小林 正治

J-GLOBALへ         更新日: 19/11/28 13:55
 
アバター
研究者氏名
小林 正治
 
コバヤシ マサハル
eメール
masa-kobayashinano.iis.u-tokyo.ac.jp
URL
http://nano-lsi.iis.u-tokyo.ac.jp/
所属
東京大学
部署
工学系研究科 電気系工学専攻 生産技術研究所
職名
准教授
学位
電子工学専攻(Stanford大学)

研究分野

 
 

経歴

 
2014年5月
 - 
現在
東京大学 生産技術研究所 准教授
 
2010年2月
 - 
2014年4月
IBM ワトソン研究所 リサーチスタッフメンバー
 
2006年9月
 - 
2010年1月
スタンフォード大学 博士課程
 
2009年6月
 - 
2009年9月
IMEC 客員研究員
 
2006年4月
 - 
2006年8月
東京大学 生産技術研究所 準博士研究員
 

論文

 
Emerging ferroelectric memory devices by material innovation
Masaharu Kobayashi
ISCSI-8, Tohoku University, Nov. 28th, 2019, pp. 63-64.   63-64   2019年11月   [招待有り]
2019/11/28
強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治,莫非,多川友作,更屋拓哉,平本俊郎
シリコン材料・デバイス研究会(SDM研究会),機械振興会館,2019年11月7日   5-8   2019年11月   [招待有り]
11/7/2019
Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method
Fei Mo
Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS) 2019, Washington Duke Inn, Durham, North Carolina, USA, Oct. 28, 2019   40-41   2019年10月   [招待有り]
10/28/2019
Comprehensive Understanding of Negative Capacitance FET From the Perspective of Transient Ferroelectric Model
Masaharu Kobayashi
2019 IEEE 13th Internationla Conference on ASIC (ASICON), Oct. 30, 2019, Chongqing, China   21   2019年10月   [招待有り]
2019/10/30
Ferroelectric-HfO2 transsitor memory with IGZO channel
Masaharu Kobayashi
The 77th Fujihara Seminar   18-19   2019年10月   [招待有り]
10/16
負性容量トランジスタの理解と今後の展望
小林 正治
第80回応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学(北海道),2019年9月20日      2019年9月   [招待有り]
9/20
Demonstration of HfO2 based Ferroelectric FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density Memory Application
FEI MO, Yusaku Tagawa, Chengji Jin, MinJu Ahn, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
第80回応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学(北海道), 18p-B11-2      2019年9月
9/18
Mechanisms of Reverse-DIBL and NDR Observed in Ferroelectric FETs
Chengji Jin, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
第80回応用物理学会秋季学術講演会,北海道大学(北海道),18p-B11-1      2019年9月
9/18
極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治,莫非,多川友作,金成吉,安珉柱,更屋拓哉,平本俊郎
シリコン材料・デバイス(SDM)研究会,北海道大学,2019年8月9日   59-62   2019年8月   [招待有り]
8/9/2019
Ferroelectric-HfO2 based transistor and memory technologies enabling ultralow power IoT applications
Masaharu Kobayashi
2019 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD 2019), Busan, Korea   86-87   2019年7月   [招待有り]
7/1/2019
Transient Negative Capacitance as Cause of Reverse Drain-induced Barrier Lowering and Negative Differential Resistance in Ferroelectric FETs
Chengji Jin, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi,
VLSI technology symposium 2019, June 13th, 2019, Kyoto   220-221   2019年6月   [査読有り]
6/13
Experimental Demonstration of Ferroelectric HfO2 FET with Ultrathin-body IGZO for High-Density and Low-Power Memory Application
Fei Mo, Yusaku Tagawa, Chengji Jin, MinJu Ahn, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto and Masaharu Kobayashi
VLSI technology symposium 2019, June 11th, 2019, Kyoto   42-43   2019年6月   [査読有り]
6/11
Challenges and opportunities of ferroelectric-HfO2 based transistor and memory technologies
Masaharu Kobayashi
Symposium on Nano Device Technology, TSRI, hsinchu, Taiwan, Apr. 4, 2019   2   2019年4月   [招待有り]
4/26/2019
基調講演
CMOS 互換プロセスによるスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案
伊藤優希,小林正治,平本俊郎
第66回応用物理学会春季学術講演会,東京工業大学大岡山キャンパス,10a-S221-7,2019年3月10日.      2019年3月
3/10
Steep Subthreshold Slope below 60mV/dec in Junctionless SOI Transistors at Low Drain Voltage of 50mV
Min-Ju Ahn, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto,
3rd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2019, Marina Bay Sands, Singapore, March 14, 2019      2019年3月   [査読有り]
3/14
A Feasibility Study on Ferroelectric Shadow SRAMs Using a New Variability Design Scheme
Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
3rd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2019, Marina Bay Sands, Singapore, March 14, 2019.   109-111   2019年3月   [査読有り]
3/14
Reduced variability of drain-induced barrier lowering and subthreshold slope at high temperature in bulk and silicon-on-thin-buried-oxide (SOTB) MOSFETs
Shuang Gao, Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   58(SB) SBBA11   2019年3月   [査読有り]
On the Physical Mechanism of Transient Negative Capacitance Effect in Deep Subthreshold Region
Chengji Jin, Takuya Saraya, Toshiro Hiramot, Masaharu Kobayashi
Journal of Electron Device Society   7 368-374   2019年2月   [査読有り]
2019/2/18
画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力QVGAイメージセンサ
後藤正英,本田悠葵,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
第225回システム・アーキテクチャ研究発表会(デザインガイア2018),サテライトキャンパスひろしま(広島),2018年12月7日      2018年12月
12/7
Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory With High TER and Multi-Level Operation Featuring Metal Replacement Process
Masaharu Kobayashi, Yusaku Tagawa, Fei Mo, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto
Journal of Electron Device Society   7 134-139   2018年12月   [査読有り]
2018/12/11
Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory
莫 非、多川 友作、更屋 拓哉、平本 俊郎、小林 正治
第66回応用物理学会春季学術講演会、東京、10p-W934-5      2019年3月
2019/3/10
Polarization Switching as the Cause of Steep Subthreshold Slope in Ferroelectric FETs
Chengji Jin、Takuya Saraya、Toshiro Hiramoto1、Masaharu Kobayashi
第66回応用物理学会春季学術講演会、東京、10p-W631-11      2019年3月
2019/3/10
反強誘電体ZrO2を有するMIS構造のユニポーラスイッチング特性
多川 友作、更屋 拓哉、平本 俊郎、小林 正治
第66回応用物理学会春季学術講演会、東京、10p-W631-9      2019年3月
2019/3/10
Experimental Study on the Role of Polarization Switching in Subthreshold Characteristics of HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET
Chenji Jin, Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi
International Conference on Electron Device Meeting (IEDM) 2018, San Francisco, CA   723-726   2018年12月   [査読有り]
2018/12/4
Scalability Study on Ferroelectric-HfO2 Tunnel Junction Memory Based on Non-equilibrium Green Function Method with Self-consistent Potential
Fei Mo, Yusaku Tagawa, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, and Masaharu Kobayashi
International Conference on Electron Device Meeting (IEDM) 2018, San Francisco, CA   372-375   2018年12月   [査読有り]
2018/12/5
多量子ビット化実現に向けたスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案
伊藤優希,小林正治,平本俊郎
電子情報通信学会量子情報技術研究会,東京大学先端科学技術研究センター,2018年11月26日      2018年11月
11/26
Proposal of scalable silicon qubits with vertically stacked structures fabricated by CMOS technology
Yuki Ito, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Silicon Quantum Electronics Workshop (SQEW), Doltone House, Sydney, Australia, Poster No. 23, November 13, 2018.      2018年11月   [査読有り]
11/13
Role of gate current and polarization switching in sub-60mV/decade steep subthreshold slope in metal-ferroelectric HfZrO2-metal-insulator-Si FET
Kyungmin Jang, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   57(11) 114202   2018年10月   [査読有り]
10/19
A perspective on ultrasmall silicon CMOS transistor technologies
小林 正治
2018年日本表面真空学会学術講演会,3Ca12,神戸   174   2018年11月   [招待有り]
2018/11/21
HfO2-Based Ferroelectric Tunnel Junction Memory with Large Tunneling Electroresistance Effect and Multi-level Cell
小林 正治
ENGE 2018, Jeju, Korea      2018年11月   [招待有り]
2018/11/13
SOI ウェハの直接合を用いた2層積層320x240画素並列CMOSイメージセンサ
本田悠葵,後藤正英,渡部俊久,萩原啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉洋,平本俊郎
第10回集積化MEMSシンポジウム      2018年10月   [査読有り]
Pixel-Parallel Three-Dimensional Integrated CMOS Image Sensors by Using Direct Bonding of Silicon-on-Insulator Wafers for Next-Generation Television Systems
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
The Forum on the Science and Technology of Silicon Materials 2018, Tsushima Campus, Okayama University, October 21, 2018      2018年10月   [査読有り][招待有り]
10/21
Pixel-Parallel 3D Integrated CMOS Image Sensors Developed by Direct Bonding of SOI Layers for Next-Generation Video Systems
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, and Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi and Toshiro Hiramoto
IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S), Hyatt Regency San Francisco Airport, Burlingame, CA, USA, October 17, 2018      2018年10月   [査読有り][招待有り]
10/17
A perspective on steep-subthreshold-slope negative-capacitance field-effect transistor
小林 正治
Applied Physics Express   11 110101   2018年10月   [査読有り][招待有り]
2018/10/22
Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO2 for Ultralow Power Logic and Memory Applications (S3S)
小林 正治
IEEE S3S conference 2018, San Francisco, CA, Oct. 15, 2018      2018年10月   [招待有り]
2018/10/15
Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO2 for Low Power Logic and Memory Applications
Masaharu Kobayashi
ECS Transactions, Cancun, Mexico   86(2) 21-25   2018年10月   [査読有り][招待有り]
2018/10/1
画素並列信号処理3層構造イメージセンサの設計
後藤正英,本田悠葵,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
第79回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋国際会議場,19p-432-7,2018年9月19日.      2018年9月   [査読有り]
9/19
Steep Subthreshold Slope in Ferroelectric FET by Transient Negative Capacitance Effect with Polarization Switching Delay
Chengji Jin, Takuya Saraya, Toshiro Hiramoto, Masaharu Kobayashi
第79回応用物理学会秋季学術講演会,名古屋,21a-CE-7      2018年9月
2018/9/21
Ferroelectric Neuron for Feedforward Neural Network Application
Fei Mo、Tagawa Yusaku、Saraya Takuya、Hiramoto Toshiro、Kobayashi Masaharu
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20p-141-13   2018年9月   [査読有り]
2018/9/20
複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法のBulk SRAMセルへの応用
水谷 朋子、竹内 潔、更屋 拓哉、小林 正治、平本 俊郎
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20a-CE-4   2018年9月   [査読有り]
2018/9/20
強誘電体HfO2によるロジック・メモリデバイスの新展開
小林 正治
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20p-141-10   2018年9月   [査読有り][招待有り]
2018/9/20
Reduced Subthreshold Slope Variability at High Temperature in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang Gao、Tomoko Mizutani、Kiyoshi Takeuchi、Masaharu Kobayashi、Toshiro Hiramoto
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20a-CE-2   2018年9月   [査読有り]
2018/9/20
Reduced Drain-Induced-Barrier-Lowering (DIBL) Variability at High Temperature in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang Gao、Tomoko Mizutani、Kiyoshi Takeuchi、Masaharu Kobayashi、Toshiro Hiramoto
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   20a-CE-3   2018年9月   [査読有り]
2018/9/20
強誘電性材料によるSi集積回路の低消費電力化の検討
小林 正治
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   19p-233-10   2018年9月   [査読有り][招待有り]
2018/9/19
高TER・多値メモリ性を有するHfO2強誘電トンネル接合メモリのためのデバイスおよびプロセス設計
多川 友作、莫 非、更屋 拓哉、平本 俊郎、小林 正治
第79回応用物理学会秋季学術講演会、名古屋   19p-233-11   2018年9月   [査読有り]
2018/9/19
On the Physical Origin of Steep Subthreshold Slope in Ferroelectric FET: Transient Negative Capacitance Effect Caused by Polarization Switching Delay
C. Jin, T. Hiramoto, M. Kobayashi
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2018, Tokyo, Japan   199-200   2018年9月   [査読有り]
2018/9/12
Temperature Effect on DIBL Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
S. Gao, T. Mizutani, K. Takeuchi, M. Kobayashi, T. Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2018, Tokyo, Japan   167-168   2018年9月   [査読有り]
2018/9/11
SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子・竹内 潔・更屋拓哉・小林正治・平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)および集積回路研究会(ICD)合同研究会,8/7-8/9,北海道      2018年8月
2018/8/9
強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計
小林正治、多川友作、バク ヒ、平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)および集積回路研究会(ICD)合同研究会,8/7-8/9,北海道      2018年8月   [査読有り]
2018/8/9
Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang Gao、Tomoko Mizutani、Kiyoshi Takeuchi、Masaharu Kobayashi、Toshiro Hiramoto
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)、北海道      2018年8月   [査読有り]
2018/8/8
Three-Layer Stacked Au/SiO2 Hybrid Bonding with 6-μm-Pitch Au Electrodes for 3D Structured Image Sensors
Yuki Honda, Masahide Goto, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
The 2nd Taiwan-Japan Joint Symposium in Taiwan, Fullon Hotel Taipei East, Taipei, Taiwan, June 1, 2018      2018年6月   [査読有り]
6/1
Device and Process Design for HfO 2 -Based Ferroelectric Tunnel Junction - 3 - Memory with Large Tunneling Electroresistance Effect and Multi-level Cell
M. Kobayashi, Y. Tagawa, M. Fei, T. Saraya, T. Hiramoto
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop, Honolulu, HI, USA   29-30   2018年6月   [査読有り]
2018/6/17
Technology Breakthrough by Ferroelectric HfO 2 for Low Power Logic and Memory Applications
M. Kobayashi
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 17-18, 2018 Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA Satellite conference of 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA   21-25   2018年6月   [査読有り][招待有り]
2018/6/17
Reduced Subthreshold Slope Variability at High Temperature in Bulk and SOTB MOSFETs
S. Gao, T. Mizutani, K. Takeuchi, M. Kobayashi, T. Hiramoto
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop June 17-18, 2018 Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA Satellite conference of 2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA   9-10   2018年6月   [査読有り]
2018/6/17
Improving Performance and Variability of Gate-All-Around Polycrystalline Silicon Nanowire Transistors by High Temperature Annealing with Passivation Oxide ,
K. –H. Jang, T. Saraya, M. Kobayashi, N. Sawamoto, A. Ogura, T. Hiramoto
2018 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop Hilton Hawaiian Village, Honolulu, HI USA   59-60   2018年6月   [査読有り]
2018/6/7
Quarter Video Graphics Array Full-Digital Image Sensing with Wide Dynamic Range and Linear Output by Using Pixel-Wise 3D Integration
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
IEEE International Symposium on Circuits & Systems (ISCAS), Firenze Fiera Congress and Exhibition Center, Florence, Italy, May 28, 2018.      2018年5月   [査読有り]
5/28
Pixel-Parallel 3-D Integrated CMOS Image Sensors for Next-Generation Video Systems
M. Goto, Y. Honda, T. Watabe, K. Hagiwara, M. Nanba, Y. Iguchi, T. Saraya, M. Kobayashi, E. Higurashi, H. Toshiyoshi, and T. Hiramoto
233rd Electrochemical Society (ECS) Meeting, Washington State Convention Center, Seattle, WA, USA, May 15, 2018      2018年5月   [査読有り][招待有り]
5/15
Drain-Induced Variability Due to Quantum Confinement Effect in Extremely Narrow Silicon Nanowire Transistors with Width down to 2nm
Toshiro Hiramoto, Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, and Masaharu Kobayashi
International Conference on Nanoelectronics Strategy (INS), Qatar Science Hall, Tohoku University, May 14, 2018      2018年5月   [査読有り]
5/14
Statistics of Random Telegraph Noise Amplitude in Extremely Narrow Silicon Nanowire Transistors with Width down to 2nm
Toshiro Hiramoto, Hao Qiu, Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, and Masaharu Kobayashi
International Conference on Nanoelectronics Strategy (INS), Qatar Science Hall, Tohoku University, May 14, 2018      2018年5月   [査読有り]
5/14
A Nonvolatile SRAM Based on Ferroelectric HfO2 capacitor for IoT Power Management
Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, and Toshiro Hiramoto
ECS Transactions, Seattle, WA   85(6) 111-114   2018年5月   [査読有り][招待有り]
2018/5/15
Design Considerations for Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
Masaharu Kobayashi
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference, Hiroshima, Japan   112   2018年5月   [査読有り][招待有り]
2018/5/30
IEDM 2017参加レポート
小林 正治
映像情報メディア学会誌   72(3) 402-405   2018年5月
2018/5/1
Optimizing MOS-gated thyristor using voltage-based equivalent circuit model for designing steep-subthreshold-slope PN-body-tied silicon-on-insulator FET
Daiki Ueda, Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   57(4S) 04FD06   2018年3月   [査読有り]
2018/3/2
Lowering data retention voltage in static random access memory array by post fabrication self-improvement of cell stability by multiple stress application
Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   57(4S) 04FD08   2018年3月   [査読有り]
2018/3/5
Experimental Observation and Simulation Model for Transient Characteristics of Negative-Capacitance in Ferroelectric HfZrO2 Capacitor
Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
IEEE Journal of Electron Devices Society   6(1) 346-353   2018年3月   [査読有り]
2018/2/22
3D Scaling of Si-IGBT
H. Iwai, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, and H. Ohashi
Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), Abba Granada Hotel, Granada, Spain      2018年3月   [査読有り][招待有り]
MOS-Gated Thyristorの電圧ベース等価回路モデルを用いた急峻スロープPN-Body Tied SOI FETのパラメータ依存性の検討
植田大貴,竹内 潔,小林正治,平本俊郎
第65回応用物理学会春季学術講演会,早稲田大学西早稲田キャンパス(東京)   18a-G203-5   2018年3月   [査読有り]
2018/3/18
複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法によるSRAMデータ保持電圧の最小化
水谷朋子,竹内 潔,更屋拓哉,小林正治,平本俊郎
第65回応用物理学会春季学術講演会,早稲田大学西早稲田キャンパス(東京)   18p-G203-1   2018年3月   [査読有り]
2018/3/18
Experimental Demonstration of a Nonvolatile SRAM With Ferroelectric HfO2 Capacitor for Normally Off Application
Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama, Kyungmin Jang, and Toshiro Hiramoto
IEEE Journal of Electron Devices Society,   6(1) 280-285   2018年2月   [査読有り]
2018/1/31
超低消費電力エレクトロニクスに向けた強誘電体HfO2系薄膜材料による デバイス技術のブレークスルー
小林 正治
電子デバイス界面テクノロジー研究会,東レ総合研修センター(静岡)   51(54)    2018年1月   [査読有り][招待有り]
2018/1/20
On gate stack scalability of double-gate negative-capacitance FET with ferroelectric HfO2 for energy efficient sub-0.2V operation
Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Japanese Journal of Applied Physics   57(2) 024201   2017年12月   [査読有り]
2017/12/22
Fabrication of Three-Dimensional Integrated CMOS Image Sensors with Quarter VGA Resolution by Pixel-Wise Direct Bonding Technology
Masahide Goto, Yuki Honda, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
30th International Microprocesses and Nanotechnology Conference (MNC2017), Ramada Plaza JeJu Hotel, Jeju, Korea      2017年11月   [査読有り]
CMOSプロセスと整合性の高い強誘電ナノ薄膜材料による不揮発性メモリの新展開
小林 正治
NEDIA 第4回 電子デバイスフォーラム京都(2017),京都リサーチパーク(京都)      2017年11月   [査読有り][招待有り]
3次元構造撮像デバイスの微細・高集積化に向けた直接接合による多層積層技術
本田悠葵,後藤正英,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
応用物理学会第9回集積化MEMSシンポジウム,広島      2017年11月   [査読有り]
三次元スケーリングによるIGBTのVCEsat低減の実験的検証
筒井一生,角嶋邦之,星井拓也,中島 昭,西澤伸一,若林 整,宗田伊理也,佐藤克己,末代知子,齋藤 渉,更屋拓哉,伊藤一夫,福井宗利,鈴木慎一,小林正治,高倉俊彦,平本俊郎,小椋厚志,沼沢陽一郎,大村一郎,大橋弘通,岩井 洋
電気学会電子デバイス・半導体電力変換合同研究会,鹿児島大学稲盛会館   EDD-17-074-SPC-17-173   2017年11月   [査読有り]
Three-Layered Stacking Process by Au/SiO2 Hybrid Bonding for 3D Structured Image Sensors
Yuki Honda, Masahide Goto, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
ECS Transactions   80(4) 227-231   2017年10月   [査読有り]
Masaharu Kobayashi
The Fifth Berkeley Symposium on Energy Efficient Electronic Systems & Steep Transistors Workshop, the University of California, Berkeley, USA      2017年10月   [査読有り][招待有り]
Parallel Programmable Nonvolatile Memory Using SRAM Cells
Toshiro Hiramoto, Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi
12th International Conference on ASIC (ASICON 2017), Hotel Pullman Guiyang, Guiyang, China   434-437   2017年10月   [査読有り][招待有り]
K. Tsutsui, K. Kakushima, T. Hoshii, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, and H. Iwai
12th International Conference on ASIC (ASICON 2017), Hotel Pullman Guiyang, Guiyang, China   1155-1158   2017年10月   [査読有り][招待有り]
Present status and future prospects of Si-based CMOS devices
小林 正治
第1回 CSRN-Tokyo Workshop 2017,東京大学(東京)      2017年10月   [査読有り]
3次元構造撮像デバイスの画素内A/D変換回路に適用可能なイベントドリブン型雑音除去回路の開発
後藤正英,本田悠葵,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
応用物理学会第9回集積化MEMSシンポジウム,広島      2017年10月   [査読有り]
Optimizing MOS-Gated Thyristor using Voltage-based Equivalent Circuit Model for Designing Steep Subthreshold Slope PN-Body Tied SOI FET
Daiki Ueda, Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sendai International Center, Miyagi   243-244   2017年9月   [査読有り]
Lowering Minimum Operation Voltage (Vmin) in SRAM Array by Post-Fabrication Self-Improvement of Cell Stability by Multiple Stress Application
Tomoko Mizutani, Kiyoshi Takeuchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi and Toshiro Hiramoto
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sendai International Center, Miyagi   245-246   2017年9月   [査読有り]
Demonstration of Reduction in Vce(sat) of IGBT based on a 3D Scaling Principle
K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Wakabayashi, I. Muneta, K. Sato, T. Matsudai, W. Saito, T. Saraya, K. Itou, M. Fukui, S. Suzuki, M. Kobayashi, T. Takakura, T. Hiramoto, A. Ogura, Y. Numasawa, I. Omura, H. Ohashi, and H. Iwai
International Conference on Solid-State Devices and Materials (SSDM), Sendai International Center, Miyagi   669-670   2017年9月   [査読有り][招待有り]
強誘電性マルチドメイン相互作用モデルを用いた強誘電体HfO2の動特性に関する考察
Jang Kyungmin,上山 望,小林正治,平本俊郎
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   7p-A204-13   2017年9月   [査読有り]
低消費電力応用に向けた強誘電体HfO2薄膜不揮発性SRAMの動作実証
小林正治,上山 望,平本 俊郎
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   7p-A204-14   2017年9月   [査読有り]
急峻サブスレッショルドスロープPN-Body Tied SOI FETの最適化に向けたMOS-Gated Thyristorの電圧ベース等価回路モデル
植田大貴,竹内 潔,小林正治,平本俊郎
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   8a-C18-6   2017年9月   [査読有り]
Variability Characterictics of Gate-All-Around Polycrystalline Silicon Nanowire Transistors with 10nm-Scale Width
Kihyun Jang、Takuya Saraya、Masaharu Kobayashi、Naomi Sawamoto、Atsushi Ogura、Toshiro Hiramoto
第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡国際会議場   8a-C18-11   2017年9月   [査読有り]
画素並列信号処理3次元構造イメージセンサのA/D変換回路に適したイベントドリブン型相関二重サンプリング回路の開発
後藤正英,本田悠葵,渡部俊久,萩原 啓,難波正和,井口義則,更屋拓哉,小林正治,日暮栄治,年吉 洋,平本俊郎
情報センシング研究会,械振興会館(東京)      2017年9月   [査読有り]
Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Hirofumi Shinohara, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing   30(3) 201-215   2017年8月   [査読有り]
ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM
小林正治,上山 望,平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)および集積回路研究会(ICD)合同研究会,北海道大学情報教育館   SDM2017-37   2017年8月   [査読有り][招待有り]
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子,竹内 潔,更屋拓哉,篠原尋史,小林正治,平本俊郎
電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会(SDM)および集積回路研究会(ICD)合同研究会,北海道大学情報教育館   SDM2017-38   2017年8月   [査読有り]
Kyungmin Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
Solid State Electronics   136 60-67   2017年6月   [査読有り]
Daiki Ueda Kiyoshi Takeuchi, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Silicon Nanoelectronics Workshop, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   13-14   2017年6月   [査読有り]
Kyungmin Jang. Nozomu Ueyama, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Silicon Nanoelectronics Workshop, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   15-16   2017年6月   [査読有り]
Ki-Hyun Jang, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Naomi Sawamoto, Atsushi Ogura, and Toshiro Hiramoto
Silicon Nanoelectronics Workshop, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   33-34   2017年6月   [査読有り]
6/4
Hao Qiu, Kiyoshi Takeuchi, Tomoko Mizutani, Takuya Saraya, Jiezhi Chen, Masaharu Kobayashi, and Toshiro Hiramoto
Symposium on VLSI Technology, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   50-51   2017年6月   [査読有り]
Masaharu Kobayashi, Nozomu Ueyama and Toshiro Hiramoto
Symposium on VLSI Technology, Rihga Royal Hotel Kyoto, Kyoto   156-157   2017年6月   [査読有り]
6/7
Technology break-through by ferroelectric HfO2 for ultralow power electronics
Masaharu Kobayashi
International Nanotechnology Conference on Communication and Cooperation Workshop (INC workshop), Indiana University – Purdue University Indianapolis (IUPUI) Campus Center, IN, USA      2017年5月   [査読有り][招待有り]
Yuki Honda, Masahide Goto, Toshihisa Watabe, Kei Hagiwara, Masakazu Nanba, Yoshinori Iguchi, Takuya Saraya, Masaharu Kobayashi, Eiji Higurashi, Hiroshi Toshiyoshi, and Toshiro Hiramoto
2017 5th International Workshop on Low Temperature Bonding for 3D Integration (LTB-3D 2017), Hongo Campus, The University of Tokyo      2017年5月   [査読有り]

競争的資金等の研究課題

 
原子層ヘテロ構造の完全制御成長と超低消費電力・3次元集積デバイスの創出
科学技術振興機構(JST): CREST
研究期間: 2019年4月 - 2022年3月    代表者: 宮田 耕充
CMOSと整合性の高い強誘電体デバイスの集積化による超低消費電力システムの開拓
日本学術振興会: 科研費基盤B
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月    代表者: 小林 正治
神経活動電位・伝達物質を多重同時計測可能なナノ薄膜状ワイヤレスプローブの創製
日本学術振興会: 科研費基盤B
研究期間: 2018年4月 - 2021年3月    代表者: 藤枝俊宣
ストレージメモリおよび人工知能ハードウェア応用に向けた強誘電体HfO2トンネル接合メモリのマルチスケールモデリング
東芝メモリ: 東芝メモリ奨励研究
研究期間: 2018年10月 - 2019年9月    代表者: 小林 正治
超低消費電力動作に向けたゲート絶縁膜の負性容量による急峻スロープトランジスタ技術の開発とナノワイヤ構造への応用
科学技術振興機構(JST): さきがけ
研究期間: 2015年10月 - 2019年3月    代表者: 小林 正治
強誘電体HfO2トンネル接合メモリの低電圧動作実証に向けた原子レベルでの構造計算に基づく研究開発
カシオ科学振興財団: 研究助成
研究期間: 2018年1月 - 2018年12月    代表者: 小林 正治
原子レベルの構造計算に基づく強誘電体HfO2 トンネル接合メモリの低電圧・低消費電力動作に向けた設計技術の確立
村田学術財団: 研究助成
研究期間: 2017年7月 - 2018年6月    代表者: 小林 正治
強誘電HfO2による急峻スロープFETの低消費電力回路と混載FeRAMの設計実証
日本学術振興会: 科研費若手研究B
研究期間: 2016年4月 - 2018年3月    代表者: 小林 正治

委員歴

 
2019年4月
 - 
現在
応用物理学会  JJAP/APEX論文編集委員
 
2018年4月
 - 
現在
IEEE International Electron Device Meeting (IEDM)  サブコミッティー
 
2018年4月
 - 
現在
IEEE Electron Device Society (EDS) Japan Joint Chapter  幹事
 
2018年4月
 - 
現在
電気学会  技術調査専門委員会
 
2017年4月
 - 
現在
応用物理学会  プログラム編集委員
 
2015年4月
 - 
現在
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)  論文委員
 
2015年4月
 - 
現在
VLSI technology symposium  プログラム委員
 
2015年4月
 - 
現在
電子情報通信学会  ELEX論文編集委員
 
2014年4月
 - 
現在
学振165委員会  幹事
 
2015年6月
 - 
2019年6月
電子情報通信学会  論文編集委員
 

受賞

 
2019年5月
IEICE ICD LSIとシステムのワークショップ ポスター賞 強誘電体HfO2を用いた低消費電力トランジスタ・メモリ技術の新展開
受賞者: 小林正治,多川友作,莫非,平本俊郎
 
2019/5/14
2019年1月
IEEE EDS Japan Joint Chapter IEEE EDS Japan Chapter Student Award 2 Experimental Study on the Role of Polarization Switching in Subthreshold Characteristics of HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET
受賞者: Chengji Jin
 
2019/1/25
2019年1月
IEEE EDS Japan Joint Chapter IEEE EDS Japan Chapter Student Award Experimental Study on the Role of Polarization Switching in Subthreshold Characteristics of HfO2-based Ferroelectric and Anti-ferroelectric FET
受賞者: Chengji Jin
 
2019/1/25
2018年7月
IEEE Nanotechnology Council Best paper award Negative Capacitance for Booting Tunnel FET Performance
受賞者: Masaharu Kobayashi, Kyungmin Jang, Nozomu Ueyama, Toshiro Hiramoto
 
7/25
2013年2月
IBM Outstanding contribution award 14nm SOI technology development
 
2013/2/15

学歴

 
2006年9月
 - 
2010年1月
スタンフォード大学  電子工学専攻
 
2004年4月
 - 
2006年3月
東京大学  電子工学専攻
 
2000年4月
 - 
2004年3月
東京大学 教養学部/工学部 電子情報工学科
 

特許

 
特許US10068967B2 : Self-forming spacers using oxidation
K. K. Chan, M. Kobayashi, E. Leobandung
特許US9711416B2 : Fin field effect transistor including a strained epitaxial semiconductor shell
K. K. Chan, Y. –H. Kim, M. Kobayashi, J. Li, D. –G. Park
特許US9418846B1 : Selective dopant junction for a group III-V semiconductor device
K. K. Chan, M. J. P. Hopstaken, Y. –H. Kim, M. Kobayashi, E. Leobandung, D. A. Neumayer, D. –G. Park, U. Rana, T. –L Tai
特許US9054192B1 : Integration of Ge-containing fins and compound semiconductor fins
K. K. Chan, C. –W. Cheng, Y. –H. Kim, M. Kobayashi, E. Leobandung, D. –G. Park, D. K. Sadana
特許US9034748B2 : Process variability tolerant hard mask for replacement metal gate finFET devices
Christopher V. Baiocco,Kevin K. Chan,Young-Hee Kim, Masaharu Kobayashi,Effendi Leobandung,Fei Liu,Dae-Gyu Park, Helen Wang, Xinhui Wang,Min Yang
特許US8987800B2 : Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture
K. K. Chan, S. K. Kanakasabapathy, B. A. Khan, M. Kobayashi, E. Leobandung, T. E. Standaert, X. Wang
特許US8889541B1 : Reduced short channel effect of III-V field effect transistor via oxidizing aluminum-rich underlayer
C. –W. Cheng, S. –J. Han, M. Kobayashi, K. –T. Lee, D. Sadana, K. –T. Shiu
特許US8835266B2 : Method and structure for compound semiconductor contact
N. E. S. Cortes, D. Kiewra, M. Kobayashi, K. –T. Shiu
特許US8941147B2 : Transistor formation using cold welding
C. –W. Cheng, S. –J. Han, M. Kobayashi, K. –T. Lee, D. K. Sadana, K. –T. Shiu
特許US8524614B2 : III-V compound semiconductor material passivation with crystalline interlayer
K. –T. Shiu, D. Guo, S. –J. Han, E. Kiewra, M. Kobayashi