小林 正治

J-GLOBALへ         更新日: 18/12/08 21:29
 
アバター
研究者氏名
小林 正治
 
コバヤシ マサハル
eメール
masa-kobayashinano.iis.u-tokyo.ac.jp
URL
http://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/
所属
東京大学
部署
工学系研究科 電気系工学専攻 生産技術研究所
職名
准教授
学位
電子工学専攻(Stanford大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2014年5月
 - 
現在
東京大学 生産技術研究所 准教授
 
2010年2月
 - 
2014年4月
IBM ワトソン研究所 リサーチスタッフメンバー
 
2006年9月
 - 
2010年1月
スタンフォード大学 博士課程
 
2009年6月
 - 
2009年9月
IMEC 客員研究員
 
2006年4月
 - 
2006年8月
東京大学 生産技術研究所 準博士研究員
 

論文

 
Experimental Study on the Role of Polarization Switching in Subthreshold Characteristics of HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET
Chenji Jin, Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi
International Conference on Electron Device Meeting (IEDM) 2018, San Francisco, CA   723-726   2018年12月   [査読有り]
Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential
Fei Mo, Yusaku Tagawa, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi
International Conference on Electron Device Meeting (IEDM) 2018, San Francisco, CA   372-375   2018年12月   [査読有り]
A perspective on ultrasmall silicon CMOS transistor technologies
小林 正治
2018年日本表面真空学会学術講演会,3Ca12,神戸   174   2018年11月   [招待有り]
HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junction Memory with Large Tunneling Electroresistance Effect and Multi-level Cell
小林 正治
ENGE 2018, Jeju, Korea      2018年11月   [招待有り]
A perspective on steep-subthreshold-slope negative-capacitance field-effect transistor
小林 正治
Applied Physics Express   11 110101   2018年10月   [査読有り][招待有り]
Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO2 for Low Power Logic and Memory Applications (S3S)
小林 正治
IEEE S3S conference 2018      2018年10月   [招待有り]
Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO2 for Low Power Logic and Memory Applications
Masaharu Kobayashi
ECS Transactions   86(2) 21-25   2018年10月   [査読有り][招待有り]
Temperature Effect on DIBL Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
S. Gao, T. Mizutani, K. Takeuchi, M. Kobayashi, T. Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2018, Tokyo, Japan   167-168   2018年9月   [査読有り]
On the Physical Origin of Steep Subthreshold Slope in Ferroelectric FET: Transient Negative Capacitance Effect Caused by Polarization Switching Delay
C. Jin, T. Hiramoto, M. Kobayashi
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2018, Tokyo, Japan   199-200   2018年9月   [査読有り]
強誘電性材料によるSi集積回路の低消費電力化の検討
小林 正治
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   19p-233-10   2018年9月   [査読有り][招待有り]
高TER・多値メモリ性を有するHfO2強誘電トンネル接合メモリのためのデバイスおよびプロセス設計
多川 友作、莫 非、更屋 拓哉、平本 俊郎、小林 正治
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   19p-233-11   2018年9月   [査読有り]
強誘電体HfO2によるロジック・メモリデバイスの新展開
小林 正治
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20p-141-10   2018年9月   [査読有り][招待有り]
Ferroelectric Neuron for Feedforward Neural Network Application
Fei Mo、Tagawa Yusaku、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20p-141-13   2018年9月   [査読有り]
Reduced Subthreshold Slope Variability at High Temperature in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang Gao、Tomoko Mizutani、Kiyoshi Takeuchi、Masaharu Kobayashi、Toshiro Hiramoto
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20a-CE-2   2018年9月   [査読有り]
Reduced Drain-Induced-Barrier-Lowering (DIBL) Variability at High Temperature in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang Gao、Tomoko Mizutani、Kiyoshi Takeuchi、Masaharu Kobayashi、Toshiro Hiramoto
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20a-CE-3   2018年9月   [査読有り]
複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法のBulk SRAMセルへの応用
水谷 朋子、竹内 潔、更屋 拓哉、小林 正治、平本 俊郎
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20a-CE-4   2018年9月   [査読有り]
Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang Gao、Tomoko Mizutani、Kiyoshi Takeuchi、Masaharu Kobayashi、Toshiro Hiramoto
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)、北海道      2018年8月   [査読有り]
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計
小林正治、多川友作、バク ヒ、平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)および集積回路研究会(ICD)合同研究会,8/7-8/9,北海道      2018年8月   [査読有り]
Device and Process Design for HfO 2 -Based Ferroelectric Tunnel Junction - 3 - Memory with Large Tunneling Electroresistance Effect and Multi-level Cell
M. Kobayashi, Y. Tagawa, M. Fei, T. Saraya, T. Hiramoto
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, HI, USA   29-30   2018年6月   [査読有り]
Reduced Subthreshold Slope Variability at High Temperature in Bulk and SOTB MOSFETs
S. Gao, T. Mizutani, K. Takeuchi, M. Kobayashi, T. Hiramoto
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 17-18, 2018 Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA Satellite conference of 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA   9-10   2018年6月   [査読有り]
Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO 2 for Low Power Logic and Memory Applications
M. Kobayashi
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 17-18, 2018 Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA Satellite conference of 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA   21-25   2018年6月   [査読有り][招待有り]
Improving Performance and Variability of Gate-All-Around Polycrystalline Silicon Nanowire Transistors by High Temperature Annealing with Passivation Oxide ,
K. –H. Jang, T. Saraya, M. Kobayashi, N. Sawamoto, A. Ogura, T. Hiramoto
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA      2018年6月   [査読有り]
Design Considerations for Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
Masaharu Kobayashi
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference, Hiroshima, Japan   112   2018年5月   [査読有り][招待有り]
IEDM 2017参加レポート
小林 正治
映像情報メディア学会誌   72(3) 402-405   2018年5月
Optimizing MOS-gated thyristor using voltage-based equivalent circuit model for designing steep-subthreshold-slope PN-body-tied silicon-on-insulator FET
Daiki Ueda, Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   57(4S) 04FD06   2018年3月   [査読有り]
Lowering data retention voltage in static random access memory array by post fabrication self-improvement of cell stability by multiple stress application
Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   57(4S) 04FD08   2018年3月   [査読有り]
Experimental Observation and Simulation Model for Transient Characteristics of Negative-Capacitance in Ferroelectric HfZrO2 Capacitor
Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
IEEE Journal of Electron Devices Society   6(1) 346-353   2018年3月   [査読有り]
3D Scaling of Si-IGBT
H. Iwai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, and H. Ohashi
Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Abba Granada Hotel, Granada, Spain      2018年3月   [査読有り][招待有り]
MOS-Gated Thyristorの電圧ベース等価回路モデルを用いた急峻スロープPN-Body Tied SOI FETのパラメータ依存性の検討
植田大貴,竹内 潔,小林正治,平本俊郎
第65回応用物理学会春季学術講演会,早稲田大学西早稲田キャンパス(東京)   18a-G203-5   2018年3月   [査読有り]
複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法によるSRAMデータ保持電圧の最小化
水谷朋子,竹内 潔,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
第65回応用物理学会春季学術講演会,早稲田大学西早稲田キャンパス(東京)   18p-G203-1   2018年3月   [査読有り]
On gate stack scalability of double-gate negative-capacitance FET with ferroelectric HfO2 for energy efficient sub-0.2V operation
Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   57(2) 024201   2018年2月   [査読有り]
Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM With Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application
Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto
IEEE Journal of Electron Devices Society,   6(1) 280-285   2018年2月   [査読有り]
超低消費電力エレクトロニクスに向けた強誘電体HfO2系薄膜材料による デバイス技術のブレークスルー
小林 正治
電子デバイス界面テクノロジー研究会,東レ総合研修センター(静岡)      2018年1月   [査読有り][招待有り]
A Nonvolatile SRAM Based on Ferroelectric HfO2 capacitor for IoT Power Management
Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
ECS Transactions   85(6) 111-114   2018年   [査読有り][招待有り]
Fabrication of Three-Dimensional Integrated CMOS Image Sensors with Quarter VGA Resolution by Pixel-Wise Direct Bonding Technology
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2017), Ramada Plaza JeJu Hotel, Jeju, Korea      2017年11月   [査読有り]
CMOSプロセスと整合性の高い強誘電ナノ薄膜材料による不揮発性メモリの新展開
小林 正治
NEDIA 第4回 電子デバイスフォーラム京都(2017),京都リサーチパーク(京都)      2017年11月   [査読有り][招待有り]
3次元構造撮像デバイスの微細・高集積化に向けた直接接合による多層積層技術
本田悠葵,後藤正英,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
応用物理学会第9回集積化MEMSシンポジウム,広島      2017年11月   [査読有り]
三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証
筒井一生,角嶋邦之,星井拓也,中島 昭,西澤伸一,若林 整,宗田伊理也,佐藤克己,末代知子,齋藤 渉,更屋拓哉,伊藤一夫,福井宗利,鈴木慎一,小林正治,高倉俊彦,平本俊郎,小椋厚志,沼沢陽一郎,大村一郎,大橋弘通,岩井 洋
電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会,鹿児島大学稲盛会館   EDD-17-074-SPC-17-173   2017年11月   [査読有り]
Three-Layered Stacking Process by Au/SiO2 Hybrid Bonding for 3D Structured Image Sensors
Yuki Honda, Masahide Goto, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
ECS Transactions   80(4) 227-231   2017年10月   [査読有り]
Masaharu Kobayashi
The Fifth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop, the University of California, Berkeley, USA      2017年10月   [査読有り][招待有り]
Parallel Programmable Nonvolatile Memory Using SRAM Cells
Toshiro Hiramoto, Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi
12th International Conference on ASIC (ASICON 2017), Hotel Pullman Guiyang, Guiyang, China   434-437   2017年10月   [査読有り][招待有り]
K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, and H. Iwai
12th International Conference on ASIC (ASICON 2017), Hotel Pullman Guiyang, Guiyang, China   1155-1158   2017年10月   [査読有り][招待有り]
Present status and future prospects of Si-based CMOS devices
小林 正治
第1回 CSRN-Tokyo Workshop 2017,東京大学(東京)      2017年10月   [査読有り]
3次元構造撮像デバイスの画素内A/D変換回路に適用可能なイベントドリブン型雑音除去回路の開発
後藤正英,本田悠葵,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
応用物理学会第9回集積化MEMSシンポジウム,広島      2017年10月   [査読有り]
Optimizing MOS-Gated Thyristor using Voltage-based Equivalent Circuit Model for Designing Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET
Daiki Ueda, Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sendai International Center, Miyagi   243-244   2017年9月   [査読有り]
Lowering Minimum Operation Voltage (Vmin) in SRAM Array by Post-Fabrication Self-Improvement of Cell Stability by Multiple Stress Application
Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi and Toshiro Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sendai International Center, Miyagi   245-246   2017年9月   [査読有り]
Demonstration of Reduction in Vce(sat) of IGBT based on a 3D Scaling Principle
K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, and H. Iwai
International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM), Sendai International Center, Miyagi   669-670   2017年9月   [査読有り][招待有り]
強誘電性マルチドメイン相互作用モデルを用いた強誘電体HfO2の動特性に関する考察
Jang Kyungmin,上山 望,小林正治,平本俊郎
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   7p-A204-13   2017年9月   [査読有り]
低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証
小林正治,上山 望,平本 俊郎
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   7p-A204-14   2017年9月   [査読有り]
急峻サブスレッショルドスロープPN-Body Tied SOI FETの最適化に向けたMOS-Gated Thyristorの電圧ベース等価回路モデル
植田大貴,竹内 潔,小林正治,平本俊郎
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   8a-C18-6   2017年9月   [査読有り]
Variability Characterictics of Gate-All-Around Polycrystalline Silicon Nanowire Transistors with 10nm-Scale Width
Kihyun Jang、Takuya Saraya、Masaharu Kobayashi、Naomi Sawamoto、Atsushi Ogura、Toshiro Hiramoto
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   8a-C18-11   2017年9月   [査読有り]
画素並列信号処理3次元構造イメージセンサのA/D変換回路に適したイベントドリブン型相関二重サンプリング回路の開発
後藤正英,本田悠葵,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
情報センシング研究会,械振興会館(東京)      2017年9月   [査読有り]
Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Hirofumi Shinohara, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   30(3) 201-215   2017年8月   [査読有り]
ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM
小林正治,上山 望,平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)および集積回路研究会(ICD)合同研究会,北海道大学情報教育館   SDM2017-37   2017年8月   [査読有り][招待有り]
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子,竹内 潔,更屋拓哉,篠原尋史,小林正治,平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)および集積回路研究会(ICD)合同研究会,北海道大学情報教育館   SDM2017-38   2017年8月   [査読有り]
Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
Solid State Electronics   136 60-67   2017年6月   [査読有り]
Daiki Ueda Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Silicon Nanoelectronics Workshop, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   13-14   2017年6月   [査読有り]
Kyungmin Jang. Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Silicon Nanoelectronics Workshop, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   15-16   2017年6月   [査読有り]
Ki-Hyun Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, and Toshiro Hiramoto
Silicon Nanoelectronics Workshop, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   33-34   2017年6月   [査読有り]
Hao Qiu, Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Jiezhi Chen, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Symposium on VLSI Technology, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   50-51   2017年6月   [査読有り]
Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama and Toshiro Hiramoto
Symposium on VLSI Technology, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   156-157   2017年6月   [査読有り]
Technology break-through by ferroelectric HfO2 for ultralow power electronics
Masaharu Kobayashi
International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation Workshop (INC workshop), Indiana University – Purdue University Indianapolis (IUPUI) Campus Center, IN, USA      2017年5月   [査読有り][招待有り]
Yuki Honda, Masahide Goto, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017), Hongo Campus, The University of Tokyo      2017年5月   [査読有り]
Event-Driven Correlated Double Sampling for Pulse-Frequency-Modulation A/D Converters Integrated in Pixel-Parallel Image Sensors
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
2017 International Image Sensor Workshop (IISW), Grand Prince Hotel Hiroshima, Hiroshima      2017年5月   [査読有り]
Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
IEEE Transactions on Nanotechnology   16(2) 253-258   2017年3月   [査読有り]
Correlation between static random access memory power-up state and transistor variation
Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Hirofumi Shinohara, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   56(4S) 04CD03   2017年3月   [査読有り]
Parallel programmable nonvolatile memory using ordinary static random access memory cells
Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Hirofumi Shinohara, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   56(4S) 04CD17   2017年3月   [査読有り]
通常のSRAMセルを利用した一括書き込み可能な不揮発性メモリ
水谷朋子,竹内 潔,更屋拓哉,篠原尋史,小林正治,平本俊郎
第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜(神奈川)   16a-412-5   2017年3月   [査読有り]
SRAM の電源投入直後初期状態とトランジスタばらつきの関係
竹内 潔,水谷朋子,篠原尋史,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜(神奈川)   16a-412-6   2017年3月   [査読有り]
負性容量トランジスタに向けた強誘電性HfZrO2膜における負性容量の直接観測
上山 望,小林正治,平本俊郎
第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜(神奈川)   17p-304-13   2017年3月   [査読有り]
強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETの動特性に関する考察
Jang Kyungmin、上山 望、小林正治1、平本俊郎
第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜(神奈川)   17p-304-14   2017年3月   [査読有り]
強誘電体HfO2を用いたGate-All-Aroundナノワイヤ負性容量FETにおけるIon/Ioff比の向上とそのスケーラビリティ
Jang Kyungmin,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
第64回応用物理学会春季学術講演会,パシフィコ横浜(神奈川)   17p-304-15   2017年3月   [査読有り]
Negative Capacitance Transistor for Steep Subthreshold Slope
Masaharu Kobayashi
Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018, Ariston Hotel Kobe, Kobe, Japan      2017年3月   [査読有り][招待有り]
Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
小林正治,上山 望,蒋 京珉,平本俊郎
応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究会,機械振興会館(東京)      2017年1月   [査読有り][招待有り]
強誘電性HfO2を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討
小林正治,上山 望,蒋 京珉,平本俊郎
電子情報通信学会回路・デバイス・境界領域技術研究会,国民宿舎みやじま杜の宿(広島)      2017年1月   [査読有り][招待有り]
Experimental verification of a 3D scaling principle for low Vce(sat)IGBT
K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, and H. Iwai
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA, USA   268-271   2016年12月   [査読有り]
Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto
IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), Hilton San Francisco Union Square, San Francisco, CA, USA   314-317   2016年12月   [査読有り]
Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
International Semiconductor Device Research Symposium (ISDRS), Hyatt Regency Bethesda, MD, USA      2016年12月   [査読有り]
Hao Qiu, Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Yoshiki Yamamoto, Hideki Makiyama, Tomohiro Yamashita, Hidekazu Oda, Shiro Kamohara, Nobuyuki Sugii, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
IEEE Transactions on Electron Devices   63(11) 4302-4308   2016年11月   [査読有り]
T. Hiramoto, K. Takeuchi, T. Mizutani, A. Ueda, T. Saraya, and M. Kobayashi, Y. Yamamoto, H. Makiyama, T. Yamashita, H. Oda, S. Kamohara, N. Sugii, Y. Yamaguchi
International Electron Devices and Materials Symposium (2016 IEDMS), National Taiwan Normal University, Taipei, Taiwan      2016年11月   [査読有り][招待有り]
Yuki Honda, Kei Hagiwara, Masahide Goto, Toshihisa Watabe, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Hiroshi Toshiyoshi, Eiji Higurashi, and Toshiro Hiramoto
ECS Transactions   75(9) 103-106   2016年10月   [査読有り]
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi and Toshiro Hiramoto
IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Hyatt Regency San Francisco Airport, Burlingame, CA, USA      2016年10月   [査読有り]
Pixel-Parallel 3-D Integrated CMOS Image Sensors Developed by Direct Bonding of SOI Layers for Next-Generation Television Systems
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
International Microsystems, Packaging, Assembly and Circuits Technology Conference (IMPACT), Taipei Nangang Exhibition Center, Taipei, Taiwan      2016年10月   [査読有り][招待有り]
Toshiro Hiramoto, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Kiyoshi Takeuchi, and Masaharu Kobayashi
IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), White Horse Lake Jianguo Hotel, Hangzhou, China      2016年10月   [査読有り][招待有り]
3次元構造撮像デバイスの微細・高集積化に向けた接合電極の微細・狭ピッチ化
本田悠葵,萩原啓,後藤正英,渡部俊久,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,年吉洋,日暮栄治,平本俊郎
第8回集積化MEMSシンポジウム,平戸文化センター(長崎)      2016年10月   [査読有り]
A Study on the Correlation between SRAM Power-up State and Transistor Variation
Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Hirofumi Shinohara, Masaharu Kobayashi and Toshiro Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tsukuba International Congress Center, Ibaraki   55-56   2016年9月   [査読有り]
Parallel Programmable Non-volatile Memory Using Normal SRAM Cells
Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Hirofumi Shinohara, Masaharu Kobayashi and Toshiro Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Tsukuba International Congress Center, Ibaraki   57-58   2016年9月   [査読有り]
負性容量によるトンネルFETの性能向上負性容量によるトンネルFETの性能向上
小林正治,蔣 京珉,上山 望,平本俊郎
第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ(新潟)   13p-B13-4   2016年9月   [査読有り]
サブ0.2Vの高エネルギー効率動作に向けた強誘電体HfO2ダブルゲート負性容量FETにおけるゲートスタックのスケーラビリティ
Jang Kyungmin,更屋拓哉,小林正治,平本 俊郎
第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ(新潟)   13p-B13-5   2016年9月   [査読有り]
SRAMセルアレーTEGを用いた電源投入直後データの測定
竹内 潔,水谷朋子,篠原尋史,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ(新潟)   14a-B13-7   2016年9月   [査読有り]
線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるドレイン電圧に起因する特性ばらつき
水谷朋子,竹内 潔,鈴木龍太,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ(新潟)   14a-B13-6   2016年9月   [査読有り]
A New Write Stability Metric for Yield Estimation in SRAM Cells at Low Supply Voltage
Hao Qiu, Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
第77回応用物理学会秋季学術講演会,朱鷺メッセ(新潟)   14a-B13-8   2016年9月   [査読有り]
線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき
水谷朋子,竹内 潔,鈴木龍太,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM),中央電気倶楽部(大阪)      2016年8月   [査読有り]
負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討
小林正治,チャン キュンミン,上山 望,平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM),中央電気倶楽部(大阪)      2016年8月   [査読有り]
Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Ryota Suzuki, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI. USA   138-139   2016年6月   [査読有り]
Toshiro Hiramoto, Kiyoshi Takeuchi, and Masaharu Kobayashi
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI. USA   146-147   2016年6月   [査読有り][招待有り]
Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI. USA   150-151   2016年6月   [査読有り]
Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI. USA   176-177   2016年6月   [査読有り]
128 × 96画素並列16 bit出力3次元構造CMOSイメージセンサ
後藤正英,萩原 啓,本田悠葵,渡部俊久,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
電気学会E部門総合研究会,金沢市文化ホール(石川)      2016年6月   [査読有り]
A New Variability Origin in Extremely Narrow Silicon Nanowire MOSFETs with Nanowire Width down to 2nm
T. Hiramoto, T. Mizutani, Y. Tanahashi, R. Suzuki, T. Saraya, and M. Kobayashi
CMOS Emerging Technologies, Hotel Bonaventure Montreal, Montreal, Canada      2016年5月   [査読有り]

競争的資金等の研究課題

 
CMOSと整合性の高い強誘電体デバイスの集積化による超低消費電力システムの開拓
日本学術振興会: 科研費基盤B
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月    代表者: 小林 正治
神経活動電位・伝達物質を多重同時計測可能なナノ薄膜状ワイヤレスプローブの創製
日本学術振興会: 科研費基盤B
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月    代表者: 藤枝俊宣
超低消費電力動作に向けたゲート絶縁膜の負性容量による急峻スロープトランジスタ技術の開発とナノワイヤ構造への応用
科学技術振興機構(JST): さきがけ
研究期間: 2015年10月 - 2019年3月    代表者: 小林 正治
強誘電体HfO2トンネル接合メモリの低電圧動作実証に向けた原子レベルでの構造計算に基づく研究開発
カシオ科学振興財団: 研究助成
研究期間: 2018年1月 - 2018年12月    代表者: 小林 正治
原子レベルの構造計算に基づく強誘電体HfO2 トンネル接合メモリの低電圧・低消費電力動作に向けた設計技術の確立
村田学術財団: 研究助成
研究期間: 2017年7月 - 2018年6月    代表者: 小林 正治

委員歴

 
2018年4月
 - 
現在
IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)  サブコミッティー
 
2018年4月
 - 
現在
IEEE Electron Device Society (EDS) Japan Joint Chapter  幹事
 
2017年4月
 - 
現在
応用物理学会  プログラム編集委員
 
2015年4月
 - 
現在
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  論文委員
 
2015年4月
 - 
現在
VLSI technology symposium  プログラム委員
 

受賞

 
2018年7月
IEEE Nanotechnology Council Best paper award Negative Capacitance for Booting Tunnel FET Performance
受賞者: Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Toshiro Hiramoto
 
2013年2月
IBM Outstanding contribution award 14nm SOI technology development
 

学歴

 
2006年9月
 - 
2010年1月
スタンフォード大学  電子工学専攻
 
2004年4月
 - 
2006年3月
東京大学  電子工学専攻
 
2000年4月
 - 
2004年3月
東京大学 教養学部/工学部 電子情報工学科
 

特許

 
特願US20150311179A1 : Transistor formation using cold welding
名 Cheng-Wei Cheng (White Plains, NY, US) Cheng-Wei Cheng (White Plains, NY, US) Shu-Jen Han (Cortlandt, NY, US) Masaharu Kobayashi (Yorktown Heights, NY, US) Masaharu Kobayashi (Yorktown Heights, NY, US) Ko-Tao Lee (Kaohsiung, TW) Devendra K. Sadana (Pleasantville, NY, US) Kuen-Ting Shiu (White Plains, NY, US) Kuen-Ting Shiu (White Plains, NY, US)
特許US8907381B2 : REDUCED SHORT CHANNEL EFFECT OF III-V FIELD EFFECT TRANSISTOR VIA OXIDIZING ALUMINUM-RICH UNDERLAYER
Cheng-Wei Cheng (White Plains, NY, US) Cheng-Wei Cheng (White Plains, NY, US) Shu-Jen Han (Cortlandt Manor, NY, US) Shu-Jen Han (Cortlandt Manor, NY, US) Masaharu Kobayashi (Yorktown Heights, NY, US) Masaharu Kobayashi (Yorktown Heights, NY, US) Ko-Tao Lee (White Plains, NY, US) Devendra K. Sadana (Pleasantville, NY, US) Kuen-Ting Shiu (White Plains, NY, US) Kuen-Ting Shiu (White Plains, NY, US)
特許US10050039B2 : Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture
Kevin K. Chan (Staten Island, NY, US) International Business Machines Corporation Sivananda K. Kanakasabapathy (Niskayuna, NY, US) Sivananda K. Kanakasabapathy (Niskayuna, NY, US) Babar A. Khan (Ossining, NY, US) Babar A. Khan (Ossining, NY, US) Masaharu Kobayashi (Yorktown Heights, NY, US) Masaharu Kobayashi (Yorktown Heights, NY, US) Effendi Leobandung (Wappingers Falls, NY, US) Effendi Leobandung (Wappingers Falls, NY, US) Theodorus E. Standaert (Clifron Park, NY, US) Xinhui Wang (Poughkeepsie, NY, US) Xinhui Wang (Poughkeepsie, NY, US)
特許US9034748B2 : Process variability tolerant hard mask for replacement metal gate finFET devices
Christopher V. Baiocco,Kevin K. Chan,Young-Hee Kim, Masaharu Kobayashi,Effendi Leobandung,Fei Liu,Dae-Gyu Park, Helen Wang, Xinhui Wang,Min Yang