Nanoscale Silicon

H.Firdaus, T.Watanabe, M.Hori, D.Moraru, Y.Takahashi, A.Fujiwara, Y.Ono

Nat. Commun. 9 4813_1-8 2018年12月査読有り
Detection of single holes generated by impact ionization in silicon

H.Firdaus, T.Watanabe, M.Hori, D.Moraru, Y.Takahashi, A.Fujiwara, Y.Ono

Appl. Phys. Lett. 113(16) 163103-1 2018年10月査読有り
Detection and Characterization of Single Near-Interface Oxide Traps with the Charge Pumping Method

T. Tsuchiya, M. Hori, Y. Ono

Proceedings of 2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA) 1-4 2018年7月査読有り
Construction of KAGRA: an underground gravitational-wave observatory

T. Akutsu, Y. Ono

Progress of Theoretical and Experimental Physics 2018(1) 2018年1月査読有り
Real-time monitoring of charge-pumping process for SiO2/Si interface defect analysis

Masahiro Hori, Tokinobu Watanabe, Yukinori Ono

QiR 2017 - 2017 15th International Conference on Quality in Research (QiR): International Symposium on Electrical and Computer Engineering 2017- 52-56 2017年12月5日査読有り
Single-electron quantization at room temperature in a-few-donor quantum dot in silicon nano-transistors

Arup Samanta, Manoharan Muruganathan, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Hiroshi Mizuta, Michiharu Tabe, Daniel Moraru

APPLIED PHYSICS LETTERS 110(9) 093107_1-5 2017年2月査読有り
Manipulation of Single Charges Using Dopant Atoms in Silicon—Interplay with Intervalley Phonon Emission

Yukinori Ono, Masahiro Hori, Gabriel P. Lansbergen, Akira Fujiwara

Advances in Intelligent Systems and Computing 137-141 2017年査読有り筆頭著者
Time-domain charge pumping on silicon-on-insulator MOS devices

Watanabe Tokinobu, Hori Masahiro, Tsuchiya Toshiaki, Fujiwara Akira, Ono Yukinori

Jpn. J. Appl. Phys. 56(1) 011303-011303 2017年1月1日査読有り責任著者
EDMR on Recombination Process in Silicon MOSFETs at Room Temperature

Masahiro Hori, Yukinori Ono

Advances in Intelligent Systems and Computing 89-93 2017年査読有り

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MISC

Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング (電子デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(471) 7-12 2017年2月24日
Silicon-on-insulator MOSデバイスにおける実時間チャージポンピング (シリコン材料・デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 116(472) 7-12 2017年2月24日
シリコン酸化膜界面欠陥の低温チャージポンピング (電子デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 115(469) 23-26 2016年3月3日
実時間チャージポンピングの精度評価 (シリコン材料・デバイス)

渡辺時暢, 堀匡寛, 土屋敏章, 小野行徳

電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 114(443) 13-16 2015年2月5日
招待講演 Deterministicドープシリコンデバイスと量子輸送現象 (電子デバイス)

品田賢宏, 堀匡寛, GUAGLIARDO Filipo, 小野行徳, 熊谷国憲, 谷井孝至, PRATI Enrico

電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報 111(425) 1-5 2012年2月7日
単一原子ドーピング法と離散的ドーパントデバイス評価

品田賢宏, 堀匡寛, 平圭吾, 小松原彰, 谷井孝至, 大泊巌, 小野行徳, 遠藤哲郎

電気学会研究会資料. EDD, 電子デバイス研究会 2011(35) 1-4 2011年3月1日
フェニル系分子素子の温度特性

後藤東一郎, 猪川洋, 小野行徳, 藤原聡, 鳥光慶一

応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM) 72nd 2011年
25aWR-12 シリコン二次元電子系における谷偏極状態での金属絶縁体相転移(25aWR 量子ホール効果,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))

新井田佳孝, 高品圭, 小野行徳, 藤原聡, 平山祥郎

日本物理学会講演概要集 65(2) 662-662 2010年8月18日
Reliable Single Atom Doping and Discrete Dopant Effects on Transistor Performance

Takahiro Shinada, Masahiro Hori, Yukinori Ono, Keigo Taira, Akira Komatsubara, Takashi Tanii, Tetsuo Endoh, Iwao Ohdomari

2010 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - TECHNICAL DIGEST 592-595 2010年
フェニル系共役分子を用いた単一分子素子の伝導特性

後藤東一郎, 猪川洋, 小野行徳, 藤原聡, 鳥光慶一

応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM) 57th 2010年
Fabrication of double-dot single-electron transistor in silicon nanowire

Jo Mingyu, Kaizawa Takuya, Arita Masashi, FUJIWARA Akira, ONO Yukinori, INOKAWA Hiroshi, CHOI Jung-Bum, TAKAHASHI Yasuo

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(98) 189-192 2009年6月17日
Novel-Functional Single-Electron Devices Using Silicon Nanodot Array

Takahashi Yasuo, Kaizawa Takuya, Jo Mingyu, ARITA Masashi, FUJIWARA Akira, ONO Yukinori, INOKAWA Hiroshi, CHOI Jung-Bum

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 109(98) 145-148 2009年6月17日
28aTX-7 ダブルゲートSi MOSFET中の電子・正孔移動度とSi/SiO_2界面状態(28aTX 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

新井田佳孝, 高品圭, 小野行徳, 藤原聡, 平山祥郎, 村木康二

日本物理学会講演概要集 64(1) 697-697 2009年3月3日
マンガンをイオン注入したSOI層の磁気特性

宮崎康晶, 小野行徳, 影島博之, 永瀬雅夫, 藤原聡, 太田英二

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(438) 7-11 2009年2月19日
20aYK-8 SiO_2/(100)Si/SiO_2量子井戸に形成される二次元正孔系の磁気抵抗の閉じ込めポテンシャル依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

新井田佳孝, 高品圭, 西口克彦, 小野行徳, 藤原聡, 平山祥郎, 藤澤利正

日本物理学会講演概要集 63(2) 587-587 2008年8月25日
Single-Electron-Resolution Electrometer Based on Field-Effect Transistor

Nishiguchi Katsuhiko, Koechlin Charlie, Ono Yukinori, FUJIWARA Akira, INOKAWA Hiroshi, YAMAGUCHI Hiroshi

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 108(122) 119-124 2008年7月2日
Siナノドットアレイを用いた2出力単電子デバイスの半加算器動作

開澤拓弥, 〓民圭, 有田正志, 藤原聡, 山崎謙治, 小野行徳, 猪川洋, 高橋庸夫

電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス 107(474) 69-73 2008年1月23日
Capacitive Parameter Extraction for Nanometer-Size Field-Effect Transistors

INOKAWA Hiroshi, FUJIWARA Akira, NISHIGUCHI Katsuhiko, ONO Yukinori

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 874-875 2007年9月19日
Nanoampere charge pumping by single-electron ratchet using Si nanowire MOSFETs

FUJIWARA Akira, NISHIGUCHI Katsuhiko, ONO Yukinori

Extended abstracts of the ... Conference on Solid State Devices and Materials 2007 1144-1145 2007年9月19日
シリコン・ナノワイヤーMOSFETを利用した室温動作可能な単一電子デバイス

西口克彦, 小野行徳, 藤原聡, 猪川洋, 高橋庸夫

電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス 107(110) 147-150 2007年6月18日

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書籍等出版物

電子・物性系のための量子力学－デバイスの本質を理解する

小野行徳

森北出版株式会社 2015年9月
"Silicon Single-Electron Devices," in Device Applications of Silicon Nanocrystals and Nanostructures

Yasuo Takahashi, Yukinori Ono, Akira Fujiwara, Katsuhiko Nishiguchi, Hiroshi Inokawa (担当:共著)

Springer, New York 2009年2月
"Single-Electron Transistor and its Logic Application" in Nanotechnology

Yukinori Ono, Hiroshi Inokawa, Yasuo Takahashi, Katsuhiko Nishiguchi, Akira Fujiwara (担当:共著)

Wiley-VCH, Weinheim 2008年6月

講演・口頭発表等

128

MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (9) –捕獲電子の再結合課程(Ⅱ)–

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (8) –捕獲電子の再結合課程(Ⅰ)–

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月21日
Silicon Electron Nano-Aspirator - Current enhancement based on electron-electron scattering –

Yukinori Ono

Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) 2023年6月12日招待有り
Drag of Electron-Hole Bilayer in Silicon-on-Insulator at Low Temperature

Ahmed Nabil, Manjakavahoaka Razanoelina, Masahiro Hori, Akira Fujiwara, Yukinori Ono

Silicon Nanoelectronics Workshop 2023 (SNW 2023) 2023年6月12日
超伝導磁束量子ビットによる神経細胞の磁化測定

樋田啓, 酒井洸児, 手島哲彦, 堀匡寛, 角柳孝輔, Imran Mahboob, 小野行徳, 齊藤志郎

2023年日本物理学会春季大会 2023年3月23日
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (7) - τDに関する考察 -

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
MOS界面の単一欠陥チャージポンピンによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (6) -欠陥構造緩和(Ⅱ)-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2023年第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用

小野行徳

共同プロジェクト研究(R02/S01) 先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用東北大学－静岡大学合同冬季研究会 2023年2月27日
シリコンMOS構造における電子流体の観測と低消費電力デバイス応用

小野行徳

第1回研究会「エネルギーの高効率利用を考える革新的システムナノ技術」 2023年1月31日招待有り
Electrical formation of electron-hole coexisting system at Si MOS interfaces

Jinya Kume, Yukinori Ono, Masahiro Hori

第24回高柳健次郎記念シンポジウム 2022年11月29日
Control of Electronic Charges and Currents in Nano-scaled Silicon

Y. Ono

ICTA 2022 2022年10月28日招待有り
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (5) –タイプ4と5の識別-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (4) -欠陥構造緩和-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月22日
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（3）-ドナー型準位-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（2）-アクセプタ型準位-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測（1）-両性準位のDOS-

土屋敏章, 堀匡寛, 小野行徳

2022年第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月23日
Si MOSFETにおける電子スピン共鳴チャージポンピング

堀匡寛, 小野行徳

東北大学-静岡大学合同冬季研究会共同プロジェクト研究（R02/S01）先端的コヒーレント波技術の基盤構築とその応用 2022年1月7日
ナノスケールシリコンにおける電荷と電流の制御

小野行徳

第23回高柳健次郎記念シンポジウム 2021年11月24日招待有り
Charge Pumping under Electron Spin Resonance in Si MOSFETs - Identification of Interface Defects and Detection of Donor Electrons -

M. Hori, Y. Ono

2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY （IWDTF 2021） 2021年11月14日招待有り
チャージポンピングEDMRを用いたシリコントランジスタ中のヒ素ドナー電子の検出

堀匡寛, 小野行徳

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月13日

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担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

MOSトランジスタ構造を基盤としたシリコン超伝導

挑戦的研究（開拓） 2022年6月 - 2027年3月

小野行徳, 堀匡寛, 影島博之
シリコントランジスタのゲート制御による電子正孔系の形成と量子凝縮現象の発現

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2020年4月 - 2024年3月

堀匡寛, 小野行徳
電子流体効果を用いた新原理シリコンデバイスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2020年4月 - 2024年3月

小野行徳, 池田浩也, 藤原聡
新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系－格子系・高速エネルギー変換技術の確立

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的研究(開拓) 2020年4月 - 2022年3月

小野行徳, Moraru Daniel
新原理エレクトロニクス創成に向けた電子系一格子系・高速エネルギー変換技術の確立

挑戦的研究（開拓）挑戦的研究（開拓） 2017年6月 - 2022年3月

小野行徳, Moraru Daniel
シリコン中のドーパント原子を用いた単一フォノン制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2016年4月 - 2020年3月

小野行徳, 堀匡寛, Moraru Daniel
単一トラップの分離検出・電子物性評価技術の開発とトラップ物理の新展開

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2014年4月 - 2017年3月

土屋敏章, 小野行徳
高感度チャージポンピング・スピン共鳴法の開発と電子対再結合のスピン制御

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2015年4月 - 2017年3月

小野行徳, 土屋敏章, 堀匡寛
ドーパント格子の実現とその磁性制御の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業若手研究(A) 2013年4月 - 2016年3月

堀匡寛, 小野行徳
シリコンナノ構造を基盤としたドーパント原子デバイスの開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2011年4月 - 2016年3月

田部道晴, 品田賢宏, 小野行徳, 水田博, Moraru Daniel, 藤原聡
シリコン中のドーパント原子を用いた高精度電荷制御の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 基盤研究(B) 2013年4月 - 2016年3月

小野行徳, 堀匡寛, 土屋敏章
多値ＲｅＲＡＭ搭載のナノドットアレイによる多入力多出力フレキシブルデバイスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2012年4月 - 2015年3月

高橋庸夫, 有田正志, 小野行徳, 西口克彦, 藤原聡
単一原子非弾性トンネル分光と原子スケール・格子系/電子系エネルギー変換技術の研究

日本学術振興会科学研究費助成事業挑戦的萌芽研究挑戦的萌芽研究 2013年4月 - 2015年3月

小野行徳, 堀匡寛
IV族半導体ナノ構造化による誘電関数制御

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(B) 2010年 - 2012年

影島博之, 小野行徳, 登坂仁一郎, 藤原聡
シリコン・シングルドーパント・エレクトロニクス

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2008年 - 2011年

小野行徳, 土屋敏章, 堀口誠二, 西口克彦, 山口徹, モハメッドカラファラ
ナノ多重接合系の輸送制御と新機能デバイスの研究

日本学術振興会科学研究費助成事業特定領域研究 2006年 - 2009年

田部道晴, 池田浩也, 猪川洋, ラトノヌルヤディ, 小野行徳
シリコン単電子デバイスの時空間輸送制御と新機能の開発

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(S) 2004年 - 2007年

田部道晴, 池田浩也, 小野行徳, 雨宮好仁, 石川靖彦, ラトノヌルヤディ
シリコン中のドナーレベルを用いた単一電子操作

日本学術振興会科学研究費助成事業基盤研究(A) 基盤研究(A) 2004年 - 2007年

小野行徳, 高橋庸夫, 猪川洋, 藤原聡, 西口克彦

小野行徳

基本情報

研究キーワード

研究分野

経歴

学歴

委員歴

受賞

論文

MISC

書籍等出版物

講演・口頭発表等

担当経験のある科目(授業)

所属学協会

共同研究・競争的資金等の研究課題

産業財産権

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